本發(fā)明提供一種監(jiān)控低溫快速熱工藝的方法,利用在晶片上形成一包含有一硅化物層,一厚度為200鈷金屬層與一厚度為200氮化鈦層的監(jiān)控層,再通過測量監(jiān)控層的電阻值來監(jiān)控該低溫快速熱工藝的穩(wěn)定性。即可得到該低溫快速熱工藝的效果,且解決了現(xiàn)有使用厚度為100的鈷金屬層容易因為晶片表面狀態(tài)而發(fā)生監(jiān)控失效的缺點。
聲明:
“監(jiān)控低溫快速熱工藝的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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