本發(fā)明公開了屬于稀磁
半導(dǎo)體材料制備技術(shù)領(lǐng)域的一種黃銅礦結(jié)構(gòu)的稀磁半導(dǎo)體材料及其制備方法。該稀磁半導(dǎo)體材料的化學(xué)式為CuS1-xTxTe2;其中,S為Ga或In,T為Co、Mn、或Fe,x=0-0.4。根據(jù)CuS1-xTxTe2的化學(xué)計(jì)量比配置Cu、S、T、Te四種單質(zhì)元素;將Cu、S、T熔煉成Cu-S-T前驅(qū)合金后與Te混合研磨成粉并壓制成片,對(duì)其熱處理后冷卻,然后真空研磨成粉并烘干后得到粗品,經(jīng)抽濾后得到該稀磁半導(dǎo)體材料。制成稀磁半導(dǎo)體材料更好地控制了非揮發(fā)性元素與揮發(fā)性元素之間的化學(xué)比例,并通過控制熱處理時(shí)的溫度,獲得了雜相較少、成分均勻且具有室溫鐵磁性的黃銅礦結(jié)構(gòu)的稀磁半導(dǎo)體材料。
聲明:
“黃銅礦結(jié)構(gòu)的稀磁半導(dǎo)體材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)