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基于復(fù)合介質(zhì)柵MOSFET的全局曝光光敏探測器

718   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 09:00:23
本發(fā)明提供一種基于復(fù)合介質(zhì)柵MOSFET的全局曝光光敏探測器,包括由多個探測單元構(gòu)成的陣列,每個探測單元包括感光晶體管、電荷存儲晶體管和讀取晶體管,或者每個探測單元包括感光晶體管、電荷轉(zhuǎn)移晶體管、電荷存儲晶體管和讀取晶體管;其中,感光晶體管用以實現(xiàn)光敏探測器的感光功能,電荷存儲晶體管用以實現(xiàn)光生電荷的存儲,讀取晶體管用以實現(xiàn)信號的讀取,電荷轉(zhuǎn)移晶體管用以控制光生電荷的轉(zhuǎn)移。本發(fā)明的探測器無需機械快門,可實現(xiàn)全局曝光與快速讀取的功能,與現(xiàn)有浮柵CMOS工藝兼容,制造技術(shù)成熟,易于實現(xiàn),由探測單元構(gòu)成的陣列與周邊電路整合性高,可大幅縮小芯片體積,且任何一個像素的失效不會影響整個成像陣列的正常工作。
聲明:
“基于復(fù)合介質(zhì)柵MOSFET的全局曝光光敏探測器” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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