1.本發(fā)明涉及數(shù)據(jù)處理技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種多晶硅還原爐的參數(shù)配置方法、裝置、終端設(shè)備及介質(zhì)。

背景技術(shù)：

2.多晶硅是光伏產(chǎn)業(yè)的主要原料，在雙碳政策下的能源結(jié)構(gòu)調(diào)整中發(fā)揮重要作用。還原爐是多晶硅行業(yè)中的核心設(shè)備，用于氫氣和三氯氫硅在通電高溫硅芯上進(jìn)行沉積反應(yīng)生成多晶硅產(chǎn)品。

3.相關(guān)技術(shù)中，對于每個還原爐，需要用戶在dcs系統(tǒng)中人工手動、三氯氫硅進(jìn)料量，另外，還需要在plc系統(tǒng)中人工手動輸入內(nèi)、中、外三圈電壓和電流設(shè)定值，以控制還原爐。

4.但是，相關(guān)技術(shù)中，需要用戶分別在dcs系統(tǒng)和在plc系統(tǒng)中人工手動輸入?yún)?shù)，浪費了不必要的人力資源，降低了用戶體驗。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

5.本發(fā)明的目的在于，針對上述現(xiàn)有技術(shù)中的不足，提供一種多晶硅還原爐的參數(shù)配置方法、裝置、終端設(shè)備及介質(zhì)，以便解決相關(guān)技術(shù)中，需要用戶分別在dcs系統(tǒng)和在plc系統(tǒng)中人工手動輸入?yún)?shù)，浪費了不必要的人力資源，降低了用戶體驗的問題。

6.為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明實施例采用的技術(shù)方案如下：

7.第一方面，本發(fā)明實施例提供了一種多晶硅還原爐的參數(shù)配置方法，所述方法包括：

8.顯示多晶硅還原爐的多組參數(shù)，其中，每組參數(shù)包括：進(jìn)料參數(shù)，以及工作電參數(shù)；

9.響應(yīng)輸入的針對所述多組參數(shù)中一組目標(biāo)參數(shù)的選擇操作，確定所述目標(biāo)參數(shù)為目標(biāo)多晶硅還原爐的控制參數(shù)，以根據(jù)所述進(jìn)料參數(shù)，控制所述目標(biāo)多晶硅還原爐以所述工作電參數(shù)進(jìn)行運行。

10.可選的，所述方法還包括：

11.在所述目標(biāo)多晶硅還原爐對應(yīng)的顯示區(qū)域內(nèi)，顯示所述目標(biāo)參數(shù)；

12.響應(yīng)輸入的針對所述目標(biāo)參數(shù)的修改操作，修改所述目標(biāo)參數(shù)，得到修改后的目標(biāo)參數(shù)；

13.將所述修改后的目標(biāo)參數(shù)確定為所述目標(biāo)多晶硅還原爐的最新控制參數(shù)。

14.可選的，所述在所述目標(biāo)多晶硅還原爐對應(yīng)的顯示區(qū)域內(nèi)，顯示所述目標(biāo)參數(shù)，包括：

15.在所述目標(biāo)多晶硅還原爐對應(yīng)的顯示區(qū)域內(nèi)分頁顯示所述目標(biāo)參數(shù)。

16.可選的，將所述修改后的目標(biāo)參數(shù)確定為所述目標(biāo)多晶硅還原爐的最新控制參數(shù)，包括：

17.若所述錄入控件處于觸發(fā)狀態(tài)，響應(yīng)輸入的針對保存控件的選擇操作，將所述修改后的目標(biāo)參數(shù)確定為所述目標(biāo)多晶硅還原爐的最新控制參數(shù)。

18.可選的，所述方法還包括：

19.若所述錄入控件為未觸發(fā)狀態(tài)，將所述目標(biāo)參數(shù)設(shè)置為不可修改狀態(tài)。

20.可選的，所述將所述修改后的目標(biāo)參數(shù)確定為所述目標(biāo)多晶硅還原爐的最新控制參數(shù)，包括：

21.若所述修改后的目標(biāo)參數(shù)中目標(biāo)參數(shù)值大于第一預(yù)設(shè)閾值，則將所述目標(biāo)參數(shù)值替換為所述第一預(yù)設(shè)閾值，作為所述目標(biāo)多晶硅還原爐的控制信息；

22.若所述修改后的目標(biāo)參數(shù)中目標(biāo)參數(shù)值小于第二預(yù)設(shè)閾值，則將所述目標(biāo)參數(shù)值替換為所述第二預(yù)設(shè)閾值，作為所述目標(biāo)多晶硅還原爐的控制信息。

23.可選的，所述方法還包括：

24.顯示所述目標(biāo)多晶硅還原爐的當(dāng)前控制參數(shù)和運行狀態(tài)信息。

25.第二方面，本發(fā)明實施例還提供了一種多晶硅還原爐的參數(shù)配置裝置，所述裝置包括：

26.顯示模塊，用于顯示多晶硅還原爐的多組參數(shù)，其中，每組參數(shù)包括：進(jìn)料參數(shù)，以及工作電參數(shù)；

27.確定模塊，用于響應(yīng)輸入的針對所述多組參數(shù)中一組目標(biāo)參數(shù)的選擇操作，確定所述目標(biāo)參數(shù)為目標(biāo)多晶硅還原爐的控制參數(shù)，以根據(jù)所述進(jìn)料參數(shù)，控制所述目標(biāo)多晶硅還原爐以所述工作電參數(shù)進(jìn)行運行。

28.可選的，所述裝置還包括：

29.第一顯示模塊，用于在所述目標(biāo)多晶硅還原爐對應(yīng)的顯示區(qū)域內(nèi)，顯示所述目標(biāo)參數(shù)；

30.獲取模塊，用于響應(yīng)輸入的針對所述目標(biāo)參數(shù)的修改操作，修改所述目標(biāo)參數(shù)，得到修改后的目標(biāo)參數(shù)；

31.第一確定模塊，用于將所述修改后的目標(biāo)參數(shù)確定為所述目標(biāo)多晶硅還原爐的最新控制參數(shù)。

32.可選的，所述第一顯示模塊，還用于在所述目標(biāo)多晶硅還原爐對應(yīng)的顯示區(qū)域內(nèi)分頁顯示所述目標(biāo)參數(shù)。

33.可選的，所述第一確定模塊，還用于若所述錄入控件處于觸發(fā)狀態(tài)，響應(yīng)輸入的針對保存控件的選擇操作，將所述修改后的目標(biāo)參數(shù)確定為所述目標(biāo)多晶硅還原爐的最新控制參數(shù)。

34.可選的，所述裝置還包括：

35.設(shè)置模塊，用于若所述錄入控件為未觸發(fā)狀態(tài)，將所述目標(biāo)參數(shù)設(shè)置為不可修改狀態(tài)。

36.可選的，所述第一確定模塊，還用于若所述修改后的參數(shù)中目標(biāo)參數(shù)值大于第一預(yù)設(shè)閾值，則將所述目標(biāo)參數(shù)值替換為所述第一預(yù)設(shè)閾值，作為所述目標(biāo)多晶硅還原爐的控制信息；若所述修改后的目標(biāo)參數(shù)中目標(biāo)參數(shù)值小于第二預(yù)設(shè)閾值，則將所述目標(biāo)參數(shù)值替換為所述第二預(yù)設(shè)閾值，作為所述目標(biāo)多晶硅還原爐的控制信息。

37.可選的，所述裝置還包括：

38.第二顯示模塊，用于顯示所述目標(biāo)多晶硅還原爐的當(dāng)前控制參數(shù)和運行狀態(tài)信息。

39.第三方面，本發(fā)明實施例還提供了一種終端設(shè)備，包括：存儲器和處理器，所述存儲器存儲有所述處理器可執(zhí)行的計算機(jī)程序，所述處理器執(zhí)行所述計算機(jī)程序時實現(xiàn)上述第一方面任一項所述的多晶硅還原爐的參數(shù)配置方法。

40.第四方面，本發(fā)明實施例還提供了一種存儲介質(zhì)，所述存儲介質(zhì)上存儲有計算機(jī)程序，所述計算機(jī)程序被讀取并執(zhí)行時，實現(xiàn)上述第一方面任一項所述的多晶硅還原爐的參數(shù)配置方法。

41.本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明實施例提供一種多晶硅還原爐的參數(shù)配置方法，包括：顯示多晶硅還原爐的多組參數(shù)，其中，每組參數(shù)包括：進(jìn)料參數(shù)，以及工作電參數(shù)；響應(yīng)輸入的針對多組參數(shù)中一組目標(biāo)參數(shù)的選擇操作，確定目標(biāo)參數(shù)為目標(biāo)多晶硅還原爐的控制參數(shù)，以根據(jù)進(jìn)料參數(shù)，控制目標(biāo)多晶硅還原爐以工作電參數(shù)進(jìn)行運行。顯示多晶硅還原爐的多組參數(shù)，響應(yīng)輸入的針對多組參數(shù)中一組目標(biāo)參數(shù)的選擇操作，便可以確定目標(biāo)參數(shù)為目標(biāo)多晶硅還原爐的控制參數(shù)，僅需要輸入選擇操作，便可以實現(xiàn)對于多晶硅還原爐的參數(shù)設(shè)備，節(jié)省了人力資源，還提高了用戶體驗。

附圖說明

42.為了更清楚地說明本發(fā)明實施例的技術(shù)方案，下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，應(yīng)當(dāng)理解，以下附圖僅示出了本發(fā)明的某些實施例，因此不應(yīng)被看作是對范圍的限定，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他相關(guān)的附圖。

43.圖1為本發(fā)明實施例提供的一種多晶硅還原爐的參數(shù)配置方法的流程示意圖；

44.圖2為本發(fā)明實施例提供的一種多晶硅還原爐的參數(shù)配置方法的流程示意圖；

45.圖3為本發(fā)明實施例提供的一種多晶硅還原爐的參數(shù)配置裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；

46.圖4為本發(fā)明實施例提供的一種終端設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

47.為使本發(fā)明實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。

48.因此，以下對在附圖中提供的本技術(shù)的實施例的詳細(xì)描述并非旨在限制要求保護(hù)的本技術(shù)的范圍，而是僅僅表示本技術(shù)的選定實施例?；诒炯夹g(shù)中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本技術(shù)保護(hù)的范圍。

49.在本技術(shù)的描述中，需要說明的是，若出現(xiàn)術(shù)語“上”、“下”、等指示的方位或位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，或者是該申請產(chǎn)品使用時慣常擺放的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本技術(shù)和簡化描述，而不是指示或暗示所指的裝置或元件必須具有特定的方位、以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對本技術(shù)的限制。

50.此外，本發(fā)明的說明書和權(quán)利要求書及上述附圖中的術(shù)語“第一”、“第二”等是用于區(qū)別類似的對象，而不必用于描述特定的順序或先后次序。應(yīng)該理解這樣使用的數(shù)據(jù)在適當(dāng)情況下可以互換，以便這里描述的本發(fā)明的實施例能夠以除了在這里圖示或描述的那

些以外的順序?qū)嵤４送?，術(shù)語“包括”和“具有”以及他們的任何變形，意圖在于覆蓋不排他的包含，例如，包含了一系列步驟或單元的過程、方法、系統(tǒng)、產(chǎn)品或設(shè)備不必限于清楚地列出的那些步驟或單元，而是可包括沒有清楚地列出的或?qū)τ谶@些過程、方法、產(chǎn)品或設(shè)備固有的其它步驟或單元。

51.需要說明的是，在不沖突的情況下，本技術(shù)的實施例中的特征可以相互結(jié)合。

52.多晶硅是光伏產(chǎn)業(yè)的主要原料，在雙碳政策下的能源結(jié)構(gòu)調(diào)整中發(fā)揮重要作用。還原爐是多晶硅行業(yè)中的核心設(shè)備，用于氫氣和三氯氫硅在通電高溫硅芯上進(jìn)行沉積反應(yīng)生成多晶硅產(chǎn)品。

53.相關(guān)技術(shù)中，對于每個還原爐，需要用戶在dcs系統(tǒng)中人工手動、三氯氫硅進(jìn)料量，另外，還需要在plc系統(tǒng)中人工手動輸入內(nèi)、中、外三圈電壓和電流設(shè)定值，以控制還原爐。但是，相關(guān)技術(shù)中，需要用戶分別在dcs系統(tǒng)和在plc系統(tǒng)中人工手動輸入?yún)?shù)，浪費了不必要的人力資源，降低了用戶體驗。

54.針對相關(guān)技術(shù)中存在的該技術(shù)問題，本技術(shù)實施例提供一種多晶硅還原爐的參數(shù)配置方法，顯示多晶硅還原爐的多組參數(shù)，響應(yīng)輸入的針對多組參數(shù)中一組目標(biāo)參數(shù)的選擇操作，便可以確定目標(biāo)參數(shù)為目標(biāo)多晶硅還原爐的控制參數(shù)，僅需要輸入選擇操作，便可以實現(xiàn)對于多晶硅還原爐的參數(shù)設(shè)備，節(jié)省了人力資源，還提高了用戶體驗。而且，可以在一個系統(tǒng)中配置進(jìn)料參數(shù)，以及工作電參數(shù)，無需在不同的系統(tǒng)中進(jìn)行參數(shù)配置，使得多晶硅還原爐的參數(shù)配置更加便捷、靈活。

55.本技術(shù)實施例提供一種多晶硅還原爐的參數(shù)配置方法，其執(zhí)行主體可以為終端設(shè)備，該終端設(shè)備可以為下述設(shè)備中的任意一種：臺式電腦、筆記本電腦、平板電腦、智能手機(jī)。

56.以下以終端為執(zhí)行主體對本技術(shù)實施例提供的一種多晶硅還原爐的參數(shù)配置方法進(jìn)行解釋說明。

57.圖1為本發(fā)明實施例提供的一種多晶硅還原爐的參數(shù)配置方法的流程示意圖，如圖1所示，該方法可以包括：

58.s101、顯示多晶硅還原爐的多組參數(shù)。

59.其中，每組參數(shù)包括：進(jìn)料參數(shù)，以及工作電參數(shù)。

60.在本技術(shù)實施例中，進(jìn)料參數(shù)可以包括：氫氣、三氯氫硅的進(jìn)料量；工作電參數(shù)可以包括：內(nèi)、中、外三圈電壓和電流設(shè)定值。

61.在一些實施方式中，終端中可以預(yù)先存儲有多晶硅還原爐的多組參數(shù)，繼而終端可以顯示該多晶硅還原爐的多組參數(shù)；每組參數(shù)均可以用于對多晶硅還原爐進(jìn)行控制，一組參數(shù)對應(yīng)一種控制方式。

62.需要說明的是，多晶硅還原爐的多組參數(shù)可以以數(shù)組的形式進(jìn)行存儲，當(dāng)然也可以以其他形式進(jìn)行存儲，例如，可以以表格形式存儲，本技術(shù)實施例對此不進(jìn)行具體限制。

63.s102、響應(yīng)輸入的針對多組參數(shù)中一組目標(biāo)參數(shù)的選擇操作，確定目標(biāo)參數(shù)為目標(biāo)多晶硅還原爐的控制參數(shù)，以根據(jù)進(jìn)料參數(shù)，控制目標(biāo)多晶硅還原爐以工作電參數(shù)進(jìn)行運行。

64.其中，用戶可以根據(jù)多晶硅還原爐的實際生產(chǎn)多晶硅的需求，從多組參數(shù)中確定出目標(biāo)參數(shù)，繼而輸入選擇操作。

65.在本技術(shù)實施例中，終端可以直接控制多晶硅還原爐，終端可以根據(jù)進(jìn)料參數(shù)，控制目標(biāo)多晶硅還原爐以工作電參數(shù)進(jìn)行運行；終端也可以不直接控制多晶硅還原爐，終端可以向控制設(shè)備發(fā)送進(jìn)料參數(shù)，控制設(shè)備可以接收該進(jìn)料參數(shù)，并根據(jù)進(jìn)料參數(shù)，控制目標(biāo)多晶硅還原爐以工作電參數(shù)進(jìn)行運行。

66.可選的，終端可以將對應(yīng)氫氣和三氯氫硅流量賦值給調(diào)節(jié)回路的給定值參與pid(比例、積分、微分調(diào)節(jié)器)調(diào)節(jié)；將對應(yīng)內(nèi)中外三圈的電壓和電流值以模擬量輸出信號方式或者以通訊方式輸出給plc(可編程邏輯控制器)系統(tǒng)作為設(shè)定值。

67.需要說明的是，選擇操作可以為觸控操作，當(dāng)然，選擇操作還可以為采用終端的外接設(shè)備所輸入的操作，例如，外接設(shè)備可以為鼠標(biāo)和/或鍵盤。

68.另外，采用上述s101和s103可以實現(xiàn)配置對不同目標(biāo)多晶硅還原爐的參數(shù)配置，即可以實現(xiàn)對至少一個多晶硅還原爐的配置，不同的多晶硅還原爐所配置的參數(shù)可以相同，也可以不同。

69.綜上所述，本發(fā)明實施例提供一種多晶硅還原爐的參數(shù)配置方法，包括：顯示多晶硅還原爐的多組參數(shù)，其中，每組參數(shù)包括：進(jìn)料參數(shù)，以及工作電參數(shù)；響應(yīng)輸入的針對多組參數(shù)中一組目標(biāo)參數(shù)的選擇操作，確定目標(biāo)參數(shù)為目標(biāo)多晶硅還原爐的控制參數(shù)，以根據(jù)進(jìn)料參數(shù)，控制目標(biāo)多晶硅還原爐以工作電參數(shù)進(jìn)行運行。顯示多晶硅還原爐的多組參數(shù)，響應(yīng)輸入的針對多組參數(shù)中一組目標(biāo)參數(shù)的選擇操作，便可以確定目標(biāo)參數(shù)為目標(biāo)多晶硅還原爐的控制參數(shù)，僅需要輸入選擇操作，便可以實現(xiàn)對于多晶硅還原爐的參數(shù)設(shè)備，節(jié)省了人力資源，還提高了用戶體驗。

70.而且，可以在一個系統(tǒng)中配置進(jìn)料參數(shù)，以及工作電參數(shù)，無需在不同的系統(tǒng)中進(jìn)行參數(shù)配置，使得多晶硅還原爐的參數(shù)配置更加便捷、靈活。

71.其中，目標(biāo)參數(shù)也可以稱為目標(biāo)還原爐的控制曲線。

72.在本技術(shù)實施例中，終端上可以預(yù)設(shè)有虛擬單元，虛擬單元可以包括：功能塊編寫單元、程序頁應(yīng)用單元、上位機(jī)操作控制單元。

73.其中，功能塊編寫單元可以采用st(structured text，結(jié)構(gòu)化文本編寫語言)編寫完成，可以將編寫的st程序代碼封裝為fbd功能塊。程序頁引用單元用于通過引用功能塊實現(xiàn)全自動進(jìn)料曲線控制程序組態(tài)，包括位號表定義變量、功能塊引用賦值。上位機(jī)操作控制單元用于實現(xiàn)流程圖界面的顯示以及操控控件等。

74.在一些實施方式中，在位號表中定義變量與輸入輸出變量、別名變量一致；將定義的變量接入fbd功能塊對應(yīng)的各引腳中，即完成功能塊引用賦值。其中，多晶硅還原爐的多組參數(shù)可以預(yù)設(shè)在功能塊中。

75.可選的，圖2為本發(fā)明實施例提供的一種多晶硅還原爐的參數(shù)配置方法的流程示意圖，如圖2所示，該方法還可以包括：

76.s201、在目標(biāo)多晶硅還原爐對應(yīng)的顯示區(qū)域內(nèi)，顯示目標(biāo)參數(shù)。

77.其中，不同的多晶硅還原爐可以對應(yīng)不同的顯示區(qū)域。

78.在一些實施方式中，終端確定目標(biāo)多晶硅還原爐對應(yīng)的顯示區(qū)域內(nèi)，在該顯示區(qū)域內(nèi)繪制表格，將目標(biāo)參數(shù)填充在表格內(nèi)，以表格的形式顯示目標(biāo)參數(shù)。

79.另外，不同多晶硅還原爐的顯示區(qū)域可以設(shè)置在同一界面中，也可以設(shè)置在不同界面中。

80.s202、響應(yīng)輸入的針對目標(biāo)參數(shù)的修改操作，修改目標(biāo)參數(shù)，得到修改后的目標(biāo)參數(shù)。

81.其中，一組目標(biāo)參數(shù)中可以包括：多個子參數(shù)。用戶可以根據(jù)實際需求選擇性的修改多個子參數(shù)中的部分子參數(shù)。

82.在一些實施方式中，當(dāng)用戶需要修改目標(biāo)參數(shù)中的目標(biāo)子參數(shù)時，可以輸入針對目標(biāo)參數(shù)中目標(biāo)子參數(shù)的刪除操作；終端可以響應(yīng)該刪除操作，刪除目標(biāo)子參數(shù)；用戶可以在原目標(biāo)子參數(shù)的所在位置輸入新的參數(shù)，終端可以響應(yīng)該輸入操作，得到修改后的目標(biāo)子參數(shù)，繼而得到修改后的目標(biāo)參數(shù)。

83.可選的，終端可以每間隔預(yù)設(shè)時長，保存一次修改后的目標(biāo)參數(shù)。

84.s203、將修改后的目標(biāo)參數(shù)確定為目標(biāo)多晶硅還原爐的最新控制參數(shù)。

85.在本技術(shù)實施例中，終端可以將保存后的修改后的目標(biāo)參數(shù)確定為目標(biāo)多晶硅還原爐的最新控制參數(shù)；終端可以根據(jù)最新控制參數(shù)中的進(jìn)料參數(shù)，控制目標(biāo)多晶硅還原爐以最新控制參數(shù)中的工作電參數(shù)進(jìn)行運行。

86.可選的，上位機(jī)操作控制單元中可以包括：數(shù)據(jù)表格的設(shè)置。每臺還原爐采用一組曲線(目標(biāo)參數(shù))，按用戶設(shè)定的時間參數(shù)將曲線分割成m個時間坐標(biāo)，以p頁顯示，則單頁顯示m/p個時間數(shù)值作為表格的時間行，另外設(shè)置氫氣流量、三氯化硅流量、內(nèi)圈電流、中圈電流、外圈電流行，每行的數(shù)值為時間行對應(yīng)的生成曲線設(shè)定值，即最終可以以時間為橫坐標(biāo)生成多條曲線。

87.另外，可以將單頁時間和對應(yīng)參數(shù)以表格形式展示，操作員可在“錄入”狀態(tài)下對表格中數(shù)值進(jìn)行修改，修改完成后點擊“保存”按鈕可在設(shè)置時間判定正確的條件下將本頁表格中的數(shù)值全部寫入到目標(biāo)參數(shù)中。在“非錄入”或“翻頁”過程中，數(shù)據(jù)表格實時將目標(biāo)參數(shù)讀取至本頁表格中顯示。

88.需要說明的是，上述功能塊中可以包括：翻頁功能的設(shè)置，可以檢測是否存在頁碼變化，不同頁碼的同一變量可以賦值到不同的數(shù)組區(qū)，滿足需求的同時還極大減少了設(shè)定變量數(shù)量?？蛇x的，當(dāng)實時頁碼變量值與純滯后1秒的頁碼變量值不同時，即為頁碼發(fā)生變化，輸出脈沖tp3為真。

89.可選的，上位機(jī)操作控制單元可以包括：功能控件的設(shè)置，例如，功能控件可以包括：翻頁控件和錄入控件。

90.當(dāng)然，還功能控件可以包括：啟動控件、停止控件、暫停控件、繼續(xù)控件、頁碼控件、錄入控件、非錄入控件、保存控件、用于選擇目標(biāo)參數(shù)的選擇參考曲線按鈕、用于獲取目標(biāo)參數(shù)的一鍵讀取參考曲線數(shù)據(jù)控件等。

91.其中，每個控件均對應(yīng)位號表中的定義變量，并采用“寫位號”方式對變量進(jìn)行直接賦值操作。在控件的表面，采用不同顏色區(qū)分顯示當(dāng)前控件對應(yīng)值的狀態(tài)。

92.可選的，上述s201中在目標(biāo)多晶硅還原爐對應(yīng)的顯示區(qū)域內(nèi)，顯示目標(biāo)參數(shù)的過程，可以包括：在目標(biāo)多晶硅還原爐對應(yīng)的顯示區(qū)域內(nèi)分頁顯示目標(biāo)參數(shù)。

93.其中，目標(biāo)參數(shù)的數(shù)量較多時，不能夠在一頁完全顯示，可以分頁顯示，每一頁均可以對應(yīng)目標(biāo)參數(shù)中不同的部分參數(shù)。

94.在實際應(yīng)用中，終端可以顯示有翻頁控件，終端可以響應(yīng)針對翻頁控件的選擇操作，進(jìn)行翻頁顯示目標(biāo)參數(shù)，以便用戶可以查看不同頁面中的目標(biāo)參數(shù)。

95.需要說明的是，上述功能塊中可以還包括：錄入功能的設(shè)置，錄入功能可以包括：錄入開始和錄入結(jié)束兩個過程，對應(yīng)是否可在界面中在線修改目標(biāo)參數(shù)，避免在順控運行過程中人為誤操作修改數(shù)值或數(shù)值時間不正確的錯誤設(shè)置?？蛇x的，錄入開始過程為：當(dāng)輸入?yún)?shù)“錄入”為真時，檢測上升沿觸發(fā)脈沖tp1為真；當(dāng)輸入?yún)?shù)“錄入”為假時，檢測下降沿觸發(fā)脈沖tp2為真。

96.可選的，將修改后的目標(biāo)參數(shù)確定為目標(biāo)多晶硅還原爐的最新控制參數(shù)，包括：

97.若錄入控件處于觸發(fā)狀態(tài)，響應(yīng)輸入的針對保存控件的選擇操作，將修改后的目標(biāo)參數(shù)確定為目標(biāo)多晶硅還原爐的最新控制參數(shù)。

98.其中，終端可以顯示錄入控件，當(dāng)用戶需要對目標(biāo)參數(shù)進(jìn)行修改時，可以先輸入針對錄入控件的選擇操作；在錄入控件處于未觸發(fā)狀態(tài)時，終端可以響應(yīng)針對錄入控件的選擇操作，將錄入控件的狀態(tài)調(diào)整為觸發(fā)狀態(tài)，目標(biāo)參數(shù)可以調(diào)整為可編輯狀態(tài)。

99.例如，選擇操作可以為點擊操作，可以為單擊操作或者雙擊操作。錄入控件處于觸發(fā)狀態(tài)的顯示圖標(biāo)，和處于未觸發(fā)狀態(tài)的顯示圖標(biāo)可以不同。

100.可選的，該方法還可以包括：

101.若錄入控件為未觸發(fā)狀態(tài)，將目標(biāo)參數(shù)設(shè)置為不可修改狀態(tài)。

102.其中，若錄入控件為未觸發(fā)狀態(tài)，說明當(dāng)前目標(biāo)參數(shù)為不可修改狀態(tài)，不可修改狀態(tài)下，用戶無法對目標(biāo)參數(shù)進(jìn)行修改。

103.在一些實施方式中，在錄入控件處于觸發(fā)狀態(tài)時，終端可以響應(yīng)針對錄入控件的選擇操作，將錄入控件的狀態(tài)調(diào)整為未觸發(fā)狀態(tài)，則目標(biāo)參數(shù)設(shè)置為不可修改狀態(tài)。

104.當(dāng)然，終端還可以顯示非錄入控件，響應(yīng)針對非錄入控件的選擇操作，也可將目標(biāo)參數(shù)設(shè)置為不可修改狀態(tài)。

105.需要說明的是，上述功能塊中可以還包括：限幅功能的設(shè)置；限幅功能包括頁碼高低限幅、曲線序號高低限幅。頁碼高低限幅即將曲線分割為m組，每組曲線對應(yīng)設(shè)定值放置于一個操作頁碼中，則頁碼范圍為1～m之間的整數(shù)；曲線序號高低限幅為不同多晶硅還原爐代表不同序號曲線，n個還原爐即有n組曲線，則曲線序號范圍為1～n之間的整數(shù)。

106.其中，此處的曲線可以理解為目標(biāo)參數(shù)本身。

107.另外，當(dāng)程序運算的數(shù)值大于范圍上限，則該數(shù)值等于范圍上限；當(dāng)程序運算的數(shù)值小于范圍下限，則該數(shù)值等于范圍下限。

108.可選的，上述s203中將修改后的目標(biāo)參數(shù)確定為目標(biāo)多晶硅還原爐的最新控制參數(shù)的過程，可以包括：

109.若修改后的目標(biāo)參數(shù)中目標(biāo)參數(shù)值大于第一預(yù)設(shè)閾值，則將目標(biāo)參數(shù)值替換為第一預(yù)設(shè)閾值，作為目標(biāo)多晶硅還原爐的控制信息；

110.若修改后的目標(biāo)參數(shù)中目標(biāo)參數(shù)值小于第二預(yù)設(shè)閾值，則將目標(biāo)參數(shù)值替換為第二預(yù)設(shè)閾值，作為目標(biāo)多晶硅還原爐的控制信息。

111.在本技術(shù)實施例中，若修改后的目標(biāo)參數(shù)中目標(biāo)參數(shù)值大于第一預(yù)設(shè)閾值，終端可以將目標(biāo)參數(shù)值進(jìn)行刪除，并將第一預(yù)設(shè)閾值填充在原目標(biāo)參數(shù)值的所在位置，并進(jìn)行保存，得到目標(biāo)多晶硅還原爐的控制信息。

112.同理的，若修改后的目標(biāo)參數(shù)中目標(biāo)參數(shù)值大于第二預(yù)設(shè)閾值，終端可以將目標(biāo)參數(shù)值進(jìn)行刪除，并將第二預(yù)設(shè)閾值填充在原目標(biāo)參數(shù)值的所在位置，并進(jìn)行保存，得到目

標(biāo)多晶硅還原爐的控制信息。

113.需要說明的是，功能塊可以包括：時間輸入正確性判定功能設(shè)置；包括所編輯頁時間判斷報錯功能、整體數(shù)組程序時間判斷報錯功能。所編輯頁時間判斷正確的邏輯條件為當(dāng)前頁面按時間從小到大順序設(shè)定對應(yīng)時間數(shù)值；整體數(shù)組程序的時間判斷正確的邏輯條件為同一曲線的數(shù)組單元格后一個單元格時間設(shè)定值大于等于前一個單元格時間設(shè)定值，本技術(shù)實施例中采用st語言中的for語句完成程序編寫。

114.可選的，該方法還可以包括：顯示目標(biāo)多晶硅還原爐的當(dāng)前控制參數(shù)和運行狀態(tài)信息。

115.其中，當(dāng)前控制信息包括：當(dāng)前進(jìn)料參數(shù)信息，以及當(dāng)前工作電參數(shù)；當(dāng)前運行狀態(tài)信息可以包括下述中的至少一項：錯誤報警提示信息、運行總時長信息、當(dāng)前運行步序信息。

116.在本技術(shù)實施例中，錯誤報警提示信息可以包括：編輯頁時間報錯和/或程序時間判斷報錯。

117.另外，終端還可以顯示啟動前預(yù)設(shè)時間、參考曲線選擇結(jié)果、調(diào)節(jié)閥狀態(tài)數(shù)值。通過關(guān)鍵數(shù)值顯示，使得用戶能夠?qū)崟r監(jiān)控當(dāng)前目標(biāo)多晶硅還原爐的運行情況及工藝生產(chǎn)狀況。

118.在本技術(shù)實施例中，上述功能塊中可以還包括：參數(shù)定義設(shè)置、時間轉(zhuǎn)換功能設(shè)置、保存和讀取功能設(shè)置、流量給定值輸出功能設(shè)置、一鍵讀取其它曲線參數(shù)功能設(shè)置。

119.參數(shù)定義設(shè)置：主要包括：輸入?yún)?shù)、輸出參數(shù)、內(nèi)置參數(shù)、組態(tài)參數(shù)、臨時變量、別名變量、功能塊變量。輸入?yún)?shù)包括程序啟動停止、暫停恢復(fù)、頁碼設(shè)定、錄入、讀取、起始時間設(shè)定、讀取其它曲線參數(shù)、數(shù)據(jù)組序號、曲線輸出形式選擇。輸出參數(shù)包括給定流量輸出、運行時間、運行步驟、時間設(shè)置錯誤判斷、分頁設(shè)置、序號、斜率、流量差值、時間差值。內(nèi)置參數(shù)包括設(shè)定時間存儲、步序中間變量、時間轉(zhuǎn)換、寫入數(shù)組、讀取數(shù)組、總運行時間。組態(tài)參數(shù)包括定時器序號、曲線序號。同一控制器中的不同功能塊中定時器序號和曲線序號均不同。臨時變量包括for語句變量x、for語句變量y、for語句變量z、頁碼變化判定。別名變量包括擬定曲線的時間輸入值、對應(yīng)的流量輸入值。功能塊變量包括：純滯后功能塊、脈沖功能塊、邊沿觸發(fā)功能塊。

120.時間轉(zhuǎn)換功能設(shè)置：包括時分轉(zhuǎn)換為秒和秒轉(zhuǎn)換為時分。時分為便于用戶查看，秒為程序運算過程中的時間顯示。時分轉(zhuǎn)換為秒的方式為小時乘以3600加上分鐘乘以60；秒轉(zhuǎn)換為時分的方式為小時等于時間除以3600后的整數(shù)，分鐘等于時間時間除以60后的整數(shù)再減去本次計算的小時轉(zhuǎn)換的分鐘數(shù)。

121.保存和讀取功能設(shè)置：包括保存過程和讀取過程。保存過程即將終端顯示的時間、氫氣流量、三氯氫硅流量、內(nèi)中外三圈的電壓、電流值賦值到目標(biāo)參數(shù)中；讀取過程即將目標(biāo)參數(shù)內(nèi)的數(shù)值依次賦值給終端顯示的時間、氫氣流量、三氯氫硅流量、內(nèi)中外三圈的電壓、電流值。

122.流量給定值輸出功能設(shè)置：包括運行步序位置判定、階梯式流量設(shè)定值輸出、斜率圓滑式流量設(shè)定值輸出。運行步序即將曲線根據(jù)工藝設(shè)定時間分割成y段后的各單元段，其位置判定為：當(dāng)運行時間大于等于曲線設(shè)定時間最大值時，則運行步序等于設(shè)定的最大步序；當(dāng)運行時間小于曲線設(shè)定時間最大值時，采用for語句對比運行時間同時滿足大于等于

該段時間最小設(shè)定時間、小于該段時間最大設(shè)定值，則運行步序等于該段步序。階梯式流量設(shè)定值輸出即將運行步序最小設(shè)定時間對應(yīng)的流量、電壓、電流數(shù)值賦值給對應(yīng)輸出參數(shù)。斜率圓滑式流量設(shè)定值輸出需要首先根據(jù)步序段兩端時間設(shè)定值和對應(yīng)的流量、電壓、電流值計算運行步序段數(shù)值與時間的斜率，然后根據(jù)運行時間計算斜率曲線上對應(yīng)的流量、電壓、電流值并賦值給輸出參數(shù)。

123.一鍵讀取其它曲線參數(shù)功能設(shè)置：采用for語句將被讀取目標(biāo)參數(shù)中的所有數(shù)據(jù)整體對應(yīng)賦值給需要填充表格中?？蓤?zhí)行的邏輯判斷條件為被讀取目標(biāo)參數(shù)中整體數(shù)組程序時間判定正確。

124.在一些實施方式中，當(dāng)參數(shù)錄入過程執(zhí)行判定條件為：輸入變量“錄入”為真且tp3為真；或者tp1為真，表示用戶剛點擊錄入控件或者翻頁控件，則終端執(zhí)行的動作可以包括：執(zhí)行讀取功能；執(zhí)行秒轉(zhuǎn)換為時分功能；不執(zhí)行保存過程；不執(zhí)行時分轉(zhuǎn)換為秒功能。

125.在一些實施方式中，當(dāng)參數(shù)錄入過程執(zhí)行判定條件為：輸入變量“錄入”為真、且tp3和tp1為不為真時，表示當(dāng)前處于錄入狀態(tài)且用戶并未進(jìn)行點擊錄入按鈕或者翻頁控件操作，則終端執(zhí)行的動作可以包括：不執(zhí)行讀取功能；不執(zhí)行秒轉(zhuǎn)換為時分功能；不執(zhí)行保存過程；執(zhí)行時分轉(zhuǎn)換為秒功能。

126.在一些實施方式中，保存數(shù)據(jù)過程的判定條件為：輸入變量“錄入”為真、且輸入變量“保存”為真、且所編輯頁時間判斷正確。保存數(shù)據(jù)過程的執(zhí)行動作為：執(zhí)行保存過程，即將當(dāng)前頁碼設(shè)定值賦值給對應(yīng)目標(biāo)參數(shù)中；不執(zhí)行讀取功能。

127.在一些實施方式中，非錄入狀態(tài)實時讀取數(shù)值過程，即當(dāng)輸入變量“錄入”為假時，實時讀取目標(biāo)參數(shù)并輸出，執(zhí)行動作為：執(zhí)行讀取功能；不執(zhí)行保存過程；執(zhí)行秒轉(zhuǎn)換為時分功能；不執(zhí)行時分轉(zhuǎn)換為秒功能。

128.綜上所述，本發(fā)明實施例提供一種多晶硅還原爐的參數(shù)配置方法，包括：顯示多晶硅還原爐的多組參數(shù)，其中，每組參數(shù)包括：進(jìn)料參數(shù)，以及工作電參數(shù)；響應(yīng)輸入的針對多組參數(shù)中一組目標(biāo)參數(shù)的選擇操作，確定目標(biāo)參數(shù)為目標(biāo)多晶硅還原爐的控制參數(shù)，以根據(jù)進(jìn)料參數(shù)，控制目標(biāo)多晶硅還原爐以工作電參數(shù)進(jìn)行運行。顯示多晶硅還原爐的多組參數(shù)，響應(yīng)輸入的針對多組參數(shù)中一組目標(biāo)參數(shù)的選擇操作，便可以確定目標(biāo)參數(shù)為目標(biāo)多晶硅還原爐的控制參數(shù)，僅需要輸入選擇操作，便可以實現(xiàn)對于多晶硅還原爐的參數(shù)設(shè)備，節(jié)省了人力資源，還提高了用戶體驗。而且，可以在一個系統(tǒng)中配置進(jìn)料參數(shù)，以及工作電參數(shù)，無需在不同的系統(tǒng)中進(jìn)行參數(shù)配置，使得多晶硅還原爐的參數(shù)配置更加便捷、靈活。

129.下述對用以執(zhí)行本技術(shù)所提供的多晶硅還原爐的參數(shù)配置方法的多晶硅還原爐的參數(shù)配置裝置、終端設(shè)備及存儲介質(zhì)等進(jìn)行說明，其具體的實現(xiàn)過程以及技術(shù)效果參見上述多晶硅還原爐的參數(shù)配置方法的相關(guān)內(nèi)容，下述不再贅述。

130.圖3為本發(fā)明實施例提供的一種多晶硅還原爐的參數(shù)配置裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖3所示，該裝置可以包括：

131.顯示模塊301，用于顯示多晶硅還原爐的多組參數(shù)，其中，每組參數(shù)包括：進(jìn)料參數(shù)，以及工作電參數(shù)；

132.確定模塊302，用于響應(yīng)輸入的針對所述多組參數(shù)中一組目標(biāo)參數(shù)的選擇操作，確定所述目標(biāo)參數(shù)為目標(biāo)多晶硅還原爐的控制參數(shù)，以根據(jù)所述進(jìn)料參數(shù)，控制所述目標(biāo)多晶硅還原爐以所述工作電參數(shù)進(jìn)行運行。

133.可選的，所述裝置還包括：

134.第一顯示模塊，用于在所述目標(biāo)多晶硅還原爐對應(yīng)的顯示區(qū)域內(nèi)，顯示所述目標(biāo)參數(shù)；

135.獲取模塊，用于響應(yīng)輸入的針對所述目標(biāo)參數(shù)的修改操作，修改所述目標(biāo)參數(shù)，得到修改后的目標(biāo)參數(shù)；

136.第一確定模塊，用于將所述修改后的目標(biāo)參數(shù)確定為所述目標(biāo)多晶硅還原爐的最新控制參數(shù)。

137.可選的，所述第一顯示模塊，還用于在所述目標(biāo)多晶硅還原爐對應(yīng)的顯示區(qū)域內(nèi)分頁顯示所述目標(biāo)參數(shù)。

138.可選的，所述第一確定模塊，還用于若所述錄入控件處于觸發(fā)狀態(tài)，響應(yīng)輸入的針對保存控件的選擇操作，將所述修改后的目標(biāo)參數(shù)確定為所述目標(biāo)多晶硅還原爐的最新控制參數(shù)。

139.可選的，所述裝置還包括：

140.設(shè)置模塊，用于若所述錄入控件為未觸發(fā)狀態(tài)，將所述目標(biāo)參數(shù)設(shè)置為不可修改狀態(tài)。

141.可選的，所述第一確定模塊，還用于若所述修改后的目標(biāo)參數(shù)中目標(biāo)參數(shù)值大于第一預(yù)設(shè)閾值，則將所述目標(biāo)參數(shù)值替換為所述第一預(yù)設(shè)閾值，作為所述目標(biāo)多晶硅還原爐的控制信息；若所述修改后的目標(biāo)參數(shù)中目標(biāo)參數(shù)值小于第二預(yù)設(shè)閾值，則將所述目標(biāo)參數(shù)值替換為所述第二預(yù)設(shè)閾值，作為所述目標(biāo)多晶硅還原爐的控制信息。

142.可選的，所述裝置還包括：

143.第二顯示模塊，用于顯示所述目標(biāo)多晶硅還原爐的當(dāng)前控制參數(shù)和運行狀態(tài)信息。

144.上述裝置用于執(zhí)行前述實施例提供的方法，其實現(xiàn)原理和技術(shù)效果類似，在此不再贅述。

145.以上這些模塊可以是被配置成實施以上方法的一個或多個集成電路，例如：一個或多個特定集成電路(application specific integrated circuit，簡稱asic)，或，一個或多個微處理器(digital singnal processor，簡稱dsp)，或，一個或者多個現(xiàn)場可編程門陣列(field programmable gate array，簡稱fpga)等。再如，當(dāng)以上某個模塊通過處理元件調(diào)度程序代碼的形式實現(xiàn)時，該處理元件可以是通用處理器，例如中央處理器(central processing unit，簡稱cpu)或其它可以調(diào)用程序代碼的處理器。再如，這些模塊可以集成在一起，以片上系統(tǒng)(system-on-a-chip，簡稱soc)的形式實現(xiàn)。

146.圖4為本發(fā)明實施例提供的一種終端設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖4所示，該終端設(shè)備可以包括：處理器401、存儲器402。

147.其中，存儲器402用于存儲程序，處理器401調(diào)用存儲器402存儲的程序，以執(zhí)行上述方法實施例。具體實現(xiàn)方式和技術(shù)效果類似，這里不再贅述。

148.可選地，本發(fā)明還提供一種程序產(chǎn)品，例如計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，包括程序，該程序在被處理器執(zhí)行時用于執(zhí)行上述方法實施例。

149.在本發(fā)明所提供的幾個實施例中，應(yīng)該理解到，所揭露的裝置和方法，可以通過其它的方式實現(xiàn)。例如，以上所描述的裝置實施例僅僅是示意性的，例如，所述單元的劃分，僅

僅為一種邏輯功能劃分，實際實現(xiàn)時可以有另外的劃分方式，例如多個單元或組件可以結(jié)合或者可以集成到另一個系統(tǒng)，或一些特征可以忽略，或不執(zhí)行。另一點，所顯示或討論的相互之間的耦合或直接耦合或通信連接可以是通過一些接口，裝置或單元的間接耦合或通信連接，可以是電性，機(jī)械或其它的形式。

150.所述作為分離部件說明的單元可以是或者也可以不是物理上分開的，作為單元顯示的部件可以是或者也可以不是物理單元，即可以位于一個地方，或者也可以分布到多個網(wǎng)絡(luò)單元上?？梢愿鶕?jù)實際的需要選擇其中的部分或者全部單元來實現(xiàn)本實施例方案的目的。

151.另外，在本發(fā)明各個實施例中的各功能單元可以集成在一個處理單元中，也可以是各個單元單獨物理存在，也可以兩個或兩個以上單元集成在一個單元中。上述集成的單元既可以采用硬件的形式實現(xiàn)，也可以采用硬件加軟件功能單元的形式實現(xiàn)。

152.上述以軟件功能單元的形式實現(xiàn)的集成的單元，可以存儲在一個計算機(jī)可讀取存儲介質(zhì)中。上述軟件功能單元存儲在一個存儲介質(zhì)中，包括若干指令用以使得一臺計算機(jī)設(shè)備(可以是個人計算機(jī)，服務(wù)器，或者網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等)或處理器(英文：processor)執(zhí)行本發(fā)明各個實施例所述方法的部分步驟。而前述的存儲介質(zhì)包括：u盤、移動硬盤、只讀存儲器(英文：read-only memory，簡稱：rom)、隨機(jī)存取存儲器(英文：random access memory，簡稱：ram)、磁碟或者光盤等各種可以存儲程序代碼的介質(zhì)。

153.以上僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以有各種更改和變化。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。技術(shù)特征：

1.一種多晶硅還原爐的參數(shù)配置方法，其特征在于，所述方法包括：顯示多晶硅還原爐的多組參數(shù)，其中，每組參數(shù)包括：進(jìn)料參數(shù)，以及工作電參數(shù)；響應(yīng)輸入的針對所述多組參數(shù)中一組目標(biāo)參數(shù)的選擇操作，確定所述目標(biāo)參數(shù)為目標(biāo)多晶硅還原爐的控制參數(shù)，以根據(jù)所述進(jìn)料參數(shù)，控制所述目標(biāo)多晶硅還原爐以所述工作電參數(shù)進(jìn)行運行。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：在所述目標(biāo)多晶硅還原爐對應(yīng)的顯示區(qū)域內(nèi)，顯示所述目標(biāo)參數(shù)；響應(yīng)輸入的針對所述目標(biāo)參數(shù)的修改操作，修改所述目標(biāo)參數(shù)，得到修改后的目標(biāo)參數(shù)；將所述修改后的目標(biāo)參數(shù)確定為所述目標(biāo)多晶硅還原爐的最新控制參數(shù)。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述目標(biāo)多晶硅還原爐對應(yīng)的顯示區(qū)域內(nèi)，顯示所述目標(biāo)參數(shù)，包括：在所述目標(biāo)多晶硅還原爐對應(yīng)的顯示區(qū)域內(nèi)分頁顯示所述目標(biāo)參數(shù)。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，將所述修改后的目標(biāo)參數(shù)確定為所述目標(biāo)多晶硅還原爐的最新控制參數(shù)，包括：若錄入控件處于觸發(fā)狀態(tài)，響應(yīng)輸入的針對保存控件的選擇操作，將所述修改后的目標(biāo)參數(shù)確定為所述目標(biāo)多晶硅還原爐的最新控制參數(shù)。5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：若錄入控件為未觸發(fā)狀態(tài)，將所述目標(biāo)參數(shù)設(shè)置為不可修改狀態(tài)。6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于，所述將所述修改后的目標(biāo)參數(shù)確定為所述目標(biāo)多晶硅還原爐的最新控制參數(shù)，包括：若所述修改后的目標(biāo)參數(shù)中目標(biāo)參數(shù)值大于第一預(yù)設(shè)閾值，則將所述目標(biāo)參數(shù)值替換為所述第一預(yù)設(shè)閾值，作為所述目標(biāo)多晶硅還原爐的控制信息；若所述修改后的目標(biāo)參數(shù)中目標(biāo)參數(shù)值小于第二預(yù)設(shè)閾值，則將所述目標(biāo)參數(shù)值替換為所述第二預(yù)設(shè)閾值，作為所述目標(biāo)多晶硅還原爐的控制信息。7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括：顯示所述目標(biāo)多晶硅還原爐的當(dāng)前控制參數(shù)和運行狀態(tài)信息。8.一種多晶硅還原爐的參數(shù)配置裝置，其特征在于，所述裝置包括：顯示模塊，用于顯示多晶硅還原爐的多組參數(shù)，其中，每組參數(shù)包括：進(jìn)料參數(shù)，以及工作電參數(shù)；確定模塊，用于響應(yīng)輸入的針對所述多組參數(shù)中一組目標(biāo)參數(shù)的選擇操作，確定所述目標(biāo)參數(shù)為目標(biāo)多晶硅還原爐的控制參數(shù)，以根據(jù)所述進(jìn)料參數(shù)，控制所述目標(biāo)多晶硅還原爐以所述工作電參數(shù)進(jìn)行運行。9.一種終端設(shè)備，其特征在于，包括：存儲器和處理器，所述存儲器存儲有所述處理器可執(zhí)行的計算機(jī)程序，所述處理器執(zhí)行所述計算機(jī)程序時實現(xiàn)上述權(quán)利要求1-7任一項所述的多晶硅還原爐的參數(shù)配置方法。10.一種計算機(jī)可讀存儲介質(zhì)，其特征在于，所述存儲介質(zhì)上存儲有計算機(jī)程序，所述計算機(jī)程序被讀取并執(zhí)行時，實現(xiàn)上述權(quán)利要求1-7任一項所述的多晶硅還原爐的參數(shù)配置方法。

技術(shù)總結(jié)

本發(fā)明提供一種多晶硅還原爐的參數(shù)配置方法、裝置、終端設(shè)備及介質(zhì)，涉及數(shù)據(jù)處理技術(shù)領(lǐng)域。該多晶硅還原爐的參數(shù)配置方法包括：顯示多晶硅還原爐的多組參數(shù)，其中，每組參數(shù)包括：進(jìn)料參數(shù)，以及工作電參數(shù)；響應(yīng)輸入的針對多組參數(shù)中一組目標(biāo)參數(shù)的選擇操作，確定目標(biāo)參數(shù)為目標(biāo)多晶硅還原爐的控制參數(shù)，以根據(jù)進(jìn)料參數(shù)，控制目標(biāo)多晶硅還原爐以工作電參數(shù)進(jìn)行運行。顯示多晶硅還原爐的多組參數(shù)，響應(yīng)輸入的針對多組參數(shù)中一組目標(biāo)參數(shù)的選擇操作，便可以確定目標(biāo)參數(shù)為目標(biāo)多晶硅還原爐的控制參數(shù)，僅需要輸入選擇操作，便可以實現(xiàn)對于多晶硅還原爐的參數(shù)設(shè)備，節(jié)省了人力資源，還提高了用戶體驗。提高了用戶體驗。提高了用戶體驗。

技術(shù)研發(fā)人員：曹晶 陳杰 彭濤 吉曉喆 田洋洋 趙宜勇

受保護(hù)的技術(shù)使用者：浙江中控技術(shù)股份有限公司

技術(shù)研發(fā)日：2021.12.15

技術(shù)公布日：2022/3/25