本發(fā)明涉及一種測試NMOS熱載流子注入壽命的方法,包括以下步驟:步驟1、測試系統(tǒng)將測試電壓應(yīng)力加到被測器件的漏極,該測試電壓的值為穿通電壓的60%~70%之間;步驟2、漏極所加電壓應(yīng)力時(shí)的最大基底電流所對應(yīng)的柵壓為柵極電壓應(yīng)力,通入此柵極電壓應(yīng)力,得到被測器件漏極電流的退化圖;步驟3、測試系統(tǒng)對步驟2中的數(shù)據(jù)進(jìn)行擬合得到被測器件失效時(shí)間,當(dāng)器件退化到5%以上,利用外差推算得到器件的失效時(shí)間;然后用公式TTF*Ids=C*(Isub/Ids)m計(jì)算熱載流子注入的壽命。采用本發(fā)明的技術(shù)方案可以快速地得到NMOS熱載流子注入的壽命,大大縮短測試時(shí)間,而且不需要封裝晶片,節(jié)省了成本。
聲明:
“測試NMOS熱載流子注入壽命的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)