本發(fā)明提供一種高介單層微型陶瓷電容器基片材料,原料包括主料和摻雜劑兩部分,主料的化學(xué)成分為SrTiO3,摻雜劑為Nb2O5、SiO2、Y2O3、CaSnO3和復(fù)合氧化物添加劑,添加的質(zhì)量分別為原料總質(zhì)量的m?wt%、n?wt%、p?wt%、q?wt%和r?wt%,制備方法包括:配料、球磨、干燥、造粒、成型、排膠,還原氣氛燒結(jié),氧化熱處理;本發(fā)明的配方中不含Pb、Cd等揮發(fā)性或重金屬元素,是一種環(huán)保無污染的介質(zhì)陶瓷材料;本陶瓷的燒結(jié)溫度在1340℃~1400℃之間,介電常數(shù)較高,具有一定的節(jié)能優(yōu)勢;原材料在國內(nèi)供應(yīng)充足,且價格低廉,適合于制作現(xiàn)代通信技術(shù)中高性能通信元器件。
聲明:
“高介單層微型陶瓷電容器基片材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)