用于涂覆耐火材料的裝置和方法 1133     

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一種能夠在熱容器的內(nèi)表面上連續(xù)地涂覆一層材料的裝置,當所述裝置豎直升高或降低或水平插入或收縮時,所述裝置用于360度涂覆耐火材料。潤濕的混合耐火材料被供應至涂覆器,并且加壓空氣被供應至該涂覆器,以旋轉(zhuǎn)所述涂覆器上的旋轉(zhuǎn)頭。該裝置包括圍繞涂覆器的殼體的罩蓋,其圍繞所述殼體輸送加壓空氣,以將所述殼體冷卻在所述容器的溫度以下。還描述了利用所述涂覆器上的旋轉(zhuǎn)頭以噴霧形式將耐火材料涂覆在熱冶金容器(例如真空脫氣器的通氣管和鋼包)上的方法。

磁致伸縮材料 887     

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本發(fā)明采用粉末冶金法，增大得到的超磁致伸縮 元件等燒結(jié)體的密度，提供一種能減少高溫大氣中磁致伸縮特 性等燒結(jié)體特性劣化的燒結(jié)體的制造方法。本發(fā)明是將式1： RTw (式中，R是一種以上的稀 土類金屬，T是一種以上的過渡金屬，w表示為1＜w＜4)所示 組成的合金粉，在氫氣和惰性氣體的混合氣氛中進行燒結(jié)的燒 結(jié)體的制造方法。另外，是將上述組成的合金粉，在真空氣氛 中或者在含分子量30以下的氣體的氣氛中燒結(jié)，而且進行熱 等壓處理的燒結(jié)體的制造方法。

粘合劑組合物 792     

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一種粘合劑和一種在包括使用金屬粉末或金屬與陶瓷的混合物的常規(guī)粉末冶金工藝和固態(tài)自由形式制造工藝中,該粘合劑含有至少一種碳水化合物作為活性粘合化合物。該碳水化合物通常含有約6-900個碳原子,可選自不同種類,包括但不限于:1)單糖;2)二糖;3)三糖;4)含在1)-3)中所述基本糖的多糖;和5)水解的淀粉,其中水解物含有約6-900個碳原子,包括有限糊精等糊精、水解直鏈淀粉和水解的支鏈淀粉。粘合劑溶液中碳水化合物的量通常在約為5-50克/100毫升,更優(yōu)選為5-30克/毫升,最優(yōu)選為15克糖類/毫升載體溶液(或基于干燥的相當量)。

制取粉末狀難熔無機化合物和金屬組合物的方法 644     

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用于粉末冶金的本發(fā)明制取粉末狀難熔無機化 合物和金屬組合物的方法在于把元素周期表中I-VIII 族元素和/或其氧化物、和/或其鹵化物，以及I-III 族金屬和/或其氫化物，以及氮和/或碳、和/或硼、 和/或硅、和/或硫、和/或磷、和/或其氧化物、和 /或其鹵化物、和/或其有機化合物所組成的配料與 II族金屬氧化物和/或堿金屬鹵化物和/或鹵化銨、 聚苯乙烯、聚乙烯、尿素所組成的添加劑相混合，隨后 把該混合物置于反應區(qū)并將其點燃。

用于制造凸輪軸調(diào)節(jié)器的方法 646     

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本發(fā)明涉及一種用于制造凸輪軸調(diào)節(jié)器(1)的方法，所述凸輪軸調(diào)節(jié)器包括定子(6)和相對于定子(6)可扭轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)子(7)，其中，制造所述定子(6)和所述轉(zhuǎn)子(7)，所述定子和轉(zhuǎn)子具有在第一端面(34、36)上的第一平坦面(33、35)和在第二端面上的第二平坦面(39、40)，所述第二端面沿軸向方向(21)觀察與所述第一端面(34、36)相對置地構(gòu)造，并且根據(jù)粉末冶金方法制造所述轉(zhuǎn)子(7)和/或所述定子(6)。對定子(6)和轉(zhuǎn)子(7)的第一平坦面(33、35)和第二平坦面(39、40)進行磨削或精加工，并且使定子(6)的周面(10)和轉(zhuǎn)子(7)的周面(15)保持未被校準。

半導體裝置組合件的無焊互連件 948     

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本申請案涉及半導體裝置組合件的無焊互連件。揭示具有無焊互連件的半導體裝置組合件及相關聯(lián)系統(tǒng)及方法。在一個實施例中，一種半導體裝置組合件包含從半導體裸片延伸的第一導電柱及從襯底延伸的第二導電柱。所述第一導電柱可經(jīng)由使用注入于所述第一與第二導電柱之間的無電鍍液形成于所述第一與第二導電柱之間的中間導電結(jié)構(gòu)連接到所述第二導電柱。所述第一及第二導電柱及所述中間導電結(jié)構(gòu)可包含銅作為除焊接過程的金屬間化合物IMC之外的共同主要組分。所述第一導電柱的第一側(cè)壁表面可相對于所述第二導電柱的對應第二側(cè)壁表面失準。未用IMC形成的此類互連件可改進所述半導體裝置組合件的所述互連件的電及冶金特性。

分凝提純高純硅的方法 899     

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本發(fā)明提供了一種分凝提純高純硅的方法，其為一種高效、低成本、操作簡單的除雜質(zhì)方法，可省去習知需通過切除的繁雜手續(xù)，尤其適合大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)的冶金法多晶硅除硼提純方法，可使多晶硅的純度較習知技藝更快地可達到太陽能級多晶硅的高純度要求。本發(fā)明是在加熱爐的坩鍋中進行偏析凝固提純，其對該加熱爐坩堝中的頂部加熱或維持溫度來控制位于頂部的液體硅的凝固速度慢于下方的液體硅凝固速度，當頂部上所余的液體硅為整體的5％至20％時，將此些液體金屬硅倒出。經(jīng)由反復此步驟到凝固后的固定硅的純度達到目標值。

用于熱交換器的包覆片材 1076     

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本申請公開一種材料，其包括熔鑄到金屬合金芯的鋁金屬合金包層。還公開一種材料，其包括：金屬芯，其包括高含量的廢料金屬且具有兩側(cè)；熔鑄到所述芯層的第一側(cè)的第一鋁金屬包層；以及熔鑄到所述芯層的第二側(cè)的第二鋁金屬包層。所述材料可呈片材的形式。將片材輥軋結(jié)合在一起以在除了施加焊接停止墨水的區(qū)以外處產(chǎn)生永久冶金結(jié)合。所述片材用以制作耐腐蝕熱交換器。

熱等靜壓罐的端板、熱等靜壓罐和熱等靜壓方法 1121     

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熱等靜壓罐的端板包括中心區(qū)域和主區(qū)域，所述主區(qū)域從所述中心區(qū)域徑向延伸并且在圍繞所述端板周邊的拐角處終止。所述端板沿所述主區(qū)域從所述中心區(qū)域到所述拐角的厚度增加，從而確定一個錐角。所述拐角包括內(nèi)表面，所述內(nèi)表面包括圓角部分，所述主區(qū)域通過所述圓角部分平滑地過渡到唇緣。還公開了一種包括所述端板中的至少一者的熱等靜壓罐，以及一種使用所述熱等靜壓罐熱等靜壓冶金粉末的方法。

用于通過電解熔體獲得鋁的鐵基陽極 1081     

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本發(fā)明涉及有色冶金，具體涉及用于通過電解氟化物熔體而電解產(chǎn)生鋁的陽極。一種用于在低于930℃的溫度通過電解熔體獲得鋁的陽極，由合金制成的基體和保護性氧化層組成，所述合金含有65重量％～96重量％的鐵、至多35重量％的銅、至多20重量％的鎳以及鉬、錳、鈦、鉭、鎢、釩、鋯、鈮、鉻、鋁(至多1重量％)、鈷、鈰、釔、硅和碳中的一種或多種添加劑(總計至多5重量％)，所述保護性氧化層主要由鐵氧化物以及鐵、銅和鎳的復合氧化物組成。所述基體通過在金屬或砂模具中鑄造而制成。在所述陽極表面上的保護性氧化層通過在850℃～1050℃的溫度下于空氣中初步氧化獲得，或者隨后通過利用在所述陽極處析出的氧進行氧化而在電解過程中獲得。在所述陽極表面上的所述保護性氧化層的厚度是0.1mm～3.0mm。

使用可再生能量用于生產(chǎn)鋼鐵的方法 763     

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本發(fā)明涉及一種用于生產(chǎn)鋼鐵的方法，其中鐵礦石用氫氣還原，并且還原的鐵礦石以及可能的伴隨物質(zhì)所得的中間產(chǎn)品經(jīng)受進一步冶金加工，氫氣是通過水的電解產(chǎn)生的并且電解所需的電能是來自水力發(fā)電和/或風力和/或光伏源或其他可再生形式的能量的可再生能量。氫氣和/或中間產(chǎn)品不考慮當前的需求生產(chǎn)，無論何時有足夠可用的再生產(chǎn)生的電能。不需要的中間產(chǎn)品被儲存直到有需求或者使用從而使儲存在其中的可再生能量也被儲存。本發(fā)明還涉及一種用于儲存不連續(xù)產(chǎn)生的能量的方法，其中，當不連續(xù)產(chǎn)生的能量存在或一旦產(chǎn)生之后，被輸送到其中可儲存的中間產(chǎn)品自源材料產(chǎn)生的工藝中，并且儲存可儲存的中間產(chǎn)品直到其被需要并恢復用于生產(chǎn)最終產(chǎn)品。

Ｘ射線管以及陽極靶 950     

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本發(fā)明的目的在于提供一種Ｘ射線管。該Ｘ射線管包括電子射出源、陽極靶、真空密封外殼。電子射出源射出電子。陽極靶包括：靶層，該靶層利用來自所述電子射出源的電子來射出Ｘ射線；及基體，該基體對所述靶層進行支承，且由碳化物強化型鉬合金構(gòu)成。真空密封外殼中收納有所述電子射出源及所述陽極靶。陽極靶包括擴散障壁層及熱輻射膜。擴散障壁層在所述基體的表面的一部分上利用粉末冶金法與所述基體形成為一體，且由碳元素含量低于所述基體的高熔點金屬構(gòu)成。熱輻射膜形成在所述擴散障壁層的表面的至少一部分上，且由金屬氧化物構(gòu)成。由此，在使用了形成有由金屬氧化物構(gòu)成的熱輻射膜的陽極靶的Ｘ射線管中，能減少使用時的氣體發(fā)生，提高壽命。

燃燒器裝置和燃燒器組件 977     

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本發(fā)明涉及一種包括流體冷卻銅塊的燃燒器裝置。此外，本發(fā)明涉及燃燒器組件、管道元件、氣體循環(huán)管道和包括所述燃燒器裝置的冶金爐。燃燒器裝置（B）包括流體冷卻銅塊（3），流體冷卻銅塊包括用于循環(huán)冷卻流體的冷卻管道（4）、可釋放地附連燃燒器單元（1）的第一端（5）、和第二端（6），并且燃燒器通道（2）在流體冷卻銅塊（3）內(nèi)部從第一端（5）延伸至第二端（6）。

陶瓷成型的無腳電感的端面處理方法 875     

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一種制造無腳電感的方法,包括用粉末冶金方法制成絕緣外罩殼體,殼體內(nèi)設有一貫穿通孔,在該通孔二端附近分別設置由銀鎳錫合金所構(gòu)成的導電端子,殼體通孔內(nèi)則設置一事先纏繞好的鐵芯線圈,將該線圈的兩端分別焊接至外罩殼體的導電端子上,然后再以環(huán)氧樹脂把通孔的二端絕緣封閉,從而將線圈完全密封在絕緣殼體內(nèi)。

用于提取有價值金屬的離子交換劑 897     

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本發(fā)明涉及在濕法冶金方法中將類型I或類型II的單分散、大孔的陰離子交換劑用于提取有價值金屬的用途。

生產(chǎn)超純金屬以及由其制造的單晶體的方法 987     

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本發(fā)明涉及一種生產(chǎn)超純金屬以及由其制造的單晶體的方 法。本發(fā)明涉及冶金和鑄造工程，具體涉及生產(chǎn)單晶結(jié)構(gòu)以及與 其相關的金屬精煉。本發(fā)明生產(chǎn)超純金屬和由其制造的單晶體的 方法包括當熔體中過冷值大于亞穩(wěn)度生長范圍時在離心壓力場中 結(jié)晶，其中以在熔體中能形成足夠的過冷值的方式對引力因子進 行選擇，所述引力因子等于對應于晶體的線性生長速度的最佳過 冷值和生長亞穩(wěn)度范圍之間的差值，其由以右公式確定 其中參數(shù)A、B、L和M，引力因子Kg，凝固溫度T和熔體 過冷值ΔT0是實驗獲得的，為了實施晶體生長和熔體精煉工藝，熔 體的體積以0.02～0.08℃/秒的速度冷卻。

高屈服強度鋼板的快速冷卻 743     

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用于減少條帶不均勻性的方法以及用于實施所述方法的裝置，該條帶通過沿著連續(xù)熱處理生產(chǎn)線的冷卻區(qū)噴射液體或氣體和液體的混合物而經(jīng)受冷卻，在條帶的行進方向上調(diào)節(jié)冷卻強度，以便實現(xiàn)萊頓弗羅斯特溫度與冶金結(jié)構(gòu)變化時的至少一個溫度之間的相對位置，使得所述冷卻強度使條帶的內(nèi)應力最小化。

包含有機硅化合物的材料的回收 689     

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本發(fā)明涉及一種生產(chǎn)冶金硅的方法，其中包括包含二氧化硅和碳的原料混合物與包含有機硅化合物的回收進料的混合物在電爐中發(fā)生轉(zhuǎn)化。

由原材料制造球化粉末的方法 1118     

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本文公開了使用微波等離子體處理來處理原材料的方法、裝置和組件的實施方案。具體地，本文公開的原材料涉及廢料、脫氫或非氫化的進料材料和再循環(huán)的經(jīng)使用粉末。微波等離子體處理可以用于球化處理和去除污染物。有利地，經(jīng)微波等離子體處理的原料可以用于各種應用，例如需要高粉末流動性的增材制造或粉末冶金(PM)應用。

散熱器 711     

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本發(fā)明的散熱器具有：金屬成型體，具有基板部及立設于所述基板部的表面且彼此平行地配置的兩個以上的散熱片部；及填充體，填充在形成于所述金屬成型體的散熱片部之間的一個以上的槽部內(nèi)且由多個線圈狀金屬線材構(gòu)成，在所述線圈狀金屬線材的外徑中，一端部側(cè)的第1外徑和另一端部側(cè)的第2外徑不同，每個所述線圈狀金屬線材的一部分與金屬成型體的槽部內(nèi)表面及其他所述線圈狀金屬線材中的至少任一個冶金接合。

電解質(zhì)組成分析的方法和裝置 874     

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本發(fā)明涉及有色金屬冶金，特別是涉及基于對鋁電解控制的差熱測量結(jié)果進行電解質(zhì)組成分析的裝置和方法。所述裝置由包含參比材料和電解質(zhì)采樣容器的金屬體、浸入?yún)⒈炔牧虾碗娊赓|(zhì)樣品中的溫度傳感器、用于對獲得的結(jié)果進行記錄、數(shù)據(jù)處理和可視化的系統(tǒng)組成。通過使用α?改性氧化鋁作為安置在金屬體隔室內(nèi)的參比材料來提高電解質(zhì)組成分析精度。方法包括：將金屬體浸入電解質(zhì)中；用熔融電解質(zhì)填充容器；將具有填充好的容器的金屬體從所述熔融電解質(zhì)表面上的結(jié)殼上方移出并冷卻；考慮到在電解質(zhì)樣品中的含量不少于3重量％的所有結(jié)晶相，繪制和分析差熱曲線，基于該曲線來確定液相線溫度、電解質(zhì)過熱度和電解質(zhì)固體樣品的相以及混合組成。

用于去除水中重金屬離子以凈化水的吸附劑 1137     

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本發(fā)明涉及用于去除地下水和地表水系統(tǒng)中重金屬離子的吸附材料,并且可應用于使用酸洗和電鍍工藝的冶金和化學工廠中。本發(fā)明的用于去除水中重金屬離子的吸附劑由磨細的沸石和納米相材料組成,所述納米線材料包含納米相氫氧化鐵和納米相-勃姆石,它們的組分比為:12-18質(zhì)量%的納米相氫氧化鐵,5-13質(zhì)量%的納米相勃姆石,其它為磨細的沸石。所述發(fā)明由于擴大去除重污染水中的重金屬的品種(LIST),因而能夠提高處理效率。

層壓結(jié)構(gòu)材料 908     

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本發(fā)明涉及制造由金屬制成的物件,例如通過軋制或粉末冶金或焊接方法制成的物件,該物件可適用于建筑和機械工業(yè)結(jié)構(gòu)或其他結(jié)構(gòu)中。一種層壓結(jié)構(gòu)材料,從斷面上看包括至少兩層,其特征在于,在至少一層前、后側(cè)邊的邊界上,在至少一個斷面層的頂角之一處,至少一部分斷面邊界線呈一個正錐形的斷面。

軋制裝置 1068     

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本發(fā)明涉及一種應用在冶金技術中的軋制裝置(100)，其具有帶有輥身(11)和兩個輥頸(10)的軋輥，和至少一個輥頸襯套(20)用于沒有徑向間隙地不可相對旋轉(zhuǎn)地容納所述輥頸(10)之一。為了提高軋制裝置的承載力但不增大軋制裝置的結(jié)構(gòu)尺寸或安裝尺寸，在未承受負荷的狀態(tài)下在所述(20)輥頸襯套和所述輥頸(10)之間形成環(huán)繞的空腔(12)。

用于形成和處理合金錠的系統(tǒng)和方法 672     

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公開了涉及制造、加工和熱加工合金錠的工藝及方法。形成了合金錠，其包括內(nèi)部錠芯和冶金結(jié)合于所述內(nèi)部錠芯的外層。所述工藝及方法的特征為降低熱加工期間所述合金錠的表面破裂的發(fā)生率。

耐火陶瓷鑄造噴嘴 928     

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本發(fā)明涉及用于冶金應用的陶瓷耐火鑄造噴嘴。用語"噴嘴"包括允許金屬熔體流過對應的鑄造通道的所有類型的大致管形的耐火部分。即，這包括所謂的浸入式水口(SEN)和所謂的鋼包長水口。

生產(chǎn)單同位素硅Si28的方法 794     

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本發(fā)明涉及冶金學領域,特別是由富含Si²⁸的無機化合物,主要是四氟化硅來生產(chǎn)單同位素硅的方法。本方法包括將四氟化硅在高溫下還原,特征在于通過在180-200℃的溫度下將四氟化硅用氫化鈣還原的方法來制備硅烷,然后將得到的硅烷在800-900℃的溫度下進行高溫分解處理,且單同位素硅沉積到基體上的速度不超過0.5mm/小時。單同位素硅的沉積速度主要通過改變硅烷的供應速度來調(diào)節(jié)。沉積過程在一個預先得到的單同位素硅基體上進行,或者分兩個階段進行,第一階段是在一個難熔基體上,例如一個熔點高于硅沉積溫度的金屬基體進行沉積,然后,將得到的單同位素硅棒與基體脫離,繼續(xù)在第一階段得到的單同位素硅棒上進行沉積操作。

從難處理礦石回收貴金屬值的方法 664     

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一種用于從對浸出劑難處理礦石中回收貴金屬 的濕法冶金加工方法，包括：破碎礦石至不小于標稱 1/4寸(0.64cm)尺寸；無機酸酸化礦石；用硝酸處理 礦石的早期氧化；對該氧化礦石選擇地加入粘結(jié)劑； 硝酸堆處理礦石以完成礦石氧化；水洗堆礦石；以浸 出溶液堆攤處理礦石，并從該溶液中回收貴金屬，本 方法回收了在早期氧化和添加粘結(jié)劑階段產(chǎn)生的 NOx氣體，將其轉(zhuǎn)變?yōu)榭稍傺h(huán)用于處理礦石的硝 酸。本方法中化學物質(zhì)的處理可在室溫、大氣壓力下 進行。

具有增強的強度的用于滾子鏈條的偏置鏈節(jié) 961     

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本發(fā)明涉及一種具有至少一對偏置鏈節(jié)的滾子鏈條(20)，其中偏置鏈節(jié)板(28)由具有高鉻含量的鋼制成，并且使用等溫淬火熱處理(諸如鹽浴淬火)進行穿透硬化。所得偏置鏈節(jié)板在洛氏硬度標度上可以具有在44?50HRC的范圍內(nèi)的硬度，并且具有貝氏體冶金顯微組織。偏置鏈節(jié)板還可以具有比內(nèi)鏈節(jié)板(22)和外鏈節(jié)板(24)中的至少一者更大的疲勞強度。內(nèi)鏈節(jié)板和外鏈節(jié)板可以由加熱、淬火和回火以產(chǎn)生馬氏體顯微組織的普通碳鋼形成。

用于制造用于同步單元的滑動套筒的方法，滑動套筒以及同步單元 1038     

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本發(fā)明涉及一種用于制造用于同步單元的滑動套筒(12)的方法。在此，借助于切削或粉末冶金法制造具有用于換擋撥叉的接合輪廓(19)的滑動套筒本體(16)。接著將接合輪廓(19)的對接合輪廓(19)限界的面(21a，21b，21c)的至少一個部段和/或滑動套筒本體(16)的直接鄰接于接合輪廓(19)的面的至少一個部段塑性變形。此外，提出一種用于同步單元的滑動套筒(12)，所述滑動套筒具有滑動套筒本體(16)，在所述滑動套筒本體上設有用于換擋撥叉的接合輪廓(19)。此外提出一種具有這種滑動套筒(12)的同步單元。