該發(fā)明公開(kāi)了一種通過(guò)填充Ga替換Sb提高CoSb
3基方鈷礦材料熱電性能的方法,屬于熱電材料領(lǐng)域及其制備鄰域。本發(fā)明的目的在于提供一種通過(guò)填充鎵單質(zhì)(Ga)、碲單質(zhì)(Te)替換部分銻單質(zhì)(Sb)形成填充替換方鈷礦來(lái)提高CoSb
3基方鈷礦材料熱電性能的方法。該熱電材料可通過(guò)改變單質(zhì)鎵(Ga)的含量和碲單質(zhì)(Te)替換銻單質(zhì)(Sb)的量來(lái)調(diào)節(jié)賽貝克系數(shù)、電導(dǎo)率和熱導(dǎo)率等參數(shù)來(lái)提升CoSb
3基方鈷礦材料的熱電性能,且制備工藝簡(jiǎn)單,適合大規(guī)模生產(chǎn)。
聲明:
“通過(guò)填充Ga、Te替換Sb提高基方鈷礦材料熱電性能的方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)