本實(shí)用新型公開了一種能夠?qū)崿F(xiàn)多
芯片同測的晶圓,包括晶圓,晶圓上設(shè)置有多個(gè)用于探針測試的壓焊點(diǎn),每個(gè)壓焊點(diǎn)的上方和/或周邊設(shè)置有一層金屬層;壓焊點(diǎn)與金屬層相連接;所述壓焊點(diǎn)的面積小于50um×50um。本實(shí)用新型在不增加芯片面積前提下增大了探針的扎針面積,能夠有效提升探針卡多芯片同測的設(shè)計(jì)能力,從而提升晶圓測試效率。本實(shí)用新型能夠有效進(jìn)行多芯片同測探針卡的設(shè)計(jì),有效提升測試效率,突破由于晶圓芯片壓焊點(diǎn)過小可能無法進(jìn)行晶圓級測試的限制。本實(shí)用新型成功解決了在日益減小的壓焊點(diǎn)面積的背景下失效多芯片同測探針卡的設(shè)計(jì)及制造,以滿足提升測試效率降低測試成本的需求。
聲明:
“能夠?qū)崿F(xiàn)多芯片同測的晶圓” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)