本發(fā)明提供了一種刻蝕控制方法,設(shè)置了套刻精度和高級工藝流程控制的相關(guān)參數(shù)之間的對應(yīng)關(guān)系后,該方法首先測量光刻后晶片的當(dāng)前層上光刻圖案的套刻精度,將所得的套刻精度發(fā)送到刻蝕機臺,由刻蝕機臺根據(jù)套刻精度得到刻蝕步驟中高級工藝流程控制的相關(guān)參數(shù),以光刻圖案為掩膜,按照調(diào)整后的相關(guān)參數(shù)刻蝕當(dāng)前層,改變刻蝕形成的半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)的形狀,改善因OVL造成的半導(dǎo)體器件失效,擴大工藝窗口和提高產(chǎn)品良率。
聲明:
“刻蝕控制方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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