1.本發(fā)明涉及膠粘劑領(lǐng)域，尤其是涉及一種封裝芯片用底部填充膠及其制備方法。

背景技術(shù)：

2.在倒裝芯片電子封裝過程中，底部填充膠扮演著非常重要的角色。通過底部膠的填充，在芯片和基板之間會形成過渡層，過渡層的存在一方面可以保證整個結(jié)構(gòu)的剛性，對結(jié)構(gòu)進(jìn)行保護(hù)；另一方面由于芯片和基板之間的熱膨脹系數(shù)差異較大，過渡層還可以極大地緩解這種由于熱膨脹系數(shù)失配所帶來的高應(yīng)力，為芯片封裝過程避免出現(xiàn)各種失效提供了保障。

3.傳統(tǒng)的底部填充膠中無機(jī)填料含量較低，難以滿足倒裝芯片中對底部填充膠低膨脹系數(shù)的要求，對倒裝芯片的封裝保護(hù)作用較低。另外，無機(jī)填料含量較高的底部填充膠則存在體系粘度增大，流動性變差，導(dǎo)致在施膠過程中易造成堵塞、孔洞和點(diǎn)膠不均勻等諸多問題，難以適應(yīng)高密度窄間距倒裝芯片中芯片尺寸小、填充間距小、焊球排布密集等的發(fā)展需要。

4.因此，開發(fā)具有低粘度、高流動性、低膨脹系數(shù)、低介電的底部填充膠對于進(jìn)一步提高通訊用高度集成的半導(dǎo)體器件的可靠性顯得尤為重要。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

5.基于此，有必要提供一種具有低粘度、高流動性、低膨脹系數(shù)、低介電的封裝芯片用底部填充膠。

6.此外，還有必要提供一種上述封裝芯片用底部填充膠的制備方法。

7.一種封裝芯片用底部填充膠，包括10wt％～25wt％的有機(jī)硅雜化環(huán)氧樹脂、10wt％～25wt％的固化劑、50wt％～70wt％的無機(jī)填料、0.1wt％～2wt％的固化促進(jìn)劑以及0.1wt％～2wt％的偶聯(lián)劑。

8.在一個實(shí)施例中，所述有機(jī)硅雜化環(huán)氧樹脂選自x-40-2678、x-40-2669、x-40-2728、kr470、poss101和poss1010中的至少一種。

9.在一個實(shí)施例中，所述有機(jī)硅雜化環(huán)氧樹脂為x-40-2669、kr470和poss101的混合物。

10.在一個實(shí)施例中，x-40-2669、kr470和poss101的質(zhì)量比為5～9：0.5～8：0.5～3。

11.在一個實(shí)施例中，所述固化劑選自四氫苯酐、甲基四氫苯酐、六氫苯酐、甲基六氫苯酐、納迪克酸酐、甲基納迪克酸酐、偏苯三酸酐和均苯四甲酸二酐中的至少一種。

12.在一個實(shí)施例中，所述無機(jī)填料選自球形二氧化硅和球形空心玻璃微珠中的至少一種，所述球形二氧化硅粒徑為0.1μm～20μm，所述球形空心玻璃微珠的粒徑為0.1μm～20μm。

13.在一個實(shí)施例中，所述無機(jī)填料為所述球形二氧化硅和所述球形空心玻璃微珠的

混合物，所述球形二氧化硅和所述球形空心玻璃微珠的質(zhì)量比為5：1～1：5。

14.在一個實(shí)施例中，所述固化促進(jìn)劑選自乙酰丙酮鋁、乙酰丙酮鈷、三苯基膦、2,4,6-三-(二甲胺基甲基)苯酚1-氰乙基-2-苯基-4,5-二(氰乙基亞甲基)咪唑和十七烷基咪唑中的至少一種。

15.在一個實(shí)施例中，所述偶聯(lián)劑選自γ-(2,3-環(huán)氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷、γ-(2,3-環(huán)氧丙氧)丙基三乙氧基硅烷、2-(3,4環(huán)氧環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷、3-氨丙基三甲氧基硅烷、3-氨丙基三乙氧基硅烷、n-2-氨乙基-3-氨丙基三乙氧基硅烷、γ-苯胺基丙基三甲氧基硅烷和3-巰丙基三甲氧基硅烷中的至少一種。

16.一種上述的封裝芯片用底部填充膠的制備方法，包括如下步驟：

17.將有機(jī)硅雜化環(huán)氧樹脂、固化劑、固化促進(jìn)劑、無機(jī)填料和偶聯(lián)劑攪拌混合，得到環(huán)氧樹脂復(fù)合物；

18.將上述環(huán)氧樹脂復(fù)合物過三輥后研磨三遍，之后再次攪拌，并進(jìn)行抽真空脫泡處理，最后過濾、出料得到所需要的封裝芯片用底部填充膠，所述封裝芯片用底部填充膠包括10wt％～25wt％的有機(jī)硅雜化環(huán)氧樹脂、10wt％～25wt％的固化劑、50wt％～70wt％的無機(jī)填料、0.1wt％～2wt％的固化促進(jìn)劑以及0.1wt％～2wt％的偶聯(lián)劑。

19.這種封裝芯片用底部填充膠包括有機(jī)硅雜化環(huán)氧樹脂、固化劑、無機(jī)填料、偶聯(lián)劑和固化促進(jìn)劑，有機(jī)硅雜化環(huán)氧樹脂具有低表面能，能夠有效降低體系的粘度和流動性，減小固化物的模量、應(yīng)力和吸水率，可以實(shí)現(xiàn)更小球間距更大尺寸封裝芯片的填充。此外，這種封裝芯片用底部填充膠中無機(jī)填料的含量在50wt％以上，可以實(shí)現(xiàn)低介電、低熱膨脹系數(shù)、低吸水率的材料特性，使得封裝芯片用底部填充膠具有低應(yīng)力、高可靠性。

20.結(jié)合測試?yán)糠郑@種封裝芯片用底部填充膠具有低粘度、高流動性、低膨脹系數(shù)、低介電等優(yōu)點(diǎn)，相比較傳統(tǒng)的底部填充膠具有明顯的優(yōu)勢，可以滿足5g移動通訊高密度封裝芯片的低介電、高可靠性應(yīng)用需求。

具體實(shí)施方式

21.下面將對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

22.本發(fā)明公開了一實(shí)施方式的封裝芯片用底部填充膠，包括10wt％～25wt％的有機(jī)硅雜化環(huán)氧樹脂、10wt％～25wt％的固化劑、50wt％～70wt％的無機(jī)填料、0.1wt％～2wt％的固化促進(jìn)劑以及0.1wt％～2wt％的偶聯(lián)劑。

23.這種封裝芯片用底部填充膠包括有機(jī)硅雜化環(huán)氧樹脂、固化劑、無機(jī)填料、偶聯(lián)劑和固化促進(jìn)劑，有機(jī)硅雜化環(huán)氧樹脂具有低表面能，能夠有效降低體系的粘度和流動性，減小固化物的模量、應(yīng)力和吸水率，可以實(shí)現(xiàn)更小球間距更大尺寸封裝芯片的填充。此外，這種封裝芯片用底部填充膠中無機(jī)填料的含量在50wt％以上，可以實(shí)現(xiàn)低介電、低熱膨脹系數(shù)、低吸水率的材料特性，使得封裝芯片用底部填充膠具有低應(yīng)力、高可靠性。

24.結(jié)合測試?yán)糠?，這種封裝芯片用底部填充膠具有低粘度、高流動性、低膨脹系數(shù)、低介電等優(yōu)點(diǎn)，相比較傳統(tǒng)的底部填充膠具有明顯的優(yōu)勢，可以滿足5g移動通訊高密度

封裝芯片的低介電、高可靠性應(yīng)用需求。

25.優(yōu)選的，本實(shí)施方式中，有機(jī)硅雜化環(huán)氧樹脂選自日本信越x-40-2678、日本信越x-40-2669、日本信越x-40-2728、日本信越kr470、廣州一新環(huán)氧基低聚倍半硅氧烷poss101和廣州一新環(huán)氧基低聚倍半硅氧烷poss1010中的至少一種。

26.更優(yōu)選的，本實(shí)施方式中，有機(jī)硅雜化環(huán)氧樹脂為x-40-2669、kr470和poss101的混合物。

27.具體來說，有機(jī)硅雜化環(huán)氧樹脂中，x-40-2669、kr470和poss101的質(zhì)量比為5～9：0.5～8：0.5～3。

28.優(yōu)選的，本實(shí)施方式中，固化劑選自四氫苯酐、甲基四氫苯酐、六氫苯酐、甲基六氫苯酐、納迪克酸酐、甲基納迪克酸酐、偏苯三酸酐和均苯四甲酸二酐中的至少一種。

29.更優(yōu)選的，本實(shí)施方式中，固化劑選自甲基四氫苯酐、甲基納迪克酸酐和均苯四甲酸二酐中的至少一種。

30.優(yōu)選的，本實(shí)施方式中，無機(jī)填料選自球形二氧化硅和球形空心玻璃微珠中的至少一種，球形二氧化硅粒徑為0.1μm～20μm，球形空心玻璃微珠的粒徑為0.1μm～20μm。

31.球形空心玻璃微珠和球形二氧化硅更有利于底部填充膠實(shí)現(xiàn)低介電、低熱膨脹系數(shù)、低吸水率等特性，從而使得底部填充膠具有低應(yīng)力和高可靠性。

32.更優(yōu)選的，本實(shí)施方式中，無機(jī)填料為球形二氧化硅和球形空心玻璃微珠的混合物，球形二氧化硅和球形空心玻璃微珠的質(zhì)量比為5：1～1：5。

33.更優(yōu)選的，本實(shí)施方式中，無機(jī)填料的含量為67wt％。

34.特別優(yōu)選的，本實(shí)施方式中，球形空心玻璃微珠為表面改性的球形空心玻璃微珠，平均粒徑為0.1μm～10μm；球形二氧化硅為表面改性的球形二氧化硅，平均粒徑為0.8μm～5μm。

35.具體來說，上述表面改性的球形空心玻璃微珠和表面改性的球形二氧化硅使用的表面改性劑為硅烷偶聯(lián)劑，優(yōu)選為甲氧基硅烷偶聯(lián)劑，更優(yōu)選為γ-(2,3-環(huán)氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷。

36.優(yōu)選的，本實(shí)施方式中，固化促進(jìn)劑選自乙酰丙酮鋁、乙酰丙酮鈷、三苯基膦、2,4,6-三-(二甲胺基甲基)苯酚1-氰乙基-2-苯基-4,5-二(氰乙基亞甲基)咪唑和十七烷基咪唑中的至少一種。

37.更優(yōu)選的，本實(shí)施方式中，固化促進(jìn)劑選自乙酰丙酮鋁和三苯基膦中的至少一種。

38.優(yōu)選的，本實(shí)施方式中，偶聯(lián)劑選自γ-(2,3-環(huán)氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷、γ-(2,3-環(huán)氧丙氧)丙基三乙氧基硅烷、2-(3,4環(huán)氧環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷、3-氨丙基三甲氧基硅烷、3-氨丙基三乙氧基硅烷、n-2-氨乙基-3-氨丙基三乙氧基硅烷、γ-苯胺基丙基三甲氧基硅烷和3-巰丙基三甲氧基硅烷中的至少一種。

39.更優(yōu)選的，本實(shí)施方式中，偶聯(lián)劑選自γ-(2,3-環(huán)氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷和γ-苯胺基丙基三甲氧基硅烷中的至少一種。

40.本發(fā)明還公開了一實(shí)施方式的上述的封裝芯片用底部填充膠的制備方法，包括如下步驟：

41.將有機(jī)硅雜化環(huán)氧樹脂、固化劑、固化促進(jìn)劑、無機(jī)填料和偶聯(lián)劑攪拌混合，得到環(huán)氧樹脂復(fù)合物。

42.將上述環(huán)氧樹脂復(fù)合物過三輥后研磨三遍，之后再次攪拌，并進(jìn)行抽真空脫泡處理，最后過濾、出料得到所需要的封裝芯片用底部填充膠。

43.封裝芯片用底部填充膠包括10wt％～25wt％的有機(jī)硅雜化環(huán)氧樹脂、10wt％～25wt％的固化劑、50wt％～70wt％的無機(jī)填料、0.1wt％～2wt％的固化促進(jìn)劑以及0.1wt％～2wt％的偶聯(lián)劑。

44.以下為具體實(shí)施例

45.實(shí)施例1

46.s1、將有機(jī)硅雜化環(huán)氧樹脂kr-470(日本信越)100g、x-40-2669(日本信越)100g、固化劑mh-700g(新日本理化)190g、球形空心玻璃微珠(平均粒徑為10μm)100g、球形二氧化硅(平均粒徑為5μm)500g、硅烷偶聯(lián)劑kbm-403(日本信越)9.0g、固化促進(jìn)劑乙酰丙酮鋁1.0g加入到反應(yīng)釜中，以攪拌器轉(zhuǎn)速為50rpm，分散器200～300rpm，進(jìn)行攪拌120min，得到環(huán)氧樹脂復(fù)合物1；

47.s2、將上述環(huán)氧樹脂復(fù)合物1取出，放入三輥研磨機(jī)中進(jìn)行研磨混合三遍，然后轉(zhuǎn)移至雙行星混合動力攪拌釜中攪拌60min，并進(jìn)行抽真空脫泡處理，真空度＜-0.098mpa，最后過濾、出料即可得到封裝芯片用底部填充膠1。

48.實(shí)施例2

49.s1、將有機(jī)硅雜化環(huán)氧樹脂kr-470(日本信越)80g、x-40-2669(日本信越)80g、poss101環(huán)氧基倍半硅氧烷(廣州一新)2.0g、固化劑mh-700g(新日本理化)152g、球形空心玻璃微珠(平均粒徑為5μm)170g、球形二氧化硅(平均粒徑為5μm)500g、硅烷偶聯(lián)劑kbm-403(日本信越)13.2g、固化促進(jìn)劑乙酰丙酮鋁0.8g加入到反應(yīng)釜中，以攪拌器轉(zhuǎn)速為50rpm，分散器200～300rpm，進(jìn)行攪拌120min，得到環(huán)氧樹脂復(fù)合物2；

50.s2、將上述環(huán)氧樹脂復(fù)合物2取出，放入三輥研磨機(jī)中進(jìn)行研磨混合三遍，然后轉(zhuǎn)移至雙行星混合動力攪拌釜中攪拌60min，并進(jìn)行抽真空脫泡處理，真空度＜-0.098mpa，最后過濾、出料即可得到封裝芯片用底部填充膠2。

51.實(shí)施例3

52.s1、將有機(jī)硅雜化環(huán)氧樹脂kr-470(日本信越)58g、x-40-2669(日本信越)80g、poss101環(huán)氧基倍半硅氧烷(廣州一新)20g、固化劑甲基納迪克酸酐160g、球形空心玻璃微珠(平均粒徑為5μm)170g、球形二氧化硅(平均粒徑為5μm)500g、硅烷偶聯(lián)劑kbm-573(日本信越)10.0、固化促進(jìn)劑三苯基膦2.0g加入到反應(yīng)釜中，以攪拌器轉(zhuǎn)速為50rpm，分散器200～300rpm，進(jìn)行攪拌120min，得到環(huán)氧樹脂復(fù)合物3；

53.s2、將上述環(huán)氧樹脂復(fù)合物3取出，放入三輥研磨機(jī)中進(jìn)行研磨混合三遍，然后轉(zhuǎn)移至雙行星混合動力攪拌釜中攪拌60min，并進(jìn)行抽真空脫泡處理，真空度＜-0.098mpa，最后過濾、出料即可得到封裝芯片用底部填充膠3。

54.實(shí)施例4

55.s1、將有機(jī)硅雜化環(huán)氧樹脂kr-470(日本信越)30g、x-40-2678(日本信越)90g、poss1010環(huán)氧基倍半硅氧烷30g、甲基納迪克酸酐145g、球形空心玻璃微珠(平均粒徑為5μm)200g、球形二氧化硅(平均粒徑為5μm)500g、硅烷偶聯(lián)劑kbm-573(日本信越)15g、固化促進(jìn)劑乙酰丙酮鋁0.5g加入到反應(yīng)釜中，以攪拌器轉(zhuǎn)速為50rpm，分散器200～300rpm，進(jìn)行攪拌120min，得到環(huán)氧樹脂復(fù)合物4；

56.s2、將上述環(huán)氧樹脂復(fù)合物4取出，放入三輥研磨機(jī)中進(jìn)行研磨混合三遍，然后轉(zhuǎn)移至雙行星混合動力攪拌釜中攪拌60min，并進(jìn)行抽真空脫泡處理，真空度＜-0.098mpa，最后過濾、出料即可得到封裝芯片用底部填充膠4。

57.實(shí)施例5

58.s1、將有機(jī)硅雜化環(huán)氧樹脂x-40-2728(日本信越)50g、x-40-2669(日本信越)50g、poss1010環(huán)氧基倍半硅氧烷(廣州一新)77g、固化劑甲基四氫苯酐150g、均苯四甲酸二酐10g、球形空心玻璃微珠(平均粒徑為5μm)450、球形二氧化硅(平均粒徑為2μm)200g、硅烷偶聯(lián)劑kbm-403(日本信越)12g、固化促進(jìn)劑乙酰丙酮鋁1.0g加入到反應(yīng)釜中，以攪拌器轉(zhuǎn)速為50rpm，分散器200～300rpm，進(jìn)行攪拌120min，得到環(huán)氧樹脂復(fù)合物5；

59.s2、將上述環(huán)氧樹脂復(fù)合物5取出，放入三輥研磨機(jī)中進(jìn)行研磨混合三遍，然后轉(zhuǎn)移至雙行星混合動力攪拌釜中攪拌60min，并進(jìn)行抽真空脫泡處理，真空度＜-0.098mpa，最后過濾、出料即可得到封裝芯片用底部填充膠5。

60.對比例1

61.s1、將雙酚f雙縮水甘油醚180g、端環(huán)氧基聚丁二烯45g、mh-700g(新日本理化)165g、二氧化硅(平均粒徑為5μm)600g、硅烷偶聯(lián)劑kbm-403(日本信越)10g、炭黑0.5g加入到反應(yīng)釜中，以攪拌器轉(zhuǎn)速為50rpm，分散器200～300rpm，進(jìn)行攪拌120min，得到環(huán)氧樹脂復(fù)合物6；

62.s2、將上述環(huán)氧樹脂復(fù)合物6取出，放入三輥研磨機(jī)中進(jìn)行研磨混合三遍，然后轉(zhuǎn)移至雙行星混合動力攪拌釜中攪拌60min，并進(jìn)行抽真空脫泡處理，真空度＜-0.098mpa，最后過濾、出料即可得到參比環(huán)氧樹脂底部填充膠1。

63.對比例2

64.s1、將雙酚f雙縮水甘油醚250g、液體聚丁二烯(evonik polyoil 110)50g、間苯二胺90g、二氧化硅(平均粒徑為5μm)600g、硅烷偶聯(lián)劑kbm-403(日本信越)5g、炭黑5g加入到反應(yīng)釜中，以攪拌器轉(zhuǎn)速為50rpm，分散器200～300rpm，進(jìn)行攪拌120min，得到環(huán)氧樹脂復(fù)合物7；

65.s2、將上述環(huán)氧樹脂復(fù)合物7取出，放入三輥研磨機(jī)中進(jìn)行研磨混合三遍，然后轉(zhuǎn)移至雙行星混合動力攪拌釜中攪拌60min，并進(jìn)行抽真空脫泡處理，真空度＜-0.098mpa，最后過濾、出料即可得到參比環(huán)氧樹脂底部填充膠2。

66.測試?yán)?br />
67.通過下面的試驗(yàn)對上述實(shí)施例1～5制得的封裝芯片用底部填充膠以及對比例1～2制得的參比環(huán)氧樹脂底部填充膠的性能進(jìn)行測試，得到表1。

68.粘度測試：使用brookfield旋轉(zhuǎn)粘度計，溫度25℃，轉(zhuǎn)子為52#轉(zhuǎn)子，間隙0.2mm，轉(zhuǎn)速為10rpm下測試粘度值。

69.流動時間測試：使用兩平行玻璃板，間隙50um，記錄膠水流動到30mm位置的時間。

70.粘接強(qiáng)度測試：在fr-4上點(diǎn)膠0.2mg膠水，再在其上貼1mm硅芯片，在室溫下放置5min，在進(jìn)行固化，固化之后采用dage4000測試推力，即可得到粘接強(qiáng)度。

71.玻璃化轉(zhuǎn)變溫度tg測試：采用dsc法測試，樣品10mg放入設(shè)備中，溫度從25℃～300℃，升溫速度為10℃/min，得到的曲線中經(jīng)過分析即可得到tg數(shù)據(jù)。

72.線性熱膨脹系數(shù)cte測試：按照標(biāo)準(zhǔn)(astm d696-79)標(biāo)準(zhǔn)測試，采用日立tma7300

設(shè)備，檢測溫度范圍為25℃～300℃，升溫速度5℃/min，式樣尺寸：φ6mm,長度3mm。

73.模量測試方法：利用dma7100動態(tài)熱機(jī)械分析儀，采用三點(diǎn)彎曲的方法，設(shè)置頻率為2hz，檢測溫度范圍為25℃～300℃，升溫速度5℃/min，式樣尺寸：70mm*12mm*3mm。

74.介電常數(shù)測定：使用射頻阻抗材料分析儀，測試頻率106hz，按照gb/t1409-2006測試標(biāo)準(zhǔn)，將上述實(shí)施例樣品進(jìn)行介電常數(shù)測試。

75.雙85可靠性測試，按照標(biāo)準(zhǔn)(gb/t5170.5-2008)測試，利用濕熱老化試驗(yàn)機(jī)，溫度85℃，濕度85％rh，時間1000h。

76.表1

[0077][0078][0079]

對比表1中的測試結(jié)果，首先可以發(fā)現(xiàn)對比例1～2制得的參比環(huán)氧樹脂底部填充膠，其流動速度慢，相同的流動長度用時超過220s，而實(shí)施例1～5制得的封裝芯片用底部填充膠的用時縮短至140s左右，最快達(dá)可至112s，相對流動速度則提升一倍，則說明本發(fā)明制備的底部填充膠具有較好的流動性和填充性，這主要由于有機(jī)硅雜化環(huán)氧樹脂具有較低的

表面能，易于在固體界面鋪展擴(kuò)散。

[0080]

此外，實(shí)施例1～5固化物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度在150℃左右，明顯比對比例1和2固化物的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度115℃和124℃高，這則由于有機(jī)硅雜化環(huán)氧樹脂具有多官能團(tuán)特性，使得固化物交聯(lián)密度提升，賦予材料較高的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度和耐溫性。

[0081]

同時，實(shí)施例1～5制得的封裝芯片用底部填充膠的模量在5.1～6.9gpa，相對對比例的7.6gpa和8.1gpa，模量有所降低；除此之外，還發(fā)現(xiàn)引入球形空心玻璃微珠和有機(jī)硅組成后，固化物的介電常數(shù)大幅度降低，并具有較低的楊式模量和吸水率，經(jīng)過1000h的濕熱老化之后，沒有開裂剝離，仍可正常工作，這主要是由于有機(jī)硅雜化環(huán)氧樹脂結(jié)構(gòu)中硅氧鍵，其鍵長比環(huán)氧樹脂中的c-c鍵鍵長長，有利于聚合物分子鏈段的運(yùn)動，吸收溫沖等環(huán)境下產(chǎn)生的應(yīng)力，減少對芯片的破壞，提升器件的可靠性。

[0082]

實(shí)施例1～5制得的封裝芯片用底部填充膠比較適用于大尺寸芯片封裝(csp)、球柵陣列封裝(bga)等封裝用底部填充，大大增加封裝效率、可靠性和長期使用性。

[0083]

以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對申請專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。技術(shù)特征：

1.一種封裝芯片用底部填充膠，其特征在于，包括10wt％～25wt％的有機(jī)硅雜化環(huán)氧樹脂、10wt％～25wt％的固化劑、50wt％～70wt％的無機(jī)填料、0.1wt％～2wt％的固化促進(jìn)劑以及0.1wt％～2wt％的偶聯(lián)劑。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝芯片用底部填充膠，其特征在于，所述有機(jī)硅雜化環(huán)氧樹脂選自x-40-2678、x-40-2669、x-40-2728、kr470、poss101和poss1010中的至少一種。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的封裝芯片用底部填充膠，其特征在于，所述有機(jī)硅雜化環(huán)氧樹脂為x-40-2669、kr470和poss101的混合物。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的封裝芯片用底部填充膠，其特征在于，x-40-2669、kr470和poss101的質(zhì)量比為5～9：0.5～8：0.5～3。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝芯片用底部填充膠，其特征在于，所述固化劑選自四氫苯酐、甲基四氫苯酐、六氫苯酐、甲基六氫苯酐、納迪克酸酐、甲基納迪克酸酐、偏苯三酸酐和均苯四甲酸二酐中的至少一種。6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任意一項所述的封裝芯片用底部填充膠，其特征在于，所述無機(jī)填料選自球形二氧化硅和球形空心玻璃微珠中的至少一種，所述球形二氧化硅粒徑為0.1μm～20μm，所述球形空心玻璃微珠的粒徑為0.1μm～20μm。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的封裝芯片用底部填充膠，其特征在于，所述無機(jī)填料為所述球形二氧化硅和所述球形空心玻璃微珠的混合物，所述球形二氧化硅和所述球形空心玻璃微珠的質(zhì)量比為5：1～1：5。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的封裝芯片用底部填充膠，其特征在于，所述固化促進(jìn)劑選自乙酰丙酮鋁、乙酰丙酮鈷、三苯基膦、2,4,6-三-(二甲胺基甲基)苯酚1-氰乙基-2-苯基-4,5-二(氰乙基亞甲基)咪唑和十七烷基咪唑中的至少一種。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的封裝芯片用底部填充膠，其特征在于，所述偶聯(lián)劑選自γ-(2,3-環(huán)氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷、γ-(2,3-環(huán)氧丙氧)丙基三乙氧基硅烷、2-(3,4環(huán)氧環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷、3-氨丙基三甲氧基硅烷、3-氨丙基三乙氧基硅烷、n-2-氨乙基-3-氨丙基三乙氧基硅烷、γ-苯胺基丙基三甲氧基硅烷和3-巰丙基三甲氧基硅烷中的至少一種。10.一種權(quán)利要求1～9中任意一項所述的封裝芯片用底部填充膠的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：將有機(jī)硅雜化環(huán)氧樹脂、固化劑、固化促進(jìn)劑、無機(jī)填料和偶聯(lián)劑攪拌混合，得到環(huán)氧樹脂復(fù)合物；將上述環(huán)氧樹脂復(fù)合物過三輥后研磨三遍，之后再次攪拌，并進(jìn)行抽真空脫泡處理，最后過濾、出料得到所需要的封裝芯片用底部填充膠，所述封裝芯片用底部填充膠包括10wt％～25wt％的有機(jī)硅雜化環(huán)氧樹脂、10wt％～25wt％的固化劑、50wt％～70wt％的無機(jī)填料、0.1wt％～2wt％的固化促進(jìn)劑以及0.1wt％～2wt％的偶聯(lián)劑。

技術(shù)總結(jié)

本發(fā)明公開了一種封裝芯片用底部填充膠及其制備方法，封裝芯片用底部填充膠包括10wt％～25wt％的有機(jī)硅雜化環(huán)氧樹脂、10wt％～25wt％的固化劑、50wt％～70wt％的無機(jī)填料、0.1wt％～2wt％的固化促進(jìn)劑以及0.1wt％～2wt％的偶聯(lián)劑。這種封裝芯片用底部填充膠包括有機(jī)硅雜化環(huán)氧樹脂、固化劑、無機(jī)填料、偶聯(lián)劑和固化促進(jìn)劑，有機(jī)硅雜化環(huán)氧樹脂具有低表面能，能夠有效降低體系的粘度和流動性，減小固化物的模量、應(yīng)力和吸水率，可以實(shí)現(xiàn)更小球間距更大尺寸封裝芯片的填充。此外，這種封裝芯片用底部填充膠中無機(jī)填料的含量在50wt％以上，可以實(shí)現(xiàn)低介電、低熱膨脹系數(shù)、低吸水率的材料特性，使得封裝芯片用底部填充膠具有低應(yīng)力、高可靠性。高可靠性。

技術(shù)研發(fā)人員：蔣章永 李偉

受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳市漢思新材料科技有限公司

技術(shù)研發(fā)日：2023.02.23

技術(shù)公布日：2023/5/5