本發(fā)明涉及半導(dǎo)體集成電路的失效分析領(lǐng)域,尤其涉及一種修補(bǔ)去層次樣品的方法。本發(fā)明提出一種修補(bǔ)去層次樣品的方法,在去層次工藝時(shí)出現(xiàn)錯(cuò)層的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)上覆蓋機(jī)械強(qiáng)度達(dá)到研磨工藝要求的介質(zhì)層,并部分去除介質(zhì)層至金屬層,去除暴露金屬層后再繼續(xù)去層次工藝,如此循環(huán)重復(fù),直至目標(biāo)區(qū)域完整的處于同一目標(biāo)層,以便于后續(xù)的失效分析工藝的進(jìn)行。
聲明:
“修補(bǔ)去層次樣品的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)