pcb背鉆方法及pcb

技術(shù)領(lǐng)域

1.本技術(shù)涉及印制電路板技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種pcb背鉆方法及pcb。

背景技術(shù)：

2.為了實(shí)現(xiàn)pcb上各層線路的電氣連接，需要在pcb上設(shè)置金屬化通孔，而在部分pcb上，只需通過(guò)金屬化通孔實(shí)現(xiàn)部分線路層之間的電信號(hào)傳輸即可，因此需要將金屬化通孔內(nèi)多余的金屬化鍍層(即無(wú)效段)去除，以避免這些無(wú)效段形成寄生電容和寄生電感，影響高速信號(hào)傳輸?shù)耐暾浴?br />
3.傳統(tǒng)的去除無(wú)效段的方法通常采用背鉆的方式，在背鉆加工時(shí)，受鉆機(jī)精度影響和pcb厚度均勻性等因素的影響，背鉆孔的深度不好控制，易出現(xiàn)鉆孔過(guò)深導(dǎo)致鉆斷信號(hào)層，或鉆孔過(guò)淺導(dǎo)致殘留的無(wú)效段過(guò)長(zhǎng)，影響pcb的品質(zhì)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

4.本技術(shù)提供了一種pcb背鉆方法及pcb，以更加精準(zhǔn)地去除殘留的無(wú)效段，提高pcb的品質(zhì)。

5.本技術(shù)第一方面的實(shí)施例提供了一種pcb背鉆方法，包括：

6.提供一基板，所述基板包括目標(biāo)板和分別設(shè)置在所述目標(biāo)板相對(duì)兩側(cè)的第一板和第二板，所述基板上設(shè)置有第一孔，所述第一孔貫穿所述基板，所述第一孔包括同軸且相連通的第一子孔和第二子孔，所述第一子孔的孔徑大于所述第二子孔的孔徑，所述第一子孔貫穿所述第一板和所述目標(biāo)板，所述第一子孔的孔壁、所述第一子孔的孔底和所述第二子孔的孔壁上分別設(shè)置有第一鍍層、第二鍍層和第三鍍層，所述第一鍍層電性導(dǎo)通所述第一板的線路和所述目標(biāo)板的線路；

7.在所述基板上鉆出貫穿所述第二鍍層的第二孔，將所述第三鍍層和部分所述第二鍍層去除，所述第二孔與所述第一孔同軸設(shè)置，所述第二孔的孔徑大于所述第二子孔的孔徑，且所述第二孔的孔徑小于所述第一子孔的孔徑；

8.從所述第二板遠(yuǎn)離所述目標(biāo)板的一側(cè)在所述基板上鉆出第三孔，所述第三孔延伸至剩余的所述第二鍍層遠(yuǎn)離所述第一板的表面，所述第三孔與所述第一孔同軸設(shè)置，所述第三孔的孔徑大于所述第二孔的孔徑；

9.以剩余的所述第二鍍層遠(yuǎn)離所述第一板的表面為第一基準(zhǔn)面，在所述第三孔的底部鉆出第一預(yù)設(shè)深度的第四孔，將剩余的所述第二鍍層去除，所述第四孔的底部延伸至所述目標(biāo)板遠(yuǎn)離所述第一板的表面。

10.在其中一些實(shí)施例中，所述第四孔與所述第一孔同軸設(shè)置，所述第四孔的孔徑大于或等于所述第一子孔的孔徑。

11.在其中一些實(shí)施例中，在提供一基板前，所述pcb背鉆方法還包括：

12.在所述基板上鉆出通孔，所述通孔貫穿所述第一板、所述目標(biāo)板和所述第二板；

13.從所述第一板遠(yuǎn)離所述目標(biāo)板的一側(cè)在所述基板的所述通孔處鉆出所述第一子

孔，所述第一子孔的孔徑大于所述通孔的孔徑，剩余的所述通孔為第二子孔；

14.對(duì)所述第一子孔和所述第二子孔進(jìn)行金屬化處理，使得所述第一子孔的孔壁、所述第一子孔的孔底和所述第二子孔的孔壁上分別形成所述第一鍍層、所述第二鍍層和所述第三鍍層。

15.在其中一些實(shí)施例中，所述第一子孔包括相連通的第一加工孔和第二加工孔，所述目標(biāo)板包括目標(biāo)銅層，從所述第一板遠(yuǎn)離所述目標(biāo)板的一側(cè)在所述基板上鉆出第一子孔，所述第一子孔貫穿所述第一板和目標(biāo)板，具體包括：

16.從所述第一板遠(yuǎn)離所述目標(biāo)板的一側(cè)在所述基板上鉆出第一加工孔，所述第一加工孔貫穿所述第一板；

17.以所述目標(biāo)銅層靠近所述第一板的一面為第二基準(zhǔn)面，從所述第一板遠(yuǎn)離所述目標(biāo)板的一側(cè)在所述第一加工孔的底部鉆出第二預(yù)設(shè)深度的第二加工孔，所述第二加工孔貫穿所述目標(biāo)銅層。

18.在其中一些實(shí)施例中，以剩余的所述第二鍍層遠(yuǎn)離所述第一板的表面為第一基準(zhǔn)面，在所述第三孔的底部鉆出第一預(yù)設(shè)深度的第四孔，將剩余的所述第二鍍層去除，具體包括：

19.使用具有導(dǎo)電檢測(cè)功能的控深鉆機(jī)，將所述控深鉆機(jī)的鉆頭伸入所述第三孔的底部；

20.當(dāng)所述鉆頭的鉆尖接觸到所述第二鍍層遠(yuǎn)離所述第一板的表面時(shí)，開(kāi)始鉆所述第四孔，直至所述第四孔形成所述第一預(yù)設(shè)深度。

21.在其中一些實(shí)施例中，所述第二板包括阻擋銅層，所述第二板具有避位區(qū)域；在從所述第二板遠(yuǎn)離所述目標(biāo)板的一側(cè)在所述基板上鉆出第三孔之前，所述pcb背鉆方法還包括：去除所述避位區(qū)域內(nèi)的所述阻擋銅層；在從所述第二板遠(yuǎn)離所述目標(biāo)板的一側(cè)在所述基板上鉆出第三孔時(shí)，所述第三孔位于所述避位區(qū)域內(nèi)。

22.在其中一些實(shí)施例中，利用蝕刻或者激光燒灼的方式去除所述避位區(qū)域的所述阻擋銅層。

23.在其中一些實(shí)施例中，從所述第二板遠(yuǎn)離所述目標(biāo)板的一側(cè)在所述基板上鉆出貫穿所述第二鍍層的第二孔時(shí)和從所述第二板遠(yuǎn)離所述目標(biāo)板的一側(cè)在所述基板上鉆出第三孔時(shí)使用同一對(duì)位靶標(biāo)。

24.在其中一些實(shí)施例中，所述對(duì)位靶標(biāo)設(shè)置為位于所述基板邊緣的多個(gè)通孔。

25.本技術(shù)第二方面的實(shí)施例提供了一種pcb，所述pcb通過(guò)如第一方面所述的pcb背鉆方法加工而成。

26.本技術(shù)實(shí)施例提供的pcb背鉆方法，有益效果在于：通過(guò)先從第二板遠(yuǎn)離目標(biāo)板的一側(cè)在基板上鉆出貫穿第二鍍層的第二孔，將第三鍍層和部分第二鍍層去除，再?gòu)牡诙暹h(yuǎn)離目標(biāo)板的一側(cè)在基板上鉆出第三孔，使得第三孔延伸至第二鍍層遠(yuǎn)離第一板的表面，最后以第二鍍層遠(yuǎn)離第一板的表面為第一基準(zhǔn)面，在第三孔的底部鉆出第一預(yù)設(shè)深度的第四孔，將剩余的第二鍍層去除，從而可以更加精準(zhǔn)地去除殘留的第二鍍層和第三鍍層，提高pcb的品質(zhì)。

27.本技術(shù)提供的pcb相比于現(xiàn)有技術(shù)的有益效果，同于本技術(shù)提供的pcb背鉆方法相比于現(xiàn)有技術(shù)的有益效果，此處不再贅述。

附圖說(shuō)明

28.為了更清楚地說(shuō)明本技術(shù)實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本技術(shù)的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

29.圖1是本技術(shù)其中一個(gè)實(shí)施例中pcb背鉆方法的流程圖；

30.圖2中的(a)是本技術(shù)其中一個(gè)實(shí)施例中鉆出通孔后的基板的結(jié)構(gòu)示意圖；

31.圖2中的(b)是在圖2中的(a)所示的基板上鉆出第一子孔后的結(jié)構(gòu)示意圖；

32.圖3中的(a)是對(duì)圖2中的(b)所示的基板上的第一子孔和第二子孔進(jìn)行金屬化處理后的結(jié)構(gòu)示意圖；

33.圖3中的(b)是在圖3中的(a)所示的基板上鉆出第二孔后的結(jié)構(gòu)示意圖；

34.圖4是在圖3中的(b)所示的基板上鉆出第四孔后的結(jié)構(gòu)示意圖；

35.圖5是在圖2中的(a)所示的基板上鉆出第一子孔、第二孔、第三孔和第四孔的示意圖。

36.圖中標(biāo)記的含義為：

37.100、基板；10、目標(biāo)板；11、目標(biāo)銅層；20、第一板；21、第一銅層；30、第二板；31、阻擋銅層；40、第一孔；41、第一子孔；411、第一鍍層；412、第二鍍層；42、第二子孔；421、第三鍍層；50、第二孔；60、第三孔；70、通孔。

具體實(shí)施方式

38.為了使本技術(shù)的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本技術(shù)進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅用以解釋本技術(shù)，并不用于限定本技術(shù)。

39.需要說(shuō)明的是，當(dāng)元件被稱為“固定于”或“設(shè)置于”另一個(gè)元件，它可以直接在另一個(gè)元件上或者間接在該另一個(gè)元件上。當(dāng)一個(gè)元件被稱為是“連接于”另一個(gè)元件，它可以是直接連接到另一個(gè)元件或間接連接至該另一個(gè)元件上。

40.此外，術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”僅用于描述目的，而不能理解為指示或暗示相對(duì)重要性或者隱含指明所指示的技術(shù)特征的數(shù)量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隱含地包括一個(gè)或者更多個(gè)該特征。在本技術(shù)的描述中，“多個(gè)”的含義是兩個(gè)或兩個(gè)以上，除非另有明確具體的限定。

41.在本技術(shù)說(shuō)明書(shū)中描述的參考“一個(gè)實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”或“實(shí)施例”意味著在本技術(shù)的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中包括結(jié)合該實(shí)施例描述的特定特征、結(jié)構(gòu)或特點(diǎn)。由此，在本說(shuō)明書(shū)中的不同之處出現(xiàn)的語(yǔ)句“在一個(gè)實(shí)施例中”、“在一些實(shí)施例中”、“在其他一些實(shí)施例中”、“在另外一些實(shí)施例中”等不是必然都參考相同的實(shí)施例，而是意味著“一個(gè)或多個(gè)但不是所有的實(shí)施例”，除非是以其他方式另外特別強(qiáng)調(diào)。此外，在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，可以以任何合適的方式組合特定的特征、結(jié)構(gòu)或特性。

42.為了說(shuō)明本技術(shù)的技術(shù)方案，下面結(jié)合具體附圖及實(shí)施例來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。

43.請(qǐng)參考圖1、圖3中的(a)和圖5，本技術(shù)第一方面的實(shí)施例提供了一種pcb背鉆方法，包括：

44.s100：提供一基板100，基板100包括目標(biāo)板10和分別設(shè)置在目標(biāo)板10相對(duì)兩側(cè)的第一板20和第二板30，基板100上設(shè)置有第一孔40，第一孔40貫穿基板100，第一孔40包括同軸且相連通的第一子孔41和第二子孔42，第一子孔41的孔徑大于第二子孔42的孔徑，第一子孔41貫穿第一板20和目標(biāo)板10，第一子孔41的孔壁、第一子孔41的孔底和第二子孔42的孔壁上分別設(shè)置有第一鍍層411、第二鍍層412和第三鍍層421，第一鍍層411電性導(dǎo)通第一板20的線路和目標(biāo)板10的線路。

45.具體地，基板100可以為完成了開(kāi)料、內(nèi)層線路圖形、內(nèi)層aoi檢測(cè)和壓合等常規(guī)工藝流程后的電路板，第一孔40為金屬化通孔，第一子孔41的孔徑為d2，第二子孔42的孔徑為d1，第一子孔41貫穿第一板20和目標(biāo)板10但不貫穿第二板30，所以第二鍍層412、第三鍍層421和位于目標(biāo)板10背離第一板20一側(cè)的部分第一鍍層411就是會(huì)形成寄生電容和寄生電感的無(wú)效段，無(wú)效段的高度為h1，無(wú)效段會(huì)影響電路板中高速信號(hào)傳輸?shù)耐暾浴?br />
46.可以理解，第一板20上和第二板30上均可以設(shè)置多層線路，第一鍍層411、第二鍍層412和第三鍍層421均為可以導(dǎo)電的金屬鍍層。

47.s200：在基板100上鉆出貫穿第二鍍層412的第二孔50，將第三鍍層421和部分第二鍍層412去除，第二孔50與第一孔40同軸設(shè)置，第二孔50的孔徑大于第二子孔42的孔徑，且第二孔50的孔徑小于第一子孔41的孔徑。

48.具體地，請(qǐng)一并參考圖3中的(b)，可以從第二板30遠(yuǎn)離目標(biāo)板10的一側(cè)或第一板20遠(yuǎn)離目標(biāo)板10的一側(cè)在基板100上鉆出貫穿第二鍍層412的第二孔50，第二孔50的孔徑為d3，鉆完第二孔50后，第三鍍層421和高度為h2的第二鍍層412被去除，如圖5中h2＝1/2(d3-d1)/tanα，α是鉆設(shè)第二孔50的控深鉆機(jī)的鉆頭鉆尖角度的一半，基板100上的無(wú)效段僅殘存高度和為h3的另一部分第二鍍層412和位于目標(biāo)板10背離第一板20一側(cè)的部分第一鍍層411。

49.s300：從第二板30遠(yuǎn)離目標(biāo)板10的一側(cè)在基板100上鉆出第三孔60，第三孔60延伸至剩余的第二鍍層412遠(yuǎn)離第一板20的表面，第三孔60與第一孔40同軸設(shè)置，第三孔60的孔徑大于第二孔50的孔徑。

50.具體地，請(qǐng)一并參考圖4，第三孔60的孔徑為d4。

51.s400：以剩余的第二鍍層412遠(yuǎn)離第一板20的表面為第一基準(zhǔn)面，在第三孔60的底部鉆出第一預(yù)設(shè)深度的第四孔，將剩余的第二鍍層412去除，第四孔的底部延伸至目標(biāo)板10遠(yuǎn)離第一板20的表面。

52.具體地，由于以第二鍍層412遠(yuǎn)離第一板20的表面為第一基準(zhǔn)面，在第三孔60的底部鉆出第一預(yù)設(shè)深度的第四孔，所以可以減小基板100厚度均勻性的影響和鉆機(jī)精度的影響，提高第四孔的鉆孔精度，確保第四孔的底部更加精確地延伸至目標(biāo)板10遠(yuǎn)離第一板20的表面，將剩余的第二鍍層412去除，且不會(huì)損壞目標(biāo)板10。

53.可以理解，第一預(yù)設(shè)深度可以是事先設(shè)定的，即通過(guò)理論值直接計(jì)算出來(lái)第二鍍層412遠(yuǎn)離第一板20的表面與目標(biāo)板10遠(yuǎn)離第一板20的表面的距離，或者，也可以通過(guò)對(duì)多個(gè)基板100進(jìn)行取樣測(cè)量后進(jìn)行確定，如可以提供多個(gè)未鉆設(shè)第三孔60的基板100的樣品，將多個(gè)基板100的樣品切割開(kāi)后測(cè)量第二鍍層412遠(yuǎn)離第一板20的表面與目標(biāo)板10遠(yuǎn)離第一板20的表面的距離，得到多個(gè)第一測(cè)量數(shù)值，再將多個(gè)第一測(cè)量數(shù)值計(jì)算得到的平均值作為第一預(yù)設(shè)深度，如此，可使得第一預(yù)設(shè)深度的數(shù)值更加精確。

54.可以理解，第四孔與第三孔60可以同軸或者不同軸設(shè)置。第四孔與第三孔60可以一同鉆出，即使用控深鉆機(jī)先從第二板30遠(yuǎn)離目標(biāo)板10的一側(cè)在基板100上鉆出第三孔60，第三孔60的底部延伸至第二鍍層412遠(yuǎn)離第一板20的表面，接著繼續(xù)以剩余的第二鍍層412遠(yuǎn)離第一板20的表面為第一基準(zhǔn)面，在第三孔60的底部鉆出第一預(yù)設(shè)深度的第四孔，此時(shí)第三孔60的孔徑等于第四孔的孔徑，第三孔60與第四孔同軸設(shè)置。

55.本技術(shù)實(shí)施例提供的pcb背鉆方法，通過(guò)先從第二板30遠(yuǎn)離目標(biāo)板10的一側(cè)在基板100上鉆出貫穿第二鍍層412的第二孔50，將第三鍍層421和部分第二鍍層412去除，再?gòu)牡诙?0遠(yuǎn)離目標(biāo)板10的一側(cè)在基板100上鉆出第三孔60，使得第三孔60延伸至第二鍍層412遠(yuǎn)離第一板20的表面，最后以第二鍍層412遠(yuǎn)離第一板20的表面為第一基準(zhǔn)面，在第三孔60的底部鉆出第一預(yù)設(shè)深度的第四孔，將剩余的第二鍍層412去除，從而可以更加精準(zhǔn)地去除殘留的第二鍍層412和第三鍍層421，提高pcb的品質(zhì)。

56.作為可以實(shí)施的一種方式，以剩余的第二鍍層412遠(yuǎn)離第一板20的表面為第一基準(zhǔn)面，在第三孔60的底部鉆出第一預(yù)設(shè)深度的第四孔，將剩余的第二鍍層412去除，具體包括：

57.第一步，使用具有導(dǎo)電檢測(cè)功能的控深鉆機(jī)，將控深鉆機(jī)的鉆頭伸入第三孔60的底部。

58.第二步，當(dāng)鉆頭的鉆尖接觸到第二鍍層412遠(yuǎn)離第一板20的表面時(shí)，開(kāi)始鉆第四孔，直至第四孔形成第一預(yù)設(shè)深度。

59.具體地，當(dāng)控深鉆機(jī)上的導(dǎo)電探測(cè)系統(tǒng)探測(cè)到鉆頭的鉆尖接觸到第二鍍層412遠(yuǎn)離第一板20的表面時(shí)，導(dǎo)電探測(cè)系統(tǒng)回饋信號(hào)給控深鉆機(jī)上的控制系統(tǒng)，控制系統(tǒng)讀取并記錄此時(shí)鉆頭的高度位置，接著，控深鉆機(jī)上的電機(jī)繼續(xù)帶動(dòng)鉆頭向下進(jìn)給，當(dāng)進(jìn)給距離為第一預(yù)設(shè)深度后，z軸電機(jī)停止進(jìn)給。如此，可精準(zhǔn)控制第四孔的深度，從而可以更加精確地去除剩余的第二鍍層412，使得殘留的無(wú)效段更少。

60.請(qǐng)參考圖3中的(b)，在其中一些實(shí)施例中，第二板30包括阻擋銅層31，第二板30具有避位區(qū)域。在從第二板30遠(yuǎn)離目標(biāo)板10的一側(cè)在基板100上鉆出第三孔60之前，pcb背鉆方法還包括：去除避位區(qū)域內(nèi)的阻擋銅層31。

61.在從第二板30遠(yuǎn)離目標(biāo)板10的一側(cè)在基板100上鉆出第三孔60時(shí)，第三孔60位于避位區(qū)域內(nèi)。

62.通過(guò)采用上述方案，可以使得只有在控深鉆機(jī)上的鉆頭的鉆尖接觸到第二鍍層412遠(yuǎn)離第一板20的表面時(shí)，導(dǎo)電探測(cè)系統(tǒng)才會(huì)回饋信號(hào)給控深鉆機(jī)上的控制系統(tǒng)。

63.本實(shí)施例中，利用蝕刻或者激光燒灼的方式去除避位區(qū)域的阻擋銅層31。

64.可以理解，若阻擋銅層31間隔設(shè)置多層，則將位于避位區(qū)域內(nèi)的所有的阻擋銅層31均去除。

65.請(qǐng)參考圖4，在其中一些實(shí)施例中，為了同時(shí)去除位于目標(biāo)板10背離第一板20一側(cè)的部分第一鍍層411，第四孔與第一孔40同軸設(shè)置，第四孔的孔徑大于或等于第一子孔41的孔徑。如此，在鉆設(shè)完第四孔后，可以將基板100上的高度和為h3的殘存的另一部分第二鍍層412和位于目標(biāo)板10背離第一板20一側(cè)的部分第一鍍層411一并精準(zhǔn)去除，且不會(huì)損傷目標(biāo)板10。

66.請(qǐng)參考圖2中的(a)、圖2中的(b)、圖3中的(a)和圖5，在其中一些實(shí)施例中，在提供

一基板100前，pcb背鉆方法還包括：

67.首先，在基板100上鉆出通孔70，通孔70貫穿第一板20、目標(biāo)板10和第二板30。

68.具體地，可以從第二板30遠(yuǎn)離目標(biāo)板10的一側(cè)或第一板20遠(yuǎn)離目標(biāo)板10的一側(cè)在基板100上鉆出貫穿第一板20、目標(biāo)板10和第二板30的通孔70，通孔70的孔徑為d1。

69.其次，從第一板20遠(yuǎn)離目標(biāo)板10的一側(cè)在基板100的通孔70處鉆出第一子孔41，第一子孔41的孔徑大于通孔70的孔徑，剩余的通孔70為第二子孔42。

70.最后，對(duì)第一子孔41和第二子孔42進(jìn)行金屬化處理，使得第一子孔41的孔壁、第一子孔41的孔底和第二子孔42的孔壁上分別形成第一鍍層411、第二鍍層412和第三鍍層421。

71.具體地，可選用沉銅、電鍍的方式對(duì)第一子孔41和第二子孔42進(jìn)行金屬化處理，使第一子孔41的孔壁、第一子孔41的孔底和第二子孔42的孔壁上分別形成預(yù)設(shè)厚度的第一鍍層411、第二鍍層412和第三鍍層421，但不限于此，本實(shí)施例中第一鍍層411、第二鍍層412和第三鍍層421均為銅層。

72.請(qǐng)參考圖2中的(a)、圖2中的(b)、圖3中的(a)和圖5，在其中一些實(shí)施例中，第一子孔41包括相連通的第一加工孔和第二加工孔，目標(biāo)板10包括目標(biāo)銅層11，從第一板20遠(yuǎn)離目標(biāo)板10的一側(cè)在基板100上鉆出第一子孔41，第一子孔41貫穿第一板20和目標(biāo)板10，具體包括：

73.首先，從第一板20遠(yuǎn)離目標(biāo)板10的一側(cè)在基板100上鉆出第一加工孔，第一加工孔貫穿第一板20。

74.具體地，第一加工孔延伸至目標(biāo)銅層11靠近第一板20的一面。

75.其次，以目標(biāo)銅層11靠近第一板20的一面為第二基準(zhǔn)面，從第一板20遠(yuǎn)離目標(biāo)板10的一側(cè)在第一加工孔的底部鉆出第二預(yù)設(shè)深度的第二加工孔，第二加工孔貫穿目標(biāo)銅層11。

76.通過(guò)采用上述方案，可以使得在鉆第二加工孔時(shí)精度更高，從而更加精準(zhǔn)地確保第一子孔41貫穿第一板20和目標(biāo)板10，減小基板100厚度均勻性的影響和鉆機(jī)精度的影響。

77.可以理解，第一加工孔和第二加工孔可以一同鉆出，即使用控深鉆機(jī)先從第一板20遠(yuǎn)離目標(biāo)板10的一側(cè)在基板100上鉆出第一加工孔，第一加工孔貫穿第一板20，接著繼續(xù)以目標(biāo)銅層11靠近第一板20的一面為第二基準(zhǔn)面，從第一板20遠(yuǎn)離目標(biāo)板10的一側(cè)在第一子孔41的底部鉆出第二預(yù)設(shè)深度的第二加工孔，此時(shí)第一加工孔的孔徑等于第二加工孔的孔徑，第一加工孔和第二加工孔同軸設(shè)置。

78.可以理解，第二預(yù)設(shè)深度可以是事先設(shè)定的，即通過(guò)理論值直接計(jì)算出來(lái)目標(biāo)銅層11靠近第一板20的一面與目標(biāo)板10遠(yuǎn)離第一板20的表面的距離，或者，也可以通過(guò)對(duì)多個(gè)基板100進(jìn)行取樣測(cè)量后進(jìn)行確定，如可以提供多個(gè)未鉆設(shè)第一加工孔的基板100的樣品，將多個(gè)基板100的樣品切割開(kāi)后測(cè)量目標(biāo)銅層11靠近第一板20的一面與目標(biāo)板10遠(yuǎn)離第一板20的表面的距離，得到多個(gè)第二測(cè)量數(shù)值，再將多個(gè)第二測(cè)量數(shù)值計(jì)算得到的平均值作為第二預(yù)設(shè)深度，如此，可使得第二預(yù)設(shè)深度的設(shè)定數(shù)值更加精確。

79.作為可以實(shí)施的一種方式，以目標(biāo)銅層11靠近第一板20的一面為第二基準(zhǔn)面，從第一板20遠(yuǎn)離目標(biāo)板10的一側(cè)在第一加工孔的底部鉆出第二預(yù)設(shè)深度的第二加工孔，具體包括：

80.第一步，使用具有導(dǎo)電檢測(cè)功能的控深鉆機(jī)，將控深鉆機(jī)的鉆頭伸入第一加工孔

的底部。

81.第二步，當(dāng)鉆頭的鉆尖接觸到目標(biāo)銅層11靠近第一板20的一面時(shí)，開(kāi)始鉆出第二預(yù)設(shè)深度的第二加工孔。

82.具體地，當(dāng)控深鉆機(jī)上的導(dǎo)電探測(cè)系統(tǒng)探測(cè)到鉆頭的鉆尖接觸到目標(biāo)銅層11靠近第一板20的一面時(shí)，導(dǎo)電探測(cè)系統(tǒng)回饋信號(hào)給控深鉆機(jī)上的控制系統(tǒng)，控制系統(tǒng)讀取并記錄此時(shí)鉆頭的高度位置，接著，控深鉆機(jī)上的電機(jī)繼續(xù)帶動(dòng)鉆頭向下進(jìn)給，當(dāng)進(jìn)給距離為第二預(yù)設(shè)深度后，z軸電機(jī)停止進(jìn)給。如此，可精準(zhǔn)控制第二加工孔的深度。

83.請(qǐng)參考圖2中的(b)，在其中一些實(shí)施例中，第一板20包括第一銅層21，第一板20具有第一區(qū)域。

84.在從第一板20遠(yuǎn)離目標(biāo)板10的一側(cè)在基板100板上鉆出第一加工孔之前，鉆孔方法還包括：去除第一區(qū)域內(nèi)的第一銅層21；在從第一板20遠(yuǎn)離目標(biāo)板10的一側(cè)在基板100板上鉆出第一加工孔時(shí)，第一加工孔位于第一區(qū)域內(nèi)。

85.通過(guò)采用上述方案，可以使得僅在控深鉆機(jī)上的鉆頭的鉆尖接觸到目標(biāo)銅層11靠近第一板20的一面時(shí)，導(dǎo)電探測(cè)系統(tǒng)才會(huì)回饋信號(hào)給控深鉆機(jī)上的控制系統(tǒng)。

86.在本實(shí)施例中，可利用蝕刻或者激光燒灼的方式去除第一區(qū)域的第一銅層21。

87.請(qǐng)參考圖3中的(b)和圖4，在其中一些實(shí)施例中，從第二板30遠(yuǎn)離目標(biāo)板10的一側(cè)在基板100上鉆出貫穿第二鍍層412的第二孔50時(shí)和從第二板30遠(yuǎn)離目標(biāo)板10的一側(cè)在基板100上鉆出第三孔60時(shí)使用同一對(duì)位靶標(biāo)(圖中未示出)。如此，可以確保鉆出的第二孔50的軸線和第三孔60的軸線的偏移量最小。

88.可選地，在基板100上鉆出通孔70、第一加工孔和第二加工孔也使用上述對(duì)位靶標(biāo)。

89.在本實(shí)施例中，對(duì)位靶標(biāo)設(shè)置為位于基板100邊緣的多個(gè)通孔70。如此，既可以在從第二板30遠(yuǎn)離目標(biāo)板10的一側(cè)在基板100上鉆出貫穿第二鍍層412的第二孔50時(shí)和從第二板30遠(yuǎn)離目標(biāo)板10的一側(cè)在基板100上鉆出第三孔60時(shí)進(jìn)行更加精準(zhǔn)地對(duì)位，也可以減少對(duì)基板100上的線路的影響。

90.可選地，通孔70設(shè)置3個(gè)以上。

91.本技術(shù)第二方面的實(shí)施例提供了一種pcb，pcb通過(guò)如第一方面的pcb背鉆方法加工而成。

92.本技術(shù)實(shí)施例提供的pcb，由于在進(jìn)行背鉆加工時(shí)先從第二板30遠(yuǎn)離目標(biāo)板10的一側(cè)在基板100上鉆出貫穿第二鍍層412的第二孔50，將第三鍍層421和部分第二鍍層412去除，再?gòu)牡诙?0遠(yuǎn)離目標(biāo)板10的一側(cè)在基板100上鉆出第三孔60，使得第三孔60延伸至第二鍍層412遠(yuǎn)離第一板20的表面，最后以第二鍍層412遠(yuǎn)離第一板20的表面為第一基準(zhǔn)面，在第三孔60的底部鉆出第一預(yù)設(shè)深度的第四孔，將剩余的第二鍍層412去除，從而可以更加精準(zhǔn)地去除殘留的第二鍍層412和第三鍍層421，使得pcb的品質(zhì)更高。

93.以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本技術(shù)的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本技術(shù)進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本技術(shù)各實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍，均應(yīng)包含在本技術(shù)的保護(hù)范圍之內(nèi)。技術(shù)特征：

1.一種pcb背鉆方法，其特征在于，包括：提供一基板，所述基板包括目標(biāo)板和分別設(shè)置在所述目標(biāo)板相對(duì)兩側(cè)的第一板和第二板，所述基板上設(shè)置有第一孔，所述第一孔貫穿所述基板，所述第一孔包括同軸且相連通的第一子孔和第二子孔，所述第一子孔的孔徑大于所述第二子孔的孔徑，所述第一子孔貫穿所述第一板和所述目標(biāo)板，所述第一子孔的孔壁、所述第一子孔的孔底和所述第二子孔的孔壁上分別設(shè)置有第一鍍層、第二鍍層和第三鍍層，所述第一鍍層電性導(dǎo)通所述第一板的線路和所述目標(biāo)板的線路；所述基板上鉆出貫穿所述第二鍍層的第二孔，將所述第三鍍層和部分所述第二鍍層去除，所述第二孔與所述第一孔同軸設(shè)置，所述第二孔的孔徑大于所述第二子孔的孔徑，且所述第二孔的孔徑小于所述第一子孔的孔徑；從所述第二板遠(yuǎn)離所述目標(biāo)板的一側(cè)在所述基板上鉆出第三孔，所述第三孔延伸至剩余的所述第二鍍層遠(yuǎn)離所述第一板的表面，所述第三孔與所述第一孔同軸設(shè)置，所述第三孔的孔徑大于所述第二孔的孔徑；以剩余的所述第二鍍層遠(yuǎn)離所述第一板的表面為第一基準(zhǔn)面，在所述第三孔的底部鉆出第一預(yù)設(shè)深度的第四孔，將剩余的所述第二鍍層去除，所述第四孔的底部延伸至所述目標(biāo)板遠(yuǎn)離所述第一板的表面。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的pcb背鉆方法，其特征在于，所述第四孔與所述第一孔同軸設(shè)置，所述第四孔的孔徑大于或等于所述第一子孔的孔徑。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的pcb背鉆方法，其特征在于，在提供一基板前，所述pcb背鉆方法還包括：在所述基板上鉆出通孔，所述通孔貫穿所述第一板、所述目標(biāo)板和所述第二板；從所述第一板遠(yuǎn)離所述目標(biāo)板的一側(cè)在所述基板的所述通孔處鉆出所述第一子孔，所述第一子孔的孔徑大于所述通孔的孔徑，剩余的所述通孔為第二子孔；對(duì)所述第一子孔和所述第二子孔進(jìn)行金屬化處理，使得所述第一子孔的孔壁、所述第一子孔的孔底和所述第二子孔的孔壁上分別形成所述第一鍍層、所述第二鍍層和所述第三鍍層。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的pcb背鉆方法，其特征在于，所述第一子孔包括相連通的第一加工孔和第二加工孔，所述目標(biāo)板包括目標(biāo)銅層，從所述第一板遠(yuǎn)離所述目標(biāo)板的一側(cè)在所述基板上鉆出第一子孔，所述第一子孔貫穿所述第一板和目標(biāo)板，具體包括：從所述第一板遠(yuǎn)離所述目標(biāo)板的一側(cè)在所述基板上鉆出第一加工孔，所述第一加工孔貫穿所述第一板；以所述目標(biāo)銅層靠近所述第一板的一面為第二基準(zhǔn)面，從所述第一板遠(yuǎn)離所述目標(biāo)板的一側(cè)在所述第一加工孔的底部鉆出第二預(yù)設(shè)深度的第二加工孔，所述第二加工孔貫穿所述目標(biāo)銅層。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的pcb背鉆方法，其特征在于，以剩余的所述第二鍍層遠(yuǎn)離所述第一板的表面為第一基準(zhǔn)面，在所述第三孔的底部鉆出第一預(yù)設(shè)深度的第四孔，將剩余的所述第二鍍層去除，具體包括：使用具有導(dǎo)電檢測(cè)功能的控深鉆機(jī)，將所述控深鉆機(jī)的鉆頭伸入所述第三孔的底部；當(dāng)所述鉆頭的鉆尖接觸到所述第二鍍層遠(yuǎn)離所述第一板的表面時(shí)，開(kāi)始鉆所述第四

孔，直至所述第四孔形成所述第一預(yù)設(shè)深度。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的pcb背鉆方法，其特征在于，所述第二板包括阻擋銅層，所述第二板具有避位區(qū)域；在從所述第二板遠(yuǎn)離所述目標(biāo)板的一側(cè)在所述基板上鉆出第三孔之前，所述pcb背鉆方法還包括：去除所述避位區(qū)域內(nèi)的所述阻擋銅層；在從所述第二板遠(yuǎn)離所述目標(biāo)板的一側(cè)在所述基板上鉆出第三孔時(shí)，所述第三孔位于所述避位區(qū)域內(nèi)。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的pcb背鉆方法，其特征在于，利用蝕刻或者激光燒灼的方式去除所述避位區(qū)域的所述阻擋銅層。8.根據(jù)權(quán)利要求1至7任意一項(xiàng)所述的pcb背鉆方法，其特征在于，從所述第二板遠(yuǎn)離所述目標(biāo)板的一側(cè)在所述基板上鉆出貫穿所述第二鍍層的第二孔時(shí)和從所述第二板遠(yuǎn)離所述目標(biāo)板的一側(cè)在所述基板上鉆出第三孔時(shí)使用同一對(duì)位靶標(biāo)。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的pcb背鉆方法，其特征在于，所述對(duì)位靶標(biāo)設(shè)置為位于所述基板邊緣的多個(gè)通孔。10.一種pcb，其特征在于，所述pcb通過(guò)如權(quán)利要求1至9任意一項(xiàng)所述的pcb背鉆方法加工而成。

技術(shù)總結(jié)

本申請(qǐng)涉及印制電路板技術(shù)領(lǐng)域，提供了一種PCB背鉆方法及PCB，該P(yáng)CB背鉆方法，包括：提供一基板，基板包括目標(biāo)板和分別設(shè)置在目標(biāo)板相對(duì)兩側(cè)的第一板和第二板，基板上設(shè)置有第一孔，第一孔包括第一子孔和第二子孔，第一子孔的孔壁、第一子孔的孔底和第二子孔的孔壁上分別設(shè)置有第一鍍層、第二鍍層和第三鍍層；基板上鉆出貫穿第二鍍層的第二孔；從第二板遠(yuǎn)離目標(biāo)板的一側(cè)在基板上鉆出第三孔，第三孔延伸至剩余的第二鍍層遠(yuǎn)離第一板的表面；以剩余的第二鍍層遠(yuǎn)離第一板的表面為第一基準(zhǔn)面，在第三孔的底部鉆出第一預(yù)設(shè)深度的第四孔。本申請(qǐng)之PCB背鉆方法，可以更加精準(zhǔn)地去除殘留的無(wú)效段，提高PCB的品質(zhì)。提高PCB的品質(zhì)。提高PCB的品質(zhì)。

技術(shù)研發(fā)人員：李少?gòu)?qiáng) 姚遠(yuǎn) 白亞旭 王俊

受保護(hù)的技術(shù)使用者：景旺電子科技（珠海）有限公司

技術(shù)研發(fā)日：2022.07.15

技術(shù)公布日：2022/10/18