本發(fā)明公開了一種自適應(yīng)閃存寫入操作控制方法及電路,該方法包括如下步驟:步驟一,當(dāng)處理寫入操作時(shí),對(duì)兩個(gè)參考單元的閾值電壓進(jìn)行檢測(cè);步驟二,將檢測(cè)的閾值電壓與不同參考閾值比較,根據(jù)比較結(jié)果判斷當(dāng)前行的閾值范圍,從而取得當(dāng)前行所處狀態(tài),繼而判斷相應(yīng)的預(yù)編程,擦除,漸進(jìn)擦除或編程操作,本發(fā)明可自適應(yīng)的對(duì)閃存對(duì)應(yīng)行進(jìn)行擦除或?qū)懭氩僮?,有效的防止?duì)存儲(chǔ)單元的過(guò)度擦除導(dǎo)致的過(guò)飽和失效,同時(shí)針對(duì)擦除不足的行,通過(guò)漸進(jìn)式擦除機(jī)制,防止因擦除不足造成的閃存失效。
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“自適應(yīng)閃存寫入操作控制方法及電路” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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