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鎳酸鑭導電金屬氧化物納米薄膜的制備方法

1096 編輯：管理員來源：中冶有色技術網

2023-03-18 14:28:59

一種鎳酸鑭導電金屬氧化物納米薄膜的制備方法，該方法包括：一、靶材的制備，即首先把分析純的Ni2O3、La2O3氧化物粉末以1∶1的比例混合，進行預燒，預燒后之后進行球磨，然后壓成直徑50mm，厚度4mm的圓片，最后在1050～1150℃度高溫中燒結成陶瓷靶；二、薄膜材料的制備，即采用射頻磁控濺射法，調整好濺射機的各項參數，襯底原位加熱到一定溫度后，濺射沉積所需厚度的薄膜。本發(fā)明的方法制得的薄膜具有高度的擇優(yōu)取向和良好的導電性，表面致密平整，在室溫下的電阻率約為1mΩcm。這種薄膜可以用作制備高質量鈣鈦礦結構鐵電薄膜材料的緩沖層，或者可作為鐵電薄膜器件的底電極。

聲明：

“鎳酸鑭導電金屬氧化物納米薄膜的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)