一種測量半導(dǎo)體器件歐姆接觸退化
芯片屬于半導(dǎo)體技術(shù),特別是半導(dǎo)體器件失效評估領(lǐng)域。本實(shí)用新型提供了一種專門測量歐姆接觸退化的芯片,其特征在于:在至少有6個(gè)圓環(huán)電極的CTLM歐姆接觸測試芯片的圓環(huán)形歐姆接觸表面淀積有SiO2絕緣介質(zhì)層,在CTLM歐姆接觸測試芯片的另一面有利用金屬鍍膜工藝制備的背電極,然后在每個(gè)圓環(huán)電極上固接出一個(gè)外引電極;每個(gè)圓環(huán)電極和外引電極的固接點(diǎn)都在一條直線上。本實(shí)用新型測量芯片不但可以測量半導(dǎo)體芯片歐姆接觸電阻率隨施加電流的變化關(guān)系以及隨施加電流時(shí)間的關(guān)系,同時(shí)測量芯片可以滿足大電流沖擊要求。因此,使用本實(shí)用新型芯片能更為準(zhǔn)確有效的評估歐姆接觸。
聲明:
“測量半導(dǎo)體器件歐姆接觸退化芯片” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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