本申請(qǐng)涉及一種TSV結(jié)構(gòu)電擊穿壽命測(cè)試方法、裝置、系統(tǒng)和控制設(shè)備；所述方法包括在第一個(gè)溫度循環(huán)周期內(nèi)，通過信號(hào)采集設(shè)備采集待測(cè)TSV矩陣晶圓樣品在初始電壓下的初始漏電流；第一個(gè)溫度循環(huán)周期為控制溫度調(diào)節(jié)設(shè)備調(diào)節(jié)待測(cè)TSV矩陣晶圓樣品的測(cè)試環(huán)境溫度循環(huán)變化的第一個(gè)周期；在初始漏電流小于或等于預(yù)設(shè)值時(shí)，控制電源設(shè)備以初始電壓為起點(diǎn)逐漸增大施加在待測(cè)TSV矩陣晶圓樣品上的電壓，并通過信號(hào)采集設(shè)備實(shí)時(shí)采集待測(cè)TSV矩陣晶圓樣品的當(dāng)前漏電流；在當(dāng)前漏電流滿足失效判據(jù)時(shí)，獲取電源設(shè)備調(diào)節(jié)電壓的總時(shí)長(zhǎng)，并將總時(shí)長(zhǎng)確認(rèn)為待測(cè)TSV矩陣晶圓樣品的失效時(shí)間，實(shí)現(xiàn)高效準(zhǔn)確地測(cè)試TSV結(jié)構(gòu)的壽命性能，實(shí)現(xiàn)高效準(zhǔn)確地測(cè)試TSV結(jié)構(gòu)的電擊穿可靠性。