本發(fā)明公開(kāi)了一種原子層沉積用于靜電保護(hù)二極管的管控及制造方法，涉及功率半導(dǎo)體器件生產(chǎn)制造技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明包括芯片固定、等離子清洗、打線工藝、原子沉積、原子層沉積檢查、注塑成型工藝、EMC樹(shù)脂作為包封料或塑封料的后固化、激光去殘膠、后續(xù)工藝；后續(xù)工藝包括電鍍、打標(biāo)、切筋、自動(dòng)測(cè)試線、包裝。本發(fā)明避免了離子遷移，保護(hù)穩(wěn)定性好，即使水滲進(jìn)去也不會(huì)失效；解決了大功率小封裝的離子遷移問(wèn)題，減小離子遷移風(fēng)險(xiǎn)，降低產(chǎn)品在生產(chǎn)過(guò)程中的管控成本，特別是目前主流使用高低溫沖擊，減少加速拉花的工序或減少了二次回流；使晶圓的厚度持續(xù)減薄，減少樹(shù)脂成本；減少對(duì)于后續(xù)的生產(chǎn)工序管控的難度。