該發(fā)明公開了一種填充Ga的CoSb
3基方鈷礦熱電材料Ga
xCo
4Sb
12.3及其制備方法,屬于熱電材料領域。本發(fā)明的目的在于提供一種通過填充鎵單質(zhì)(Ga)形成填充方鈷礦來提高CoSb
3基方鈷礦材料熱電性能的方法。該熱電材料可通過改變單質(zhì)鎵(Ga)的含量來調(diào)節(jié)賽貝克系數(shù)、電導率和熱導率等參數(shù)來提升CoSb
3基方鈷礦材料的熱電性能,且制備工藝簡單,適合大規(guī)模生產(chǎn)。
聲明:
“填充Ga的基方鈷礦熱電材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)