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填充Ga的基方鈷礦熱電材料及其制備方法

1049   編輯:管理員   來源:中冶有色技術網(wǎng)  
2023-03-18 14:28:32
該發(fā)明公開了一種填充Ga的CoSb3基方鈷礦熱電材料GaxCo4Sb12.3及其制備方法,屬于熱電材料領域。本發(fā)明的目的在于提供一種通過填充鎵單質(zhì)(Ga)形成填充方鈷礦來提高CoSb3基方鈷礦材料熱電性能的方法。該熱電材料可通過改變單質(zhì)鎵(Ga)的含量來調(diào)節(jié)賽貝克系數(shù)、電導率和熱導率等參數(shù)來提升CoSb3基方鈷礦材料的熱電性能,且制備工藝簡單,適合大規(guī)模生產(chǎn)。
聲明:
“填充Ga的基方鈷礦熱電材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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