本發(fā)明提供一種改善半導(dǎo)體樣品定點(diǎn)研磨過程中平坦性的方法,該方法包括以下步驟:提供一半導(dǎo)體樣品,所述半導(dǎo)體樣品中包含用于失效分析的目標(biāo)點(diǎn);刻蝕所述半導(dǎo)體樣品,形成包圍該目標(biāo)點(diǎn)的槽;在所述槽中填充金屬,形成包圍目標(biāo)點(diǎn)的金屬框。本發(fā)明可有效的避免半導(dǎo)體樣品在研磨過程中由于累計(jì)按壓造成的前層結(jié)構(gòu)變形和人為因素引起的缺陷,以及對(duì)處于半導(dǎo)體樣品邊緣地帶的目標(biāo)點(diǎn)由于研磨速率快而導(dǎo)致的失效分析失?。惶岣邩悠费心サ钠秸炔⒖朔吘壭?yīng),進(jìn)而提高失效分析的準(zhǔn)確性。
聲明:
“改善半導(dǎo)體樣品定點(diǎn)研磨過程中平坦性的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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