本發(fā)明提供一種MRAM
芯片,包括一個或多個區(qū)域,區(qū)域包括多個存儲陣列與一個備份陣列,備份陣列中的存儲單元行用于替換MRAM芯片中包括失效或損壞的存儲單元的存儲單元字,存儲單元字的寬度小于存儲陣列的列的數(shù)目。本發(fā)明還提供一種MRAM芯片的自測試方法。本發(fā)明提供的MRAM芯片及其自測試方法,通過設(shè)置備份陣列,使用備份陣列中的存儲單元行替換存儲陣列與備份陣列中包括損壞的存儲單元的存儲單元字,存儲單元字的寬度小于存儲陣列的列的數(shù)目,從而更有效利用備份陣列中的存儲單元,延長MRAM芯片的使用壽命。
聲明:
“MRAM芯片及其自測試方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)