本發(fā)明提供了一種背照式CMOS傳感器中取晶粒的方法和應(yīng)用,涉及CMOS傳感器技術(shù)領(lǐng)域。該方法先將背照式CMOS傳感器進(jìn)行混酸處理,再將得到的預(yù)處理晶??拷娐穼拥囊粋?cè)平整固定在硅片上,對(duì)預(yù)處理晶粒遠(yuǎn)離電路層的一側(cè)進(jìn)行任選的一次研磨以除去可能殘留的封裝料,然后進(jìn)行反應(yīng)離子刻蝕和二次研磨以使電路層完整的暴露出來(lái)并保持一定的平整度,得到晶粒;其中,將預(yù)處理晶粒平整固定在硅片上,硅片的設(shè)置可為電路層提供支撐作用,使得在后續(xù)提取過(guò)程中不會(huì)出現(xiàn)電路層脫落或者分層等問(wèn)題,從而實(shí)現(xiàn)晶粒的完整且完好的提取,為后續(xù)失效分析工作提供了基礎(chǔ)。本發(fā)明還提供了背照式CMOS傳感器的失效分析方法。
聲明:
“背照式CMOS傳感器中取晶粒的方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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