本發(fā)明公開了一種CMOS電路單粒子瞬態(tài)的建模方法,該方法包括:A、將單粒子入射節(jié)點處的電荷收集機制采用瞬態(tài)電流源來表示;B、在瞬態(tài)失效分析時將CMOS電路分為不同的級段,每個級段均由NMOS模塊和PMOS模塊構(gòu)成;C、將CMOS電路單粒子瞬態(tài)簡化為輸出節(jié)點集總有效負載電容C、有效電阻R和瞬態(tài)電流源的并聯(lián)回路;D、推導出單粒子瞬態(tài)脈沖寬度表達式和瞬態(tài)脈沖峰值表達式;E、當單粒子入射節(jié)點瞬態(tài)脈沖峰值超過VDD/2時,認為發(fā)生單粒子翻轉(zhuǎn)錯誤。利用本發(fā)明,基于簡單的解析模型,可以評估復雜電路中每一門電路的單粒子瞬態(tài)敏感度。