r-t和Tc的鉛基<001>C織構(gòu)壓電陶瓷材料及其制備方法,通用技術(shù)"> r-t和Tc的鉛基<001>C織構(gòu)壓電陶瓷材料及其制備方法,本發(fā)明提供的一種高Tr?t和Tc的鉛基<001>C織構(gòu)壓電陶瓷材料及其制備方法,利用(1?x?y)Pb(In1/2Nb1/2)O3?xPb(Sc1/2Nb1/2)O3?yPbTiO3(PIN?PSN?PT)體系作為織構(gòu)陶瓷粉體,x、y均表示摩爾分?jǐn)?shù),0.405≤x≤0.445,0.365≤y≤0.405;在<001>C BT模板上進(jìn)行織構(gòu),其主要原理是PIN?PSN?PT陶瓷粉體在水平<001>C BT模板上進(jìn)行定向生長">

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高Tr-t和Tc的鉛基<001>C織構(gòu)壓電陶瓷材料及其制備方法

955   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-18 14:29:35
本發(fā)明提供的一種高Tr?t和Tc的鉛基<001>C織構(gòu)壓電陶瓷材料及其制備方法,利用(1?x?y)Pb(In1/2Nb1/2)O3?xPb(Sc1/2Nb1/2)O3?yPbTiO3(PIN?PSN?PT)體系作為織構(gòu)陶瓷粉體,x、y均表示摩爾分?jǐn)?shù),0.405≤x≤0.445,0.365≤y≤0.405;在<001>C BT模板上進(jìn)行織構(gòu),其主要原理是PIN?PSN?PT陶瓷粉體在水平<001>C BT模板上進(jìn)行定向生長,獲得與單晶類似的各向異性的結(jié)構(gòu),從而獲得接近單晶的壓電性能,在此基礎(chǔ)上結(jié)合4R工程疇在非自發(fā)極化方向上極化,最終獲得高Tr?t和Tc及較高壓電性能的織構(gòu)陶瓷。
聲明:
“高Tr-t和Tc的鉛基<001>C織構(gòu)壓電陶瓷材料及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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