本發(fā)明公開了一種MOS器件壽命預(yù)計(jì)方法，包括步驟：分析器件的物理失效機(jī)理與器件宏觀參數(shù)退化的相關(guān)性，構(gòu)建基于所述物理失效機(jī)理的器件宏觀參數(shù)退化模型；對(duì)器件進(jìn)行可靠性模擬仿真，分析器件宏觀參數(shù)退化對(duì)物理失效機(jī)理的敏感性；選擇應(yīng)力施加方式，對(duì)器件進(jìn)行基于參數(shù)退化壽命試驗(yàn)并獲取可靠性試驗(yàn)數(shù)據(jù)；分析上述可靠性試驗(yàn)數(shù)據(jù)，建立基于參數(shù)退化的壽命預(yù)計(jì)計(jì)算模型；根據(jù)上述壽命預(yù)計(jì)計(jì)算模型獲取器件的壽命預(yù)計(jì)結(jié)果。利用該方法解決新技術(shù)條件下傳統(tǒng)器件壽命預(yù)測(cè)方法準(zhǔn)確性和可操作性的問(wèn)題，減少試驗(yàn)樣品數(shù)量，降低試驗(yàn)費(fèi)用，提高預(yù)計(jì)試驗(yàn)結(jié)果的準(zhǔn)確性。