頂部浸沒噴射噴槍 1089     

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一種通過頂部浸沒噴槍（TSL）噴射用來進行高溫冶金操作的噴槍，其具有內(nèi)和外基本上同心的管。所述內(nèi)管或至少次最內(nèi)管的下端部被設(shè)置在所述高溫冶金操作所需的相對于所述外管的下端部的水平。所述內(nèi)和外管的相對位置是縱向地可調(diào)節(jié)的，使所述混合室的長度在使用時段期間能夠被維持在希望的設(shè)置，以補償所述外管的下端部的磨損和燒損。

電機 1054     

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電機包括定子和轉(zhuǎn)子,所述轉(zhuǎn)子由于轉(zhuǎn)子和定子之間的相互作用,而旋轉(zhuǎn)。由于突出部面對定子在軸向上僅從轉(zhuǎn)子的轉(zhuǎn)子鐵心的圓周上突出,所以用于改善定子性能和鐵損的制造成本減到最少。另外,由于轉(zhuǎn)子鐵心由鐵粉末冶金制成,所以該轉(zhuǎn)子鐵心方便于設(shè)計。

耐熱涂覆部件,制備方法以及采用該部件進行的處理 1014     

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一種涂覆部件包括Mo，Ta，W，Zr或碳的基體 以及含稀土的氧化物的涂層，所述氧化物涂層表面層的維氏硬 度至少為50；或者，一種涂覆部件包括線膨脹系數(shù)至少為4×10－6(1/K)的基體以及位于在該基體上的含稀土的氧化物涂層。所述涂覆部件耐熱，可以用來作為在粉末冶金金屬、金屬陶瓷和陶瓷材料的燒結(jié)中使用的定位器件。

鋼軌的熱處理方法 992     

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包括軌頭、軌腰和軌底的鋼軌的熱處理方法,包括:鋼軌的每個截面連續(xù)地或同時地在高于鋼的冶金加熱變態(tài)終止時的溫度被預(yù)熱,以便同時地或連續(xù)地在鋼軌的每個截面內(nèi)的鋼均勻地有同質(zhì)的奧氏體結(jié)構(gòu);鋼軌每個截面的相應(yīng)于軌頭的部分連續(xù)地或同時地被過熱,以便鋼軌的每個截面的上述部分的平均溫度比鋼軌相同截面的相應(yīng)于軌底的部分的平均溫度至少高40℃;鋼軌的每個截面連續(xù)地或同時地在低于冷卻變態(tài)終止時的溫度被冷卻,以便得到遍及鋼軌截面的精細的珠光體結(jié)構(gòu);隨意地允許鋼軌的每個截面同時地或連續(xù)地冷卻至周圍環(huán)境的溫度。

直接熔煉工藝的啟動方法 759     

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啟動在冶金容器中由含金屬的原料生產(chǎn)鐵的直接熔煉工藝的方法。該容器包括多支原料噴槍/噴嘴(11、13)。該啟動方法包括如下步驟:(a)預(yù)熱該容器;(b)將鐵水爐料供入該容器,并在該容器中形成熔池;(c)經(jīng)一或多支噴槍/噴嘴將含碳物料及熔劑供入熔池,并噴含氧氣體,從而使碳和產(chǎn)自熔池的氣體(若有)燃燒,借以加熱熔池和生成爐渣;(d)將含金屬的原料供入容器中,同時繼續(xù)供應(yīng)含碳物料和熔劑并噴入含氧氣體,從而熔煉含金屬的原料,從而產(chǎn)生鐵水,借此完成該啟動方法。

用于低-K的互連結(jié)構(gòu)的柔順的鈍化邊緣密封 1046     

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本發(fā)明公開了芯片或芯片封裝的結(jié)構(gòu)，具有機械 上去耦但電耦合到芯片上的多層互連的最終鈍化層和端子冶 金。這種去耦使芯片可以經(jīng)受得住在最終鈍化區(qū)中的封裝應(yīng) 力，應(yīng)變從其中的去耦區(qū)和柔順的引線消除，因此芯片上的互 連層面不會感受到外部的封裝或其它的應(yīng)力。這種結(jié)構(gòu)特別適 合于由Cu和低－k的電介質(zhì)構(gòu)成的芯片上互連，該低－k的電 介質(zhì)相對于SiO2具有更差的機 械特性。去耦區(qū)在晶片上的所有芯片上延伸。它也可以延伸進 封邊或者切割溝槽區(qū)以允許芯片切割和在晶片 上的每個芯片周圍這種機械去耦特性的保持。

制造粉末金屬件的方法 919     

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一種由粉末金屬制造零部件的方法,該方法包括以下步驟:提供一種冶金粉末,它含有鐵、0-1.5wt%的硅、0.4wt%-0.9wt%的碳、0.5wt%-4.5wt%的鎳、0.5wt%-1.0wt%的鉬、0-0.5wt%的錳及0-1.5wt%的銅,所述重量百分比根據(jù)該粉末總重算得。接著,在25tsi-65tsi的壓力下壓制該冶金粉末以產(chǎn)生一密度為6.4g/cc-7.4g/cc的生壓坯。在2100°F-2400°F的溫度下高溫?zé)Y(jié)該壓坯。然后,選擇性地壓實該壓坯到大于7.6g/cc。燒結(jié)硬化該壓坯以獲得主要為馬氏體的微觀結(jié)構(gòu)。如果不需要可選的壓實,則可以直接高溫?zé)Y(jié)該壓坯。也揭示了通過此方法而制成的材料。

冷卻元件及其制造方法 713     

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本發(fā)明涉及在用于金屬制造的火法冶金反應(yīng)器結(jié)構(gòu)中使用的冷卻元件(1),該冷卻元件包括主要由銅制成的殼體元件(2),該殼體元件具有用于冷卻介質(zhì)循環(huán)的通道系統(tǒng),該通道系統(tǒng)由主要由銅制成的管(3)組成;在形成通道系統(tǒng)的管(3)的外表面上設(shè)有涂層(7,A),該涂層的熔點比殼體元件(2)和管(3,B)的材料的熔點低。本發(fā)明還涉及一種制造該冷卻元件的方法。

用于管狀熱交換器的支撐板和管狀熱交換器 1064     

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一種用于生產(chǎn)碳黑的管狀熱交換器,包括一個位于下端的支撐板,該支撐板包括一個上部翼梁支撐板,一個下部翼梁支撐板和一個位于支撐板之間的翼梁空間,熱交換管(13)通過支撐板伸出,在翼梁空間上設(shè)有進口(26)和出口(27)。翼梁空間被隔離壁(28)分成多個管道(29),每一個管道設(shè)置一個進口(26A-F)和一個出口(27A-F),并且每一個管道與多個熱交換管(13)相交。支撐板包括的至少一些零件最好用一種粉末冶金生產(chǎn)的含鉛的鐵基合金制成。通過這種方式,得到一種能夠承受高溫、腐蝕氣體和高負荷的支撐板。

制造閥門密封環(huán)的方法 929     

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本發(fā)明是關(guān)于采用粉末冶金法制造閥門密封環(huán) 的方法，該方法是將按重量計含有0.8—1.5％石墨， 1.0-4％鉛，0.5-5％鎳，1.2—1.8％鉬，9.6—14.4％ 鈷，其余為鐵的粉末混合物在40至60(最好為50)千牛 頓/厘米2壓力下壓成閥門密封環(huán)，使環(huán)在中性氣 氛中于1100℃到1200℃下燒結(jié)并在高于120千牛頓/ 厘米2壓力下最后壓制。如有必要，可進行熱處理。 本發(fā)明的粉末混合物添加了0.5—1.5重量％二硫化 鉬。

焊錫處理用烙鐵頭及其制造方法,使用該烙鐵頭的電烙鐵以及電熱吸錫烙鐵 978     

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一種焊錫處理用烙鐵頭(2),用于電烙鐵或電熱吸錫烙鐵,在由銅或銅合金構(gòu)成的烙鐵頭芯件(10)的頂端部設(shè)有通過粉末冶金法制得的金屬粒子燒結(jié)體構(gòu)成的烙鐵頭頂端部件20。金屬粒子燒結(jié)體采用適當(dāng)組合鐵、鎳及鈷各粒子的燒結(jié)基材,并根據(jù)需要采用適當(dāng)組合銅、銀、錫、硼及碳各粒子的第1燒結(jié)輔材或適當(dāng)組合釩、鈮、鉭、鉻及鉬各粒子的第2燒結(jié)輔材。

回收金的方法 673     

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本發(fā)明涉及一種與濕法冶金生產(chǎn)銅有關(guān)的從浸析銅原料產(chǎn)生的含硫和鐵的殘渣或中間產(chǎn)物回收金的方法。銅和金的回收在氯化物環(huán)境中進行。用二價銅和氧在氯化銅(II)-氯化鈉溶液中在這樣的環(huán)境中浸析殘渣或中間產(chǎn)物中所含的金,其中氧化-還原勢的最大值為650毫伏和pH值為至少1。殘渣中所含的鐵和硫絕大部分不溶解。

提煉含貴金屬的精礦的方法 805     

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本發(fā)明涉及一種提煉貴金屬精礦的方法,至少將貴金屬精礦(9)、反應(yīng)氣體(10)、助熔劑(11)和要處理的煙灰(12)一起送入懸浮熔煉爐(1)的反應(yīng)段(3);在懸浮熔煉爐中,得到分離的相,锍(8)和爐渣(7);在懸浮熔煉爐中產(chǎn)生的爐渣送入電爐(2),以致得到金屬化锍(14)和廢爐渣(13),此后懸浮熔煉爐得到的锍(8)送去濕法冶金處理(15),以及送入電爐的爐渣與還原劑可能還與降低熔點或提高流動性的材料一起處理,得到的金屬化锍(14)或者送去濕法冶金處理(16),或者返回懸浮熔煉爐(1)。

利用燒結(jié)方式成型的散熱片 1019     

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一種利用燒結(jié)方式成型的散熱片,包括以粉末冶金燒結(jié)成型的底座及金屬片彎折成型的散熱片體,底座上間隔設(shè)有多數(shù)個溝槽,散熱片體采彎折成連續(xù)矩形而形成多數(shù)片中空柵板狀,散熱片體的底部設(shè)有的凹槽配合于底座上,散熱片體的中間部底端卡合于底座的溝槽,利用底座燒結(jié)時會收縮使溝槽的間隙縮小而將散熱片體夾緊,或底座與散熱片體為相同的金屬,燒結(jié)為一體,具有較佳的熱傳導(dǎo)效率。

采用焊料上加金屬帽的芯片在柔性電路載體上實現(xiàn)倒裝片連接 936     

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一種將器件或封裝直接連接到低成本且具有高可靠性的柔性有機電路載體上的結(jié)構(gòu)和方法。用于連接的IC芯片上實現(xiàn)了一種新的焊料互連結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)包含一層淀積在高熔點的鉛-錫焊料球頂上的純錫。這些方法、技術(shù)和冶金學(xué)結(jié)構(gòu)使得能夠?qū)⑷我鈴?fù)雜度的電子器件直接連接到任意基片及任意封裝層次結(jié)構(gòu)上。而且,采用其它連接技術(shù)的器件或封裝,如SMT,BGA,TBGA等都可以連接到柔性電路載體上。

用于熔煉爐中的相水平的測量系統(tǒng) 1123     

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提供了一種用于確定火法冶金熔煉爐中的金屬、軸類件、锍或爐渣內(nèi)的液態(tài)液態(tài)或熔融金屬的水平所在水平的高度的無線系統(tǒng)以及一種集成智能系統(tǒng)。該無線系統(tǒng)包括配備有無線發(fā)射器?接收器設(shè)備的可編程邏輯控制器(PLC)，所述可編程邏輯控制器具有與固態(tài)繼電器和機電繼電器的電路連接的模擬輸入和離散輸出，所述電路與置于置于熔爐中的電極連接，所述電極浸沒在上述爐內(nèi)的冶金熔池的特定相中，所述可編程邏輯控制器通過所述發(fā)射器?接收器設(shè)備與控制接口連接。

具有磨損指示器的透氣塞 819     

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本發(fā)明涉及一種用于將氣體吹入冶金容器的透氣塞(1)，包括：(a)細長主體(2)，所述細長主體(2)由第一耐火材料制成并從第一入口端(2a)至第二出口端(2b)延伸距離H，所述距離H沿著中心縱向軸線(X1)測量，所述細長主體(2)包括，(b)至少一個氣流路徑(3)，所述氣流路徑(3)將位于所述細長主體的所述第一入口端的氣體入口(3a)流體地連接至位于所述相對第二出口端的氣體出口(3b)；(c)細長芯材形式的最終視覺磨損指示器(5)，所述細長芯材從所述第一入口端(2a)延伸至沿著所述中心縱向軸線(X1)所測量的第一距離h1處，所述第一距離h1小于所述細長主體的長度H，h1<H，所述最終視覺指示器由具有至少在包括在800℃和1500℃之間的溫度下不同于所述第一耐火材料的視覺外觀的第二耐火材料制成，其特征在于還包括中間視覺磨損指示器(4)，所述中間視覺磨損指示器(4)部分地嵌入所述最終視覺磨損指示器(5)中并從始于所述第一入口端(2a)的初始距離h0延伸至始于所述第一入口端(2a)的最終距離h2，其中h0<h1<h2<H，并且其中所述中間視覺磨損指示器(4)由第三材料制成，其允許至少在包括在800℃和1500℃之間的溫度下產(chǎn)生不同于所述第一耐火材料和所述第二耐火材料的視覺外觀。

清除電爐中的渣的方法 1006     

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本發(fā)明涉及一種在電爐中清除非鐵冶金過程中形成的渣的方法,該法尤其是涉及半連續(xù)清除法。按此新方法,該電爐設(shè)有至少兩個出渣口,其中的下出渣口位于與常規(guī)的,分批操作的爐子中的出渣口相同的水平面上,而第二出渣口位置較高,或在入料口高度處,或僅在其下稍低處。

用于調(diào)制摻雜的場效應(yīng)晶體管的增強的T形柵極及其制造方法 670     

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本發(fā)明公開了一種用于調(diào)制摻雜的場效應(yīng)晶體管(MODFET)的增強的T形柵極的結(jié)構(gòu)和方法。增強的T形柵極具有將T形柵極的頸部夾在之間的絕緣間隔層。間隔層薄于T形條部分懸伸部分。絕緣層提供了機械支撐并在隨后的器件處理期間保護了脆弱的頸部不受化學(xué)侵蝕,使T形柵極結(jié)構(gòu)具有高的伸縮性并提高了成品率。使用低介電常數(shù)的薄保形絕緣層可以確保低柵極寄生電容,并降低了在源-柵間距減小到較小尺寸時,柵極和源極冶金接觸短路的危險性。

鋁-硅合金的制備方法 847     

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本發(fā)明涉及一種制備Al-Si合金的方法,包括在700℃到850℃之間的溫度范圍,向熔融鋁中引入顆粒尺寸分布小于10mm的冶金硅顆粒,其中所述硅顆粒在達到熔融鋁的溫度時,表現(xiàn)出破碎成更小顆粒的性質(zhì)。優(yōu)選的,所述的硅是通過將在水中對液態(tài)硅造粒得到的材料,進行在1和10mm之間的粒度選擇而得到的。本發(fā)明能夠提高硅的溶解率并減少在制備過程中形成的雜質(zhì)。

氣體沖洗磚 861     

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冶金熔液容器用的一種氣體沖洗磚,其具有一個磨損部分(2)和一個保護部分(3)。工作的安全性得到改善,是通過使保護部分(3)的材料熱傳導(dǎo)能力高于磨損部分(2)的材料熱傳導(dǎo)能力,并且使細小的氣體通道(4)也延伸到保護部分(3)中。

具有壓力調(diào)節(jié)器的連續(xù)澆鑄水口 743     

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一種用于在冶金容器或模具之間傳送液態(tài)金屬流的水口,包括進口部分,用于接受液態(tài)金屬。調(diào)節(jié)器例如止動器桿可相對于進口部分從打開位置向關(guān)閉位置運動,以便分別允許和防止流過該水口。進口部分和該調(diào)節(jié)器確定了在它們之間的控制區(qū)域。在該控制區(qū)域下游的壓力調(diào)節(jié)器用于使橫過該控制區(qū)域的壓力差減至最小。該壓力調(diào)節(jié)器使得在控制區(qū)域下游的流動收縮。

具有高熱穩(wěn)定性的PM高速鋼 1042     

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本發(fā)明涉及一種利用粉末冶金技術(shù)制備的高速鋼物件,優(yōu)選用于高速切削特別是輕金屬及輕金屬合金的切削工具。為提高熱穩(wěn)定性和韌性以及降低磨損,特別是切削工具的上述性能,按本發(fā)明規(guī)定,PM物件具有與按DIN50602測試的值K0最高為3相應(yīng)的高純度以及以重量%計的下列化學(xué)組成:C 1.51至2.5;Si 至0.8;Mn 至1.5;Cr 3.5至4.5;W 13.3至15.3;Mo 2.0至3.0;V 4.5至6.9;Co 10.05至12.0;S 至0.52;N 至0.2;O 最多100ppm。具有值:錳減去硫(Mn-S)最少為0.19,其余為鐵和制備所引起的雜質(zhì)和伴生元素,前提條件是,鎢與鉬的濃度比在5.2至6.5之間,鈷的含量最高為鎢+鉬的值的70%。

催化劑再處理 766     

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描述了費托催化劑的再處理方法,所述方法包括以下步驟:(I)對所述費托催化劑進行脫蠟,(II)對所述脫蠟后的催化劑進行濕法冶金浸提或提取以將一種或多種催化劑金屬與催化劑載體材料分開,和(III)回收所分開的一種或多種催化劑金屬,其中使用加壓的近臨界或超臨界流體在使催化劑金屬尖晶石的生成最小化的條件下實施所述脫蠟步驟。

軋輥、輥環(huán)及這種軋輥的生產(chǎn)方法 1076     

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本發(fā)明涉及一種所謂的復(fù)合軋輥,一方面包括具有兩個軸向間隔分開的止動環(huán)(2,3)的軸(1),另一方面包括位于止動環(huán)之間的多個輥環(huán)(4),每個輥環(huán)由硬質(zhì)金屬外環(huán)(6)和較高韌性金屬的同心內(nèi)環(huán)(7)組成,該同心內(nèi)環(huán)通過冶金方法永久地結(jié)合于外環(huán),并具有從外環(huán)端部軸向伸出一段距離的凸緣(12)。根據(jù)本發(fā)明,各個軸環(huán)(4)通過一個或多個鎖定銷(19)剛性連接于軸(1),所述銷插入內(nèi)環(huán)的突出凸緣(12)中的通孔內(nèi)并且接合軸中的孔(21)。

制造具有低成型壓力的亞微米硬質(zhì)合金粉末混合物的方法 1069     

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本發(fā)明涉及制造具有低成型壓力、易于壓制的硬質(zhì)合金粉末的方法,該粉末適于通過粉末冶金技術(shù),即研磨、壓制和燒結(jié),來制造亞微米硬質(zhì)合金。本方法包括使用1-3重量%的下列組合物的壓模劑:即<90重量%的PEG;和10-75重量%、優(yōu)選25-50重量%的高分子量(C12-

具有改進的尖端輪廓的晶體管及其制造方法 1033     

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實施例是改進的晶體管結(jié)構(gòu)及該結(jié)構(gòu)的制造方法。具體地,實施例的濕法蝕刻形成具有改進的尖端形狀的源和漏區(qū),以通過改進短溝道效應(yīng)的控制、增加飽和電流、改進冶金柵長度的控制、增加載流子遷移率并減小源和漏及硅化物之間的界面處的接觸電阻來改進晶體管的性能。

對含砷的氧化物副產(chǎn)品進行再處理的方法 769     

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本發(fā)明涉及一種對火法冶金生產(chǎn)銅的工藝過程中得到的含砷的氧化物副產(chǎn)品——例如粉塵等——進行再處理的方法,以使其砷含量降低到可使各副產(chǎn)品能夠在該工藝過程中被進一步處理的水平,而銅和其它有價值的金屬則依然留在各副產(chǎn)品中。該方法的特征在于:氧化物副產(chǎn)品在670℃到770℃的溫度、于流化床反應(yīng)器中,在可使副產(chǎn)品中所含的砷氣化而轉(zhuǎn)移到存在于床層的氣相中的還原條件下進行處理。該氣體然后針對砷以適宜的方式進行凈化,而處理后的產(chǎn)品則返回熔煉工藝過程中適宜的點,以回收其中所含的金屬。

銀-氧化錫電接觸材料的制備方法及其制成的電接觸材料 1017     

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一種銀-氧化錫電接觸材料及其制備方法，包括：分別配制一定濃度的還原劑溶液、銀氨溶液和錫酸鈉溶液；將銀氨溶液與錫酸鈉溶液按一定比例混合，以構(gòu)成混合液，滴加乙酸于混合液中，調(diào)節(jié)混合液中的pH值，以形成含Ag+的Sn(OH)4溶膠或溶液；將還原劑溶液滴加入Sn(OH)4溶膠或溶液中，恒溫攪拌或超聲輔助反應(yīng)，靜置后去除上層清液，且清洗、干燥、冷卻后收集得到粉體；將粉體在非還原氣氛下進行熱處理，制備得到Ag-SnO2復(fù)合粉體。如此使其復(fù)合粉體的顆粒達納米級，提高燒結(jié)性能，解決了傳統(tǒng)粉末冶金工藝存在的SnO2與Ag界面結(jié)合問題，且具有制備工藝簡單、成本低、制備條件易于控制、合成周期短、產(chǎn)品性能良好等優(yōu)點。

太陽能電池的基板和其生產(chǎn)方法 670     

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本發(fā)明的多個方面包括用于在基板上沉積硅的方法。在某些實施例中,所述方法包括以足以將所述硅沉積在所述基板上的方式來將包含硅的基板暴露于鹵代硅烷。在某些實施例中,所述方法包括提供基板、一或多個氣體源以及反應(yīng)容器,所述反應(yīng)容器與所述基板和所述一或多個氣體源流體連通。在某些實施例中,所述基板是可經(jīng)受純化法來處理的低級或冶金級硅。在某些實施例中,反應(yīng)容器是包括移動床(諸如,包含硅的流化床)的粒子床反應(yīng)容器,并且所述氣體包括鹵化物。