具有50–100μm厚度的4H?SiC磊晶片在4度偏軸襯底上生長。通過檢測所述磊晶片,獲得2–6cm-2范圍內(nèi)的表面形態(tài)缺陷密度。在這些磊晶片上獲得2–3μs范圍內(nèi)的一致載流子壽命。證實了所述磊晶片中非常低的BPD密度,BPD密度低至低于10cm-2。使用具有50-100μm厚度的外延晶片制造二極管。高電壓測試證實了接近4H-SiC的理論值的閉鎖電壓。在50μm厚外延膜上制造的器件中實現(xiàn)了高達8kV的閉鎖電壓,并且在80μm厚膜上制造的器件中獲得了高達10kV的閉鎖電壓。失效分析證實了三角形缺陷,其由外延過程中存在的表面損傷或顆粒形成,是致命缺陷并造成所述器件在反向偏置操作中失效。另外,在JBS二極管的高閉鎖電壓下的漏電流顯示與螺旋位錯密度無關(guān)聯(lián)。還觀察到,外延層中的基面位錯的主要來源源于晶體生長過程。
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“SiC上的高電壓功率半導(dǎo)體器件” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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