權(quán)利要求書： 1.一種光固化陶瓷漿料，其特征在于，包括以下質(zhì)量百分含量的各原料：SiC@SiO2粉末：25％?60％；

光固化樹脂：10％?40％；

碳源樹脂：10％?40％；

光引發(fā)劑：0.1％?2％；

分散劑：2％?6％；

所述SiC@SiO2粉末包括SiC核體和包覆在所述SiC核體表面的SiO2殼層；所述SiC核體的粒徑與所述SiO2殼層的厚度之比為1:(0.15?0.5)；所述SiC@SiO2粉末是由高溫氧化法制備得到，所述高溫氧化法包括：將SiC粉末在800℃～1200℃下保溫1h?20h，得到SiC@SiO2粉末粗品，將所述SiC@SiO2粉末粗品經(jīng)破碎和過篩得到SiC@SiO2粉末；所述SiC@SiO2粉末包括第一SiC@SiO2粉末和第二SiC@SiO2粉末；所述第一SiC@SiO2粉末的粒徑大于0.1μm且小于或等于5μm；所述第二SiC@SiO2粉末的粒徑大于5μm且小于或等于32μm；所述第二SiC@SiO2粉末與所述第一SiC@SiO2粉末的體積比大于0且小于或等于1；所述碳源樹脂在800℃時的殘?zhí)悸蚀笥诨虻扔?0％；所述SiC@SiO2粉末與所述碳源樹脂的質(zhì)量比為1:(0.4?1)。

2.如權(quán)利要求1所述的光固化陶瓷漿料，其特征在于，所述SiC核體的粒徑為0.1μm?30μm；所述SiO2殼層的厚度為20nm?2000nm。

3.如權(quán)利要求1所述的光固化陶瓷漿料，其特征在于，所述碳源樹脂包括酚醛樹脂。

4.如權(quán)利要求1所述的光固化陶瓷漿料，其特征在于，所述光固化樹脂包括三羥甲基丙烷三丙烯酸、1,6?己二醇二丙烯酸酯和聚二六丙烯酸酯中的一種或多種。

5.如權(quán)利要求1所述的光固化陶瓷漿料，其特征在于，所述光引發(fā)劑包括二苯基(2,4,

6?三甲基苯甲?；?氧化膦、2,2?二甲氧基?2?苯基苯乙酮、2?異丙基硫雜蒽酮、2?羥基?2?甲基?1?苯基?1?丙酮和1?羥基環(huán)己基苯基甲酮中的一種或多種。

6.如權(quán)利要求1所述的光固化陶瓷漿料，其特征在于，所述光固化陶瓷漿料的粘度為

1Pa·s?5Pa·s。

7.一種碳化硅陶瓷的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：將光固化陶瓷漿料經(jīng)光固化成型得到SiC@SiO2陶瓷坯體；所述光固化陶瓷漿料包括以下質(zhì)量百分含量的各原料：

SiC@SiO2粉末：25％?60％；

光固化樹脂：10％?40％；

碳源樹脂：10％?40％；

光引發(fā)劑：0.1％?2％；

分散劑：2％?6％；

所述SiC@SiO2粉末包括SiC核體和包覆在所述SiC核體表面的SiO2殼層；所述SiC核體的粒徑與所述SiO2殼層的厚度之比為1:(0.15?0.5)；所述SiC@SiO2粉末是由高溫氧化法制備得到，所述高溫氧化法包括：將SiC粉末在800℃～1200℃下保溫1h?20h，得到SiC@SiO2粉末粗品，將所述SiC@SiO2粉末粗品經(jīng)破碎和過篩得到SiC@SiO2粉末；所述SiC@SiO2粉末包括第一SiC@SiO2粉末和第二SiC@SiO2粉末；所述第一SiC@SiO2粉末的粒徑大于0.1μm且小于或等于5μm；所述第二SiC@SiO2粉末的粒徑大于5μm且小于或等于32μm；所述第二SiC@SiO2粉末與所述第一SiC@SiO2粉末的體積比大于0且小于或等于1；所述碳源樹脂在800℃時的殘?zhí)悸蚀笥诨虻扔?0％；所述SiC@SiO2粉末與所述碳源樹脂的質(zhì)量比為1:(0.4?1)；

將所述SiC@SiO2陶瓷坯體經(jīng)程序升溫使所述碳源樹脂碳化，隨后在1000℃?1700℃下保溫2h?8h使SiO2碳化生成SiC，得到碳化硅陶瓷。

8.如權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述程序升溫的條件為：以不高于3℃/min的升溫速度升溫至150℃?220℃，保溫1?3h；以不高于3℃/min的升溫速度升溫至250℃?

380℃，保溫1?3h；以不高于3℃/min的升溫速度升溫至700℃?900℃，保溫1?3h。

9.如權(quán)利要求7所述的制備方法，其特征在于，所述制備方法還包括：將所述碳化硅陶瓷與硅?；旌希?500℃?1650℃下保溫10min?60min，得到致密化的碳化硅陶瓷。

說明書： 一種光固化陶瓷漿料和碳化硅陶瓷的制備方法技術(shù)領(lǐng)域[0001] 本申請涉及陶瓷增材制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種光固化陶瓷漿料和碳化硅陶瓷的制備方法。

背景技術(shù)[0002] 碳化硅陶瓷具有化學(xué)性能穩(wěn)定、耐磨性能好、硬度大、機(jī)械強(qiáng)度高和耐化學(xué)腐蝕等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于航空航天、半導(dǎo)體和核工業(yè)領(lǐng)域。相對傳統(tǒng)陶瓷制備工藝，光固化陶瓷成

型具有成型精度高、成型周期短、工藝簡單等優(yōu)點(diǎn)。然而由于碳化硅對紫外光的吸收較強(qiáng)且

碳化硅與光固化樹脂的折光率相差較大，導(dǎo)致碳化硅陶瓷漿料的光固化成型效率低。因此

有必要提供一種光固化陶瓷漿料，以解決現(xiàn)有碳化硅陶瓷漿料光固化性能差的問題。

發(fā)明內(nèi)容[0003] 為解決上述問題，本申請?zhí)峁┝艘环N光固化陶瓷漿料，該光固化陶瓷漿料具有良好的光固化成型效率，有效縮短了碳化硅陶瓷的光固化成型時間，并且制備得到的碳化硅

陶瓷具有高強(qiáng)度、高致密度和高精度，能夠?qū)崿F(xiàn)復(fù)雜精細(xì)SiC陶瓷零件的快速制造。本申請

還提供了一種碳化硅陶瓷的制備方法。

[0004] 本申請第一方面提供了一種光固化陶瓷漿料，包括以下質(zhì)量百分含量的各原料：[0005] SiC@SiO2粉末：25％?60％；[0006] 光固化樹脂：10％?40％；[0007] 碳源樹脂：10％?40％；[0008] 光引發(fā)劑：0.1％?2％；[0009] 分散劑：2％?6％；[0010] 所述SiC@SiO2粉末包括SiC核體和包覆在所述SiC核體表面的SiO2殼層；所述碳源樹脂在800℃時的殘?zhí)悸蚀笥诨虻扔?0％。

[0011] 本申請通過在SiC表面包覆SiO2殼層降低了SiC對紫外光的吸收，并且形成的SiC@SiO2粉末具有較低的折射率，從而有效提高了紫外光在陶瓷漿料中的透射深度，降低了陶

瓷漿料的臨界曝光能量，增加了單位時間內(nèi)陶瓷漿料的固化厚度，提高光固化效率，保證制

備出的碳化硅陶瓷具有較高的精度；光固化樹脂在光引發(fā)劑的作用下，經(jīng)紫外光照射能夠

實(shí)現(xiàn)碳化硅陶瓷的光固化；由于SiO2的引入會降低碳化硅陶瓷的耐高溫性能，添加一定含

量的碳源樹脂可以消除SiO2，碳源樹脂具有高的殘?zhí)悸?，在陶瓷的燒結(jié)過程中，碳源樹脂熱

解形成的碳能夠與SiO2反應(yīng)生成SiC，從而提高碳化硅陶瓷的耐高溫性能。分散劑能夠促進(jìn)

SiC@SiO2粉末在漿料中均勻分散，抑制粉末團(tuán)聚，并且提高漿料的固相含量，降低陶瓷燒結(jié)

的收縮率。

[0012] 可選的，所述SiC核體的粒徑為0.1μm?30μm。進(jìn)一步地，所述SiC核體的粒徑為3μm?20μm。

[0013] 可選的，所述SiO2殼層的厚度為20nm?2000nm。進(jìn)一步地，所述SiO2殼層的厚度為30nm?1000nm。

[0014] 可選的，所述SiC@SiO2粉末包括第一SiC@SiO2粉末和第二SiC@SiO2粉末；所述第一SiC@SiO2粉末的粒徑大于0.1μm且小于或等于5μm；所述第二SiC@SiO2粉末的粒徑大于5μm且

小于或等于32μm。

[0015] 可選的，所述第二SiC@SiO2粉末與所述第一SiC@SiO2粉末的體積比大于0且小于或等于1。

[0016] 可選的，所述SiC@SiO2粉末是由高溫氧化法制備得到的；所述高溫氧化法包括：將SiC粉末在800℃?1200℃下保溫1h?20h，得到SiC@SiO2粉末粗品。所述SiC@SiO2粉末粗品經(jīng)

后處理得到SiC@SiO2粉末。

[0017] 可選的，所述高溫氧化法的升溫速率為1℃/min?5℃/min。[0018] 可選的，所述后處理包括破碎和過篩。[0019] 可選的，所述破碎包括研磨，所述研磨包括濕法球磨。[0020] 可選的，濕法球磨的料球比為1∶(2?4)。[0021] 可選的，所述濕法球磨的球磨時間為12h?48h。[0022] 可選的，所述濕法球磨的溶劑包括乙醇，所述乙醇與所述SiC@SiO2粉末粗品的體積比為1∶(1?19)。

[0023] 可選的，所述濕法球磨還包括加入硅烷偶聯(lián)劑，所述SiC@SiO2粉末粗品與所述硅烷偶聯(lián)劑的質(zhì)量比為1∶(0.005?0.1)。

[0024] 可選的，所述碳源樹脂包括酚醛樹脂。[0025] 可選的，所述碳源樹脂包括酚醛環(huán)氧丙烯酸酯和苯并噁嗪中的一種或多種。[0026] 可選的，所述光固化樹脂包括三羥甲基丙烷三丙烯酸、1,6?己二醇二丙烯酸酯和聚二六丙烯酸酯中的一種或多種。

[0027] 可選的，所述光引發(fā)劑包括二苯基(2,4,6?三甲基苯甲?；?氧化膦、2,2?二甲氧基?2?苯基苯乙酮、2?異丙基硫雜蒽酮、2?羥基?2?甲基?1?苯基?1?丙酮和1?羥基環(huán)己基苯

基甲酮中的一種或多種。

[0028] 可選的，所述分散劑包括丙烯酸酯型分散劑、聚氨酯型分散劑和聚酯型分散劑中的一種或多種。

[0029] 可選的，所述光固化陶瓷漿料的粘度為1Pa·s?5Pa·s。[0030] 本申請第二方面提供了一種碳化硅陶瓷的制備方法，包括以下步驟：[0031] 將光固化陶瓷漿料經(jīng)光固化成型得到SiC@SiO2陶瓷坯體；所述光固化陶瓷漿料包括以下質(zhì)量百分含量的各原料：

[0032] SiC@SiO2粉末：25％?60％；[0033] 光固化樹脂：10％?40％；[0034] 碳源樹脂：10％?40％；[0035] 光引發(fā)劑：0.1％?2％；[0036] 分散劑：2％?6％；[0037] 所述SiC@SiO2粉末包括SiC核體和包覆在所述SiC核體表面的SiO2殼層；所述碳源樹脂在800℃時的殘?zhí)悸蚀笥诨虻扔?0％；

[0038] 將所述SiC@SiO2陶瓷坯體經(jīng)程序升溫使所述碳源樹脂碳化，隨后在1000℃?1700℃下保溫2h?8h使SiO2碳化生成SiC，得到碳化硅陶瓷。

[0039] 可選的，所述程序升溫的條件為：以不高于3℃/min的升溫速度升溫至150℃?220℃，保溫1?3h；以不高于3℃/min的升溫速度升溫至250℃?380℃，保溫1?3h；以不高于3℃/

min的升溫速度升溫至700℃?900℃，保溫1?3h。

[0040] 可選的，所述制備方法還包括：將所述SiC陶瓷與硅粒混合，在1500℃?1650℃下保溫10min?60min，得到致密化的碳化硅陶瓷。

[0041] 可選的，所述光固化成型采用的設(shè)備包括立體光固化成型機(jī)和數(shù)字光處理成型機(jī)中的任意一種。

[0042] 可選的，采用立體光固化成型機(jī)進(jìn)行光固化成型時，立體光固化成型機(jī)的激光功率為0.1w?3w，立體光固化成型機(jī)的掃描速度為1000mm/s?4000mm/s，立體光固化成型機(jī)的

分層厚度為10μm?150μm。

[0043] 可選的，采用數(shù)字光處理成型機(jī)進(jìn)行光固化成型時，數(shù)字光處理成型機(jī)的激光功率為7mw/cm2?100mw/cm2，數(shù)字光處理成型機(jī)的曝光時間為1s?90s，數(shù)字光處理成型機(jī)的分

層厚度為10μm?150μm。

[0044] 本申請第二方面提供的碳化硅陶瓷的制備方法操作簡便，工藝簡單，生產(chǎn)周期短，適合工業(yè)化量產(chǎn)；通過光固化成型技術(shù)可制備出高精度和復(fù)雜結(jié)構(gòu)的碳化硅陶瓷，所得的

碳化硅陶瓷致密度高、耐高溫性能好，具有良好的應(yīng)用前景。

附圖說明[0045] 圖1為本申請一實(shí)施例提供的光固化陶瓷漿料的制備工藝流程圖；[0046] 圖2為本申請一實(shí)施例提供的碳化硅陶瓷的制備工藝流程圖；[0047] 圖3為本申請實(shí)施例1制得的SiC@SiO2粉末的掃描電鏡圖；[0048] 圖4為本申請實(shí)施例2制得的SiC@SiO2粉末的掃描電鏡圖；[0049] 圖5為本申請實(shí)施例1?2和對比例1的光固化陶瓷漿料的光固化效率測試對比圖；[0050] 圖6為本申請實(shí)施例1和對比例1光固化陶瓷漿料在90s曝光時間下固化厚度的對比圖，其中，圖6中(a)為對比例1光固化陶瓷漿料在90s曝光時間下固化厚度圖，圖6中(b)為

實(shí)施例1光固化陶瓷漿料在90s曝光時間下固化厚度圖；

[0051] 圖7為本申請實(shí)施例1光固化陶瓷漿料的光固化打印效果圖，其中，圖7中(a)為實(shí)施例4陶瓷零件的三維模型圖，圖7中(b)為實(shí)施例4的SiC@SiO2陶瓷坯體的照片。

具體實(shí)施方式[0052] 下面將結(jié)合本申請實(shí)施例中的附圖，對本申請實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本申請一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；?br />
本申請中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他

實(shí)施例，都屬于本申請保護(hù)的范圍。

[0053] 本申請?zhí)峁┝艘环N光固化陶瓷漿料，包括以下質(zhì)量百分含量的各原料：[0054] SiC@SiO2粉末：25％?60％；[0055] 光固化樹脂：10％?40％；[0056] 碳源樹脂：10％?40％；[0057] 光引發(fā)劑：0.1％?2％；[0058] 分散劑：2％?6％。[0059] 本申請實(shí)施方式中，SiC@SiO2粉末包括SiC核體和包覆在SiC核體表面的SiO2殼層。SiO2具有較低的折射率，將SiO2包覆到SiC表面時，可以有效降低SiC對紫外光的吸收及其與

光固化樹脂之間的折射率差值，提高紫外光在漿料中的透射深度以及陶瓷層在單位時間內(nèi)

的固化厚度，降低臨界曝光能量，提高光固化陶瓷漿料的光固化性能，有利于制備出具有較

高結(jié)構(gòu)精度和高致密度的碳化硅陶瓷。

[0060] 本申請實(shí)施方式中，SiC核體的粒徑為0.1μm?30μm。SiC核體的粒徑具體可以但不限于為0.1μm、0.5μm、1μm、3μm、5μm、7μm、10μm、15μm或30μm。本申請實(shí)施方式中，SiO2殼層的

厚度為20nm?2000nm。SiO2殼層的厚度具體可以但不限于為20nm、30nm、50nm、70nm、100nm、

200nm、400nm、600nm、800nm、1000nm、1500nm或2000nm。本申請實(shí)施方式中，SiC核體的粒徑

與SiO2殼層的厚度之比為1∶(0.01?0.5)。本申請一些實(shí)施方式中，SiC核體的粒徑與SiO2殼

層的厚度之比為1∶0.15?？刂芐iC核體的粒徑與SiO2殼層的厚度之比在上述范圍能夠保證

SiO2充分包覆SiC核體，從而有效降低SiC對紫外光的吸收以及碳化硅與光固化樹脂間的折

射率差值；并且SiO2不會過多的影響SiC在漿料中的含量，保證碳化硅陶瓷具有較高的硬度

和耐高溫性能。

[0061] 本申請實(shí)施方式中，SiC@SiO2粉末的粒徑為0.1μm?32μm。本申請一些實(shí)施方式中，SiC@SiO2粉末包括第一SiC@SiO2粉末和第二SiC@SiO2粉末，其中，第一SiC@SiO2粉末的粒徑

大于0.1μm且小于或等于5μm，第二SiC@SiO2粉末的粒徑大于5μm且小于或等于32μm。本申請

實(shí)施方式中，第二SiC@SiO2粉末與第一SiC@SiO2粉末的體積比大于0且小于或等于1。通過對

SiC@SiO2粉末進(jìn)行顆粒級配能夠使小粒徑SiC@SiO2粉末充分地填充在大粒徑SiC@SiO2粉末

之間，保證碳化硅陶瓷具有較高的致密度；并且在燒結(jié)過程中，采用顆粒級配能夠減小晶界

與氣孔的分離區(qū)以及降低燒結(jié)溫度，燒結(jié)溫度的降低能夠減少晶粒的異常生長，保證陶瓷

晶粒分布均勻，從而提高碳化硅陶瓷的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。

[0062] 本申請實(shí)施方式中，SiC@SiO2粉末占光固化陶瓷漿料的質(zhì)量百分含量為25％?60％。SiC@SiO2粉末占光固化陶瓷漿料的質(zhì)量百分含量具體可以但不限于為25％、30％、

40％、50％、55％或60％?？刂芐iC@SiO2粉末的含量在上述范圍可以保證光固化陶瓷漿料具

有一定的固相含量并且漿料具有較好的流動性。

[0063] 本申請中，在SiC表面包覆SiO2會降低碳化硅陶瓷的耐高溫性能，并且由于SiC與SiO2熱膨脹系數(shù)不同，在長期的使用過程中SiO2層可能會與SiC分離，導(dǎo)致碳化硅陶瓷出現(xiàn)

裂紋，陶瓷的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性變差。為解決上述問題，本申請?jiān)诠夤袒沾蓾{料中加入碳源樹

脂，并且該碳源樹脂在800℃時的殘?zhí)悸蚀笥诨虻扔?0％。碳源樹脂在碳化硅陶瓷的燒結(jié)過

程中能夠發(fā)生熱解生成碳，SiC@SiO2粉末中的SiO2能夠與碳反應(yīng)生成SiC，從而消除包覆SiC

引入的SiO2，保證碳化硅陶瓷具有良好的耐高溫性能和結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。

[0064] 本申請實(shí)施方式中，SiC@SiO2粉末與碳源樹脂的質(zhì)量比為1∶(0.2?1.6)。SiC@SiO2粉末與碳源樹脂的質(zhì)量比具體可以但不限于為1∶0.2、1∶0.4、1∶0.5、1∶0.8、1∶1、1∶1.3或1∶

1.6。控制SiC@SiO2粉末與碳源樹脂的質(zhì)量比在上述范圍可保證碳源樹脂充分地與SiO2反

應(yīng)，從而消除陶瓷坯體中的SiO2。

[0065] 本申請中，采用高殘?zhí)悸实奶荚礃渲€可以提高碳化硅陶瓷的致密度和結(jié)構(gòu)精度。具體的，光固化漿料中光固化樹脂的殘?zhí)悸实停夤袒瘶渲跓峤鈺r會產(chǎn)生較多氣孔，

并導(dǎo)致陶瓷坯體收縮，本申請?jiān)诠夤袒瘽{料中添加碳源樹脂可以減少陶瓷漿料在燒結(jié)過程

中的固化收縮，從而提高碳化硅陶瓷的致密度和結(jié)構(gòu)精度。本申請實(shí)施方式中，碳源樹脂在

800℃時的殘?zhí)悸蚀笥诨虻扔?0％。碳源樹脂在800℃時的殘?zhí)悸士梢允谴笥诨虻扔?0％，

也可以是大于或等于60％，碳源樹脂的殘?zhí)悸试礁撸接欣谛纬筛咧旅芏群徒Y(jié)構(gòu)精度的

陶瓷件。本申請一些實(shí)施方式中，碳源樹脂為酚醛樹脂。本申請一些實(shí)施方式中，酚醛樹脂

包括酚醛環(huán)氧丙烯酸酯和苯并噁嗪中的一種或多種。本申請一些實(shí)施方式中，采用2130型

酚醛樹脂作為碳源樹脂。本申請實(shí)施方式中，碳源樹脂占光固化陶瓷漿料的質(zhì)量百分含量

為10％?40％。碳源樹脂占光固化陶瓷漿料的質(zhì)量百分含量具體可以但不限于為10％、

20％、30％或40％。

[0066] 本申請中，光引發(fā)劑在紫外光的照射下，能夠產(chǎn)生自由基和陽離子等，從而催化光固化樹脂發(fā)生聚合交聯(lián)固化，進(jìn)而使碳化硅陶瓷坯體固化成型。本申請實(shí)施方式中，當(dāng)碳源

樹脂的結(jié)構(gòu)含有不飽和官能團(tuán)時，光引發(fā)劑也能夠催化碳源樹脂發(fā)生聚合交聯(lián)固化，從而

提高漿料的光固化效率。本申請一些實(shí)施方式中，碳源樹脂為酚醛環(huán)氧丙烯酸酯，光引發(fā)劑

可以同時催化碳源樹脂和光固化樹脂發(fā)生固化，使碳化硅陶瓷坯體固化成型。本申請實(shí)施

方式中，光引發(fā)劑包括二苯基(2,4,6?三甲基苯甲?；?氧化膦、2,2?二甲氧基?2?苯基苯乙

酮、2?異丙基硫雜蒽酮、2?羥基?2?甲基?1?苯基?1?丙酮和1?羥基環(huán)己基苯基甲酮中的一種

或多種。本申請實(shí)施方式中，光固化樹脂包括三羥甲基丙烷三丙烯酸、1,6?己二醇二丙烯酸

酯和聚二六丙烯酸酯中的一種或多種。采用上述光固化樹脂可保證光固化后的陶瓷坯體具

有較高的強(qiáng)度和硬度。

[0067] 本申請實(shí)施方式中，光固化樹脂占光固化陶瓷漿料的質(zhì)量百分含量為10％?40％。光固化樹脂占光固化陶瓷漿料的質(zhì)量百分含量具體可以但不限于為10％、20％、30％或

40％?？刂乒夤袒瘶渲暮磕軌虮ＷC光固化后的陶瓷坯體具有較高的光固化精度。本申

請實(shí)施方式中，光引發(fā)劑占光固化陶瓷漿料的質(zhì)量百分含量為0.1％?2％。本申請實(shí)施方式

中，光固化樹脂與光引發(fā)劑的質(zhì)量比為1∶(0.01?0.05)。光固化樹脂與光引發(fā)劑的質(zhì)量比具

體可以但不限于為1∶0.01、1∶0.02、1∶0.03、1∶0.04或1∶0.05?？刂乒夤袒瘶渲c光引發(fā)劑

的質(zhì)量比能夠保證陶瓷漿料具有適中的光固化速率，使最終制備的碳化硅陶瓷具有穩(wěn)定的

性能。

[0068] 本申請中，添加分散劑能夠保證SiC@SiO2粉末均勻分散在光固化陶瓷漿料中，提升陶瓷漿料的穩(wěn)定性。本申請實(shí)施方式中，分散劑可以是丙烯酸酯類分散劑、聚氨酯類分散

劑和聚酯類分散劑中的一種或多種。本申請一些實(shí)施方式中，分散劑的牌號為KY100。本申

請實(shí)施方式中，分散劑占光固化陶瓷漿料的質(zhì)量百分含量為2％?6％。分散劑占光固化陶瓷

漿料的質(zhì)量百分含量具體可以但不限于為2％、3％、4％、5％或6％。

[0069] 本申請實(shí)施方式中，光固化陶瓷漿料的粘度為1Pa·s?5Pa·s。本申請的光固化陶瓷漿料粘度低，流動性好，有利于制備高精度和復(fù)雜結(jié)構(gòu)的碳化硅陶瓷。

[0070] 本申請?zhí)峁┑墓夤袒沾蓾{料光固化效率高，具有良好的光固化性能；并且光固化陶瓷漿料組分均勻，穩(wěn)定性好；采用該光固化陶瓷漿料制備得到的碳化硅陶瓷結(jié)構(gòu)精度

高，具有良好的耐高溫性能和結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。

[0071] 本申請還提供了上述光固化陶瓷漿料的制備方法，包括：將SiC@SiO2粉末、光固化樹脂、碳源樹脂、光引發(fā)劑和分散劑混合均勻后，得到光固化陶瓷漿料。本申請一些實(shí)施方

式中，混合過程為：將SiC@SiO2粉末、光固化樹脂、碳源樹脂、光引發(fā)劑和分散劑經(jīng)機(jī)械攪拌

后，在行星球磨機(jī)中進(jìn)行球磨，得到光固化陶瓷漿料。本申請一些實(shí)施方式中，機(jī)械攪拌的

時間為20?40min，球磨的轉(zhuǎn)速為200r/min?500r/min，球磨的時間為2h?24h。

[0072] 本申請實(shí)施方式中，SiC@SiO2粉末的制備方法包括化學(xué)氣相沉積法和高溫氧化法。本申請一些實(shí)施方式中，SiC@SiO2粉末是由高溫氧化法制備得到的，采用高溫氧化法可

以在SiC顆粒表面形成均勻且致密的SiO2層，有利于SiO2層完整地包覆SiC顆粒；并且SiO2層

可以與SiC緊密結(jié)合，從而保證碳化硅陶瓷具有良好的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。除此之外，高溫氧化法

的成本較低，有利于進(jìn)行工業(yè)化生產(chǎn)。本申請實(shí)施方式中，高溫氧化法的原理為：在大氣環(huán)

境和高溫條件下，SiC能夠與空氣中的氧氣發(fā)生鈍性氧化反應(yīng)，從而在SiC表面生成一層致

密的SiO2層，即得到SiC@SiO2粉末。

[0073] 本申請一些實(shí)施方式中，光固化陶瓷漿料的制備過程為：[0074] 步驟100：將SiC粉末在800℃?1200℃下保溫1h?20h，得到SiC@SiO2粉末粗品；[0075] 步驟200：將SiC@SiO2粉末粗品經(jīng)后處理得到得到SiC@SiO2粉末；[0076] 步驟300：將SiC@SiO2粉末、光固化樹脂、碳源樹脂、光引發(fā)劑和分散劑混合均勻后，得到光固化陶瓷漿料。

[0077] 請參閱圖1，圖1為本申請一實(shí)施例提供的光固化陶瓷漿料的制備工藝流程圖。其中，步驟100與步驟200為SiC@SiO2粉末的制備，所述SiC@SiO2粉末是通過高溫氧化法制得

的。本申請實(shí)施方式中，高溫氧化法的溫度為800℃?1200℃，高溫氧化法的升溫速率為1℃/

min?5℃/min，高溫氧化法的反應(yīng)時間為1h?20h。其中，高溫氧化法的溫度具體可以但不限

于為800℃、900℃、1000℃、1100℃或1200℃。控制高溫氧化法的溫度可以有效調(diào)節(jié)SiC@

SiO2粉末中SiO2殼層的厚度，從而保證光固化陶瓷漿料具有良好的光固化性能。

[0078] 本申請中，高溫氧化法得到的SiC@SiO2粉末粗品粒徑不夠均一，還需要對SiC@SiO2粉末粗品進(jìn)行后處理以獲得良好性能的光固化陶瓷漿料。本申請實(shí)施方式中，對SiC@SiO2

粉末粗品的后處理包括破碎和過篩。本申請實(shí)施方式中，破碎過程使用的設(shè)備可以是機(jī)械

沖擊式粉碎機(jī)、氣流粉碎機(jī)、球磨機(jī)、振動磨、攪拌磨中的一種或多種。本申請一些實(shí)施方式

中，破碎的方式為濕法球磨。

[0079] 本申請實(shí)施方式中，濕法球磨的料球比為1∶(2?4)，濕法球磨的球磨時間為12h?48h。本申請一些實(shí)施方式中，濕法球磨的溶劑為乙醇，乙醇與SiC@SiO2粉末粗品的體積比

為1∶(1?19)。采用乙醇作為溶劑時，可以很好地縮短SiC@SiO2粉末粗品的球磨時間，提高球

磨效率。本申請一些實(shí)施方式中，濕法球磨過程中還加入了硅烷偶聯(lián)劑，SiC@SiO2粉末粗品

與硅烷偶聯(lián)劑的質(zhì)量比為1∶(0.005?0.1)。在球磨過程中添加硅烷偶聯(lián)劑能夠提高SiC@

SiO2粉末在光固化陶瓷漿料中的分散性，降低陶瓷漿料粘度，有利于提高SiC@SiO2陶瓷坯體

的結(jié)構(gòu)精度。本申請一些實(shí)施方式中，硅烷偶聯(lián)劑的牌號為KH570。本申請實(shí)施方式中，濕法

球磨完成后對混合物進(jìn)行過濾和干燥，得到SiC@SiO2粉末。本申請一些實(shí)施方式中，SiC@

SiO2粉末過篩所使用的目數(shù)為70目?100目。

[0080] 本申請?zhí)峁┑墓夤袒沾蓾{料的制備方法操作簡便，適合工業(yè)化量產(chǎn)；在漿料的制備過程中，高溫氧化法能夠高效地在SiC表面包覆SiO2，從而有效降低SiC對紫外光的吸

收以及減小SiC與光固化樹脂之間的折射率差值；通過對氧化工藝參數(shù)的設(shè)置可以調(diào)節(jié)表

面包覆SiO2的含量，根據(jù)SiO2的含量來添加適當(dāng)含量的碳源樹脂能夠?qū)崿F(xiàn)對碳化硅陶瓷組

分的控制，從而調(diào)節(jié)碳化硅陶瓷的性能。

[0081] 本申請還提供了一種碳化硅陶瓷的制備方法，請參閱圖2，圖2為本申請一實(shí)施例提供的碳化硅陶瓷的制備工藝流程圖。碳化硅陶瓷的制備方法包括以下步驟：

[0082] 步驟S1：將光固化陶瓷漿料經(jīng)光固化成型得到SiC@SiO2陶瓷坯體；[0083] 步驟S2：將SiC@SiO2陶瓷坯體經(jīng)程序升溫得到SiC@SiO2/C陶瓷坯體；[0084] 步驟S3：將SiC@SiO2/C陶瓷坯體在1000℃?1650℃下保溫2h?8h得到碳化硅陶瓷。[0085] 本申請實(shí)施方式中，步驟S1具體包括：將光固化陶瓷漿料倒入光固化成型設(shè)備料槽中，再導(dǎo)入待制備陶瓷件的模型數(shù)據(jù)，同時設(shè)置加工參數(shù)，經(jīng)設(shè)備加工后得到SiC@SiO2陶

瓷坯體。本申請一些實(shí)施方式中，待制備陶瓷件的模型數(shù)據(jù)是通過三維造型軟件設(shè)計(jì)陶瓷

件三維模型然后進(jìn)行數(shù)據(jù)分層得到的。本申請實(shí)施方式中，光固化成型設(shè)備包括立體光固

化成型機(jī)(Stereolithography,SLA)和數(shù)字光處理成型機(jī)(DigitalLightProcessing,

DLP)。本申請一些實(shí)施方式中，光固化成型設(shè)備為立體光固化成型機(jī)，立體光固化成型機(jī)的

激光功率為0.1w?3w，掃描速度為1000mm/s?4000mm/s，加工參數(shù)中的分層厚度為10μm?150μ

m。申請一些實(shí)施方式中，光固化成型設(shè)備為數(shù)字光處理成型機(jī)，數(shù)字光處理成型機(jī)的激光

功率為7mw/cm2?100mw/cm2，數(shù)字光處理成型機(jī)的曝光時間為1s?90s，數(shù)字光處理成型機(jī)的

分層厚度為10μm?150μm。

[0086] 步驟S2中，通過程序升溫可以使碳源樹脂和光固化樹脂發(fā)生熱分解形成碳，得到SiC@SiO2/C陶瓷坯體。本申請實(shí)施方式中，程序升溫的溫度條件為：以不高于3℃/min的升

溫速度升溫至150℃?220℃，保溫1?3h；以不高于3℃/min的升溫速度升溫至250℃?380℃，

保溫1?3h；以不高于3℃/min的升溫速度升溫至700℃?900℃，保溫1?3h。本申請一些實(shí)施方

式中，程序升溫的溫度條件為：以1℃/min?3℃/min的升溫速度升溫至160℃，保溫2h；以1

℃/min?3℃/min的升溫速度升溫至300℃，保溫2h；以1℃/min?3℃/min的升溫速度升溫至

800℃，保溫2h。通過控制樹脂熱分解過程的溫度條件能夠緩解陶瓷坯體在升溫過程中陶瓷

成份改變產(chǎn)生的體積變化的沖擊(此處的陶瓷成份既包括漿料中的各原料，也包括燒結(jié)過

程中樹脂、分散劑熱解生成的碳、CO、C2、CH4和H2O等)，從而提高碳化硅陶瓷的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度。

[0087] 本申請中，步驟S3為SiO2的碳熱還原反應(yīng)，通過碳熱還原反應(yīng)可消除SiC表面的SiO2，從而得到碳化硅陶瓷。本申請實(shí)施方式中，碳熱還原反應(yīng)的溫度為1000℃?1700℃，保

溫時間為2?8h。本申請一些實(shí)施方式中，碳熱還原反應(yīng)的溫度為1050℃?1650℃，保溫時間

為3?6h。碳熱還原反應(yīng)的溫度具體可以但不限于為1000℃、1050℃、1100℃、1200℃、1400

℃、1500℃或1600℃?？刂铺紵徇€原反應(yīng)的溫度可保證SiO2與碳能夠有效反應(yīng)生成SiC，并

且減少副反應(yīng)的發(fā)生，避免引入其它雜質(zhì)。

[0088] 本申請一些實(shí)施方式中，在得到碳化硅陶瓷后，還可以將碳化硅陶瓷通過硅碳反應(yīng)實(shí)現(xiàn)碳化硅陶瓷的致密化。本申請實(shí)施方式中，硅碳反應(yīng)的過程包括：將碳化硅陶瓷與硅

?；旌现糜谡婵諢Y(jié)爐中，在1500℃?1650℃下保溫10min?60min,得到致密化的碳化硅陶

瓷。硅碳反應(yīng)的反應(yīng)溫度具體可以但不限于為1500℃、1550℃、1600℃或1650℃。硅碳反應(yīng)

的反應(yīng)時間具體可以但不限于為10min、20min、30min、40min、50min或60min。在上述反應(yīng)條

件下，硅?？梢耘c碳化硅陶瓷中的碳充分反應(yīng)，從而形成致密化的碳化硅陶瓷。本申請實(shí)施

方式中，硅粒的粒徑為1mm?5mm。

[0089] 本申請?zhí)峁┑奶蓟杼沾傻闹苽浞椒ú僮骱唵?、工藝可控、產(chǎn)品制備周期短、成本低廉，適合工業(yè)化生產(chǎn)。

[0090] 下面分多個實(shí)施例對本申請實(shí)施方式進(jìn)行進(jìn)一步的說明。[0091] 實(shí)施例1[0092] 一種光固化陶瓷漿料及其制備方法，該光固化陶瓷漿料由表1所示質(zhì)量配比的原料組成。

[0093] 表1實(shí)施例1光固化陶瓷漿料原料組成[0094][0095] 其中，SiC@SiO2粉末的制備過程為：將粒徑為10μm的SiC粉末放入大氣爐中進(jìn)行高溫氧化。氧化溫度為1200℃，氧化時間為2h，升溫速率為5℃/min，得到SiC@SiO2粉末粗品；

將SiC@SiO2粉末粗品經(jīng)過濕法球磨、過濾干燥和過篩后獲得SiC@SiO2粉末。濕法球磨時乙醇

與SiC@SiO2粉末粗品的體積比為4:1，硅烷偶聯(lián)劑KH570添加量為SiC@SiO2粉末粗品質(zhì)量的

3％。

[0096] 光固化陶瓷漿料的制備方法為：[0097] 將稱取的SiC@SiO2粉末、1,6?己二醇二丙烯酸酯、酚醛環(huán)氧丙烯酸酯、二苯基(2,4,6?三甲基苯甲?；?氧化膦和聚氨酯類分散劑經(jīng)機(jī)械攪拌30min后，倒入球磨罐中在行星

球磨機(jī)球磨，球磨轉(zhuǎn)速300r/min，球磨時間為5h，得到光固化陶瓷漿料。

[0098] 實(shí)施例2[0099] 一種光固化陶瓷漿料及其制備方法，該光固化陶瓷漿料由表2所示質(zhì)量配比的原料組成。

[0100] 表2實(shí)施例2光固化陶瓷漿料原料組成[0101][0102][0103] 其中，SiC@SiO2粉末的制備過程為：將粒徑為5μm的SiC粉末放入大氣爐中進(jìn)行高溫氧化。氧化溫度為1100℃，氧化時間為2h，升溫速率為5℃/min，得到SiC@SiO2粉末粗品；

將SiC@SiO2粉末粗品經(jīng)過濕法球磨、過濾干燥和過篩后獲得SiC@SiO2粉末。濕法球磨時乙醇

與SiC@SiO2粉末粗品的體積比為4:1，硅烷偶聯(lián)劑KH570添加量為SiC@SiO2粉末粗品質(zhì)量的

3％。

[0104] 光固化陶瓷漿料的制備方法為：[0105] 將稱取的SiC@SiO2粉末、1,6?己二醇二丙烯酸酯、酚醛環(huán)氧丙烯酸酯、二苯基(2,4,6?三甲基苯甲酰基)氧化膦和聚氨酯類分散劑經(jīng)機(jī)械攪拌30min后，倒入球磨罐中在行星

球磨機(jī)球磨，球磨轉(zhuǎn)速400r/min，球磨時間為3h，得到光固化陶瓷漿料。

[0106] 實(shí)施例3[0107] 一種光固化陶瓷漿料及其制備方法，該光固化陶瓷漿料由表3所示質(zhì)量配比的原料組成。

[0108] 表3實(shí)施例3光固化陶瓷漿料原料組成[0109][0110] 其中，SiC@SiO2粉末是由粗細(xì)兩種顆粒級配，粗顆粒粉末粒徑為5μm?30μm，細(xì)顆粒粉末粒徑為0.1μm?5μm，粗顆粒粉末與細(xì)顆粒粉末的體積比為1:1。

[0111] 光固化陶瓷漿料的制備方法為：[0112] 將稱取的SiC@SiO2粉末、三羥甲基丙烷三丙烯酸、2130型酚醛樹脂、2,2?二甲氧基?2?苯基苯乙酮和丙烯酸酯型分散劑經(jīng)機(jī)械攪拌20min后，倒入球磨罐中在行星球磨機(jī)球

磨，球磨轉(zhuǎn)速400r/min，球磨時間為5h，得到光固化陶瓷漿料。

[0113] 實(shí)施例4[0114] 一種碳化硅陶瓷的制備方法，包括如下步驟：[0115] 1)將實(shí)施例1的光固化陶瓷漿料倒入數(shù)字光處理DLP成型設(shè)備的料槽中。通過三維2

造型軟件設(shè)計(jì)陶瓷零件三維模型并導(dǎo)入光固化成型設(shè)備，以7.79mw/cm的功率密度，15s的

曝光時間以及50μm的分層厚度進(jìn)行陶瓷光固化打印，得到SiC@SiO2陶瓷坯體；

[0116] 2)將SiC@SiO2陶瓷坯體進(jìn)行程序升溫，程序升溫的條件為：以1℃/min的升溫速度升溫至200℃，保溫2h；以1℃/min的升溫速度升溫至350℃，保溫2h；以1℃/min的升溫速度

升溫至800℃，保溫2h，得到SiC@SiO2/C陶瓷坯體；繼續(xù)升溫發(fā)生碳熱還原反應(yīng)，升溫工藝

為：以1℃/min的升溫速度由800℃升溫至1500℃，保溫2h，得到碳化硅陶瓷。

[0117] 實(shí)施例5[0118] 一種碳化硅陶瓷的制備方法，包括如下步驟：[0119] 1)將實(shí)施例2的光固化陶瓷漿料倒入數(shù)字光處理DLP成型設(shè)備的料槽中。通過三維2

造型軟件設(shè)計(jì)陶瓷零件三維模型并導(dǎo)入光固化成型設(shè)備，以7.79mw/cm的功率密度，15s的

曝光時間以及20μm的分層厚度進(jìn)行陶瓷光固化打印，得到SiC@SiO2陶瓷坯體；

[0120] 2)將SiC@SiO2陶瓷坯體進(jìn)行程序升溫，程序升溫的條件為：以1℃/min的升溫速度升溫至200℃，保溫2h；以1℃/min的升溫速度升溫至350℃，保溫2h；以1℃/min的升溫速度

升溫至800℃，保溫2h，得到SiC@SiO2/C陶瓷坯體；繼續(xù)升溫發(fā)生碳熱還原反應(yīng)，升溫工藝

為：以1℃/min的升溫速度由800℃升溫至1650℃，保溫2h，得到碳化硅陶瓷。

[0121] 實(shí)施例6[0122] 一種碳化硅陶瓷的制備方法，包括如下步驟：[0123] 1)將實(shí)施例3的光固化陶瓷漿料倒入數(shù)字光處理DLP成型設(shè)備的料槽中。通過三維2

造型軟件設(shè)計(jì)陶瓷零件三維模型并導(dǎo)入光固化成型設(shè)備，以7.79mw/cm的功率密度，15s的

曝光時間以及20μm的分層厚度進(jìn)行陶瓷光固化打印，得到SiC@SiO2陶瓷坯體；

[0124] 2)將SiC@SiO2陶瓷坯體進(jìn)行程序升溫，程序升溫的條件為：以1℃/min的升溫速度升溫至200℃，保溫2h；以1℃/min的升溫速度升溫至350℃，保溫2h；以1℃/min的升溫速度

升溫至800℃，保溫2h，得到SiC@SiO2/C陶瓷坯體；繼續(xù)升溫發(fā)生碳熱還原反應(yīng)，升溫工藝

為：以1℃/min的升溫速度由800℃升溫至1650℃，保溫2h，得到碳化硅陶瓷。

[0125] 3)將碳化硅陶瓷與粒徑為5mm的硅?；旌现糜谡婵諢Y(jié)爐中，在1600℃下，保溫30min，得到致密化的碳化硅陶瓷。

[0126] 實(shí)施例7[0127] 一種碳化硅陶瓷的制備方法，包括如下步驟：[0128] 1)將實(shí)施例3的光固化陶瓷漿料倒入立體光固化成型機(jī)的料槽中。通過三維造型軟件設(shè)計(jì)陶瓷零件三維模型并導(dǎo)入光固化成型設(shè)備，以2.5w的激光功率，3000mm/s的掃描

速度以及20μm的分層厚度進(jìn)行陶瓷光固化打印，得到SiC@SiO2陶瓷坯體；

[0129] 2)將SiC@SiO2陶瓷坯體進(jìn)行程序升溫，程序升溫的條件為：以1℃/min的升溫速度升溫至200℃，保溫2h；以1℃/min的升溫速度升溫至350℃，保溫2h；以1℃/min的升溫速度

升溫至800℃，保溫2h，得到SiC@SiO2/C陶瓷坯體；繼續(xù)升溫發(fā)生碳熱還原反應(yīng)，升溫工藝

為：以1℃/min的升溫速度由800℃升溫至1500℃，保溫2h，得到碳化硅陶瓷。

[0130] 3)將碳化硅陶瓷與粒徑為1mm的硅?；旌现糜谡婵諢Y(jié)爐中，在1600℃下，保溫30min，得到致密化的碳化硅陶瓷。

[0131] 為突出本申請的有益效果，設(shè)置以下對比例。[0132] 對比例1[0133] 一種光固化陶瓷漿料及其制備方法，該光固化陶瓷漿料由表4所示質(zhì)量配比的原料組成。

[0134] 表4對比例1光固化陶瓷漿料原料組成[0135][0136] 光固化陶瓷漿料的制備方法為：[0137] 將稱取的SiC粉末、1,6?己二醇二丙烯酸酯、酚醛環(huán)氧丙烯酸酯、二苯基(2,4,6?三甲基苯甲?；?氧化膦和聚氨酯類分散劑經(jīng)機(jī)械攪拌30min后，倒入球磨罐中在行星球磨機(jī)

球磨，球磨轉(zhuǎn)速300r/min，球磨時間為5h，得到光固化陶瓷漿料。

[0138] 效果實(shí)施例[0139] 為驗(yàn)證本申請制得光固化陶瓷漿料和光固化陶瓷的性能，本申請還提供了效果實(shí)施例。

[0140] 1)采用掃描電鏡對實(shí)施例1和實(shí)施例2制得的SiC@SiO2粉末進(jìn)行形貌表征，請參閱圖3和圖4，圖3為本申請實(shí)施例1制得的SiC@SiO2粉末的掃描電鏡圖，圖4為本申請實(shí)施例2

制得的SiC@SiO2粉末的掃描電鏡圖。由圖3可以看出，實(shí)施例1中SiC@SiO2粉末的粒徑為1μm?

20μm。由圖4可以看出，實(shí)施例2中SiC@SiO2粉末的粒徑為1μm?40μm。

[0141] 2)對實(shí)施例1?2和對比例1的光固化陶瓷漿料進(jìn)行光固化效率測試，請參閱圖5和圖6，圖5為本申請實(shí)施例1?2和對比例1的光固化陶瓷漿料的光固化效率測試對比圖，圖6為

本申請實(shí)施例1和對比例1光固化陶瓷漿料在90s曝光時間下固化厚度的對比圖，其中，圖6

中(a)為對比例1光固化陶瓷漿料在90s曝光時間下固化厚度圖，圖6中(b)為實(shí)施例1光固化

陶瓷漿料在90s曝光時間下固化厚度圖。由圖5可以看出，在相同曝光時間下，實(shí)施例1和2光

固化陶瓷漿料的固化厚度均大于對比例1光固化陶瓷漿料的固化厚度。由圖6中(a)可以看

出，在90s曝光時間下，對比例1陶瓷漿料的固化厚度為44.7μm，由圖6中(b)可以看出，在90s

曝光時間下，實(shí)施例1陶瓷漿料的固化厚度為89.9μm，即實(shí)施例1陶瓷漿料的固化厚度是對

比例1陶瓷漿料的固化厚度的兩倍。由此可以看出，將SiC采用SiO2進(jìn)行包覆后所得的光固

化漿料具有較高的光固化效率，可以有效縮短碳化硅陶瓷的生產(chǎn)周期。

[0142] 3)對實(shí)施例1的光固化陶瓷漿料的光固化打印性能進(jìn)行測試，具體打印條件見實(shí)施例4。請參閱圖7，圖7為本申請實(shí)施例1光固化陶瓷漿料的光固化打印效果圖，其中，圖7中

(a)為實(shí)施例4陶瓷零件的三維模型圖，圖7中(b)為實(shí)施例4的SiC@SiO2陶瓷坯體的照片。根

據(jù)圖7中(a)和圖7中(b)的對比圖可以看出，采用實(shí)施例1光固化陶瓷漿料制備出的陶瓷坯

體結(jié)構(gòu)完整并且具有較高結(jié)構(gòu)精度。

[0143] 以上所述實(shí)施例僅表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式，其描述較為具體和詳細(xì)，但并不能因此而理解為對本發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員

來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下，還可以做出若干變形和改進(jìn)，這些都屬于本發(fā)明的保

護(hù)范圍。因此，本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。