本發(fā)明提供了一種浮柵回刻的深度的測試方法,包括:提供襯底;在所述襯底上分別形成第一隔離層和第二隔離層;在所述第一隔離層上形成浮柵
多晶硅,刻蝕浮柵多晶硅形成浮柵,所述浮柵呈條狀結(jié)構(gòu);在所述浮柵和所述第二隔離層上形成ONO層;在所述ONO層上沉積控制柵多晶硅,刻蝕控制柵多晶硅形成控制柵,所述控制柵呈條狀結(jié)構(gòu),所述浮柵和所述控制柵形成叉指結(jié)構(gòu);使用如下公式計算浮柵回刻的深度;
在本發(fā)明浮柵回刻的深度的測試方法中,利用叉指結(jié)構(gòu)的數(shù)目、叉指結(jié)構(gòu)的長度和ONO厚度就可以在不切片的情況下獲得浮柵的回刻深度,減少存儲單元失效的幾率,提高
芯片的良率,并且與現(xiàn)有工藝兼容,無需開發(fā)新制程,不需要額外的掩膜版。
聲明:
“浮柵回刻的深度的測試方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)