本發(fā)明公開(kāi)了一種用于調(diào)制摻雜的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MODFET)的增強(qiáng)的T形柵極的結(jié)構(gòu)和方法。增強(qiáng)的T形柵極具有將T形柵極的頸部夾在之間的絕緣間隔層。間隔層薄于T形條部分懸伸部分。絕緣層提供了機(jī)械支撐并在隨后的器件處理期間保護(hù)了脆弱的頸部不受化學(xué)侵蝕,使T形柵極結(jié)構(gòu)具有高的伸縮性并提高了成品率。使用低介電常數(shù)的薄保形絕緣層可以確保低柵極寄生電容,并降低了在源-柵間距減小到較小尺寸時(shí),柵極和源極冶金接觸短路的危險(xiǎn)性。
聲明:
“用于調(diào)制摻雜的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的增強(qiáng)的T形柵極及其制造方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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