本公開提供一種存儲器陣列的測試方法、裝置、設(shè)備及存儲介質(zhì),所述測試方法包括:將待測存儲器陣列中存儲單元的電容其中一個極板電壓調(diào)整至低電壓;按照第一預設(shè)方式向所述待測存儲器陣列中存儲單元存入大于預充電量的電荷;基于預設(shè)數(shù)據(jù)拓撲,將所述預設(shè)數(shù)據(jù)拓撲中數(shù)據(jù)按照第二預設(shè)方式向所述待測存儲器陣列執(zhí)行預設(shè)讀寫操作;向所述待測存儲器陣列中存儲單元存入大于預充電量的電荷,讀取數(shù)據(jù);根據(jù)讀取的數(shù)據(jù)和第一預設(shè)方式寫入數(shù)據(jù),確定所述待測存儲器陣列是否正常。本公開對存入大于預充電量的電荷后的存儲器陣列執(zhí)行預設(shè)讀寫操作,使得存儲器陣列中存儲單元的電容電壓不斷變化,提高電容極板漏電失效情況的暴露幾率。
聲明:
“存儲器陣列的測試方法、裝置、設(shè)備及存儲介質(zhì)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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