本公開提供一種IGBT模塊壽命的統(tǒng)計方法、裝置、電子設備及存儲介質，所述方法包括獲取待測IGBT模塊的集電極與發(fā)射極之間的電壓值隨功率循環(huán)次數(shù)變化的變化曲線；以所述待測IGBT模塊內的所有鍵合點為子樣本，獲取所述變化曲線上每個電壓突變點對應的功率循環(huán)次數(shù)和鍵合點的總失效率；根據所述變化曲線上所有電壓突變點對應的功率循環(huán)次數(shù)和鍵合點的總失效率，得到鍵合點的總失效率與功率循環(huán)次數(shù)的關系式；根據鍵合點的總失效率與功率循環(huán)次數(shù)的關系式，獲得預設鍵合點失效率對應的功率循環(huán)次數(shù)，以得到所述待測IGBT模塊的循環(huán)壽命。該方法可以減少IGBT模塊樣本數(shù)量并節(jié)省大量的試驗時間，經濟成本和時間成本得到很好的控制。
聲明：
“IGBT模塊壽命的統(tǒng)計方法、裝置、電子設備及存儲介質” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。
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編輯：管理員
來源：中冶有色技術網
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2025年03月28日 ~ 30日 
