本申請?zhí)峁┮环N三維堆疊存儲
芯片的測試方法及三維堆疊存儲芯片。該存儲芯片包括堆疊互連的至少兩個晶粒,該測試方法包括:控制至少兩個晶粒中之一獲取期望數(shù)據(jù);通過至少兩個晶粒中之另一的讀寫數(shù)據(jù)線得到測試數(shù)據(jù),比對測試數(shù)據(jù)和期望數(shù)據(jù)以產(chǎn)生相應(yīng)的比對結(jié)果,從而基于比對結(jié)果確定至少兩個晶粒之間的連通性;其中,堆疊互連的至少兩個晶粒的讀寫數(shù)據(jù)線通過至少兩個晶粒間的堆疊互連結(jié)構(gòu)彼此連接。該測試方法能夠定位三維堆疊產(chǎn)品因互連工藝引起失效,以及提供精準的有互連問題的互連線路信息,繼而間接或直接解決三維堆疊存儲芯片因互連工藝問題引起的產(chǎn)品良率較低的問題。
聲明:
“三維堆疊存儲芯片的測試方法及三維堆疊存儲芯片” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)