本發(fā)明屬于集成電路失效分析領(lǐng)域。本發(fā)明提供了一種集成電路缺陷點(diǎn)定位方法,本發(fā)明方法通過將集成電路進(jìn)行開封,同時(shí)在集成電路短路引腳的兩端進(jìn)行通電,形成熱點(diǎn),再通過紅外熱成像顯微鏡進(jìn)行拍攝,與未通電時(shí)拍攝的照片進(jìn)行比對(duì),從而準(zhǔn)確定位出微短路的精確位置,為后續(xù)的進(jìn)一步分析提供有效信息。本發(fā)明有如下優(yōu)點(diǎn):1、本發(fā)明方法可以對(duì)集成電路的微短路缺陷點(diǎn)進(jìn)行準(zhǔn)確定位,速度快,成本低,效率高;2、本發(fā)明方法不對(duì)人體產(chǎn)生傷害;3、本發(fā)明方法極大地提高了封裝級(jí)失效分析的成功率。
聲明:
“集成電路缺陷點(diǎn)定位方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)