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塔式金屬霧化制粉設(shè)備

449   編輯:中冶有色技術(shù)網(wǎng)   來(lái)源:湖南久泰冶金科技有限公司  
2023-12-05 14:59:18
權(quán)利要求書(shū): 1.一種塔式金屬霧化制粉設(shè)備,其特征在于,包括金屬熔煉室、等離子霧化裝置、高溫化合塔室、冷卻塔室、粉末分級(jí)收集裝置、抽真空系統(tǒng)、冷卻水循環(huán)裝置、控制柜和塔式安裝平臺(tái)支架;所述金屬熔煉室安裝在等離子霧化裝置上方,且與金屬送料機(jī)構(gòu)連接,固定在塔式安裝平臺(tái)支架的頂部;等離子霧化裝置安裝在高溫化合塔室頂部,用于將經(jīng)金屬熔煉室熔煉后的金屬液霧化,并送入高溫化合塔室進(jìn)行化合反應(yīng);所述高溫化合塔室的上端與安裝在塔式安裝平臺(tái)支架底層的抽真空系統(tǒng)連接,其下端與冷卻塔室,通過(guò)塔式安裝平臺(tái)支架中的移動(dòng)支架進(jìn)行固定;所述冷卻塔室的中部、底端均與粉末分級(jí)收集裝置連接;所述粉末分級(jí)收集裝置安裝在塔式安裝平臺(tái)支架的下方;所述控制柜安裝在塔式安裝平臺(tái)支架的不同設(shè)備安裝平臺(tái)上,并與其相應(yīng)的控制設(shè)備連接;所述冷卻水循環(huán)裝置與金屬熔煉室、高溫化合塔室和冷卻塔室連接;所述高溫化合塔室包括化合塔殼體、保溫組件、加熱組件和化合反應(yīng)腔室;所述化合塔殼體為嵌設(shè)有夾層冷卻套的筒體,筒體上端設(shè)有與真空系統(tǒng)的連接接頭,其底部設(shè)有與化合反應(yīng)腔室內(nèi)部連通的輸氣管;所述保溫組件包括由保溫筒體、保溫上蓋、保溫下蓋組成,所述保溫筒體的內(nèi)部填充有保溫材料;所述加熱組件包括加熱元件、加熱元件固定柱和加熱元件導(dǎo)電柱;所述加熱元件安裝在保溫筒體和化合反應(yīng)腔室之間,通過(guò)加熱元件固定柱固定;加熱元件固定柱固定在保溫筒體外側(cè)的加固隔板上;所述加熱元件導(dǎo)電柱與加熱元件電連接,固定在加固隔板上并穿過(guò)化合塔殼體;所述化合反應(yīng)腔室的上下兩端突出保溫腔體并分別與等離子霧化裝置、冷卻塔室連接;所述化合反應(yīng)腔室由外表面涂覆有高溫防氧化涂層的碳?碳復(fù)合材料制作,化合反應(yīng)腔室的頂端設(shè)有與等離子霧化裝置連接的連接腔室,其底部設(shè)有下漏管;下漏管外側(cè)還設(shè)有連通輸氣管的進(jìn)氣支管,進(jìn)氣支管的出氣口位于下漏管上方,且朝向下漏管;所述連接腔室與化合反應(yīng)腔室的連接處設(shè)有排氣嘴,化合反應(yīng)腔室的側(cè)壁設(shè)有扶正組件,所述扶正組件固定在加固隔板和化合塔殼體上。

2.如權(quán)利要求1所述塔式金屬霧化制粉設(shè)備,其特征在于,進(jìn)氣支管的出氣口的中心線與化合反應(yīng)腔室下椎體側(cè)壁之間的夾角≤15°。

3.如權(quán)利要求1所述塔式金屬霧化制粉設(shè)備,其特征在于,所述碳?碳復(fù)合材料的耐溫性≥2000°C;所述高溫防氧化涂層采用可在溫度≥1700°C下使用的石墨高溫防氧化涂料涂覆而成,其厚度為2 5mm。

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4.如權(quán)利要求1 3任一項(xiàng)所述塔式金屬霧化制粉設(shè)備,其特征在于,所述連接腔室呈圓~

錐臺(tái)狀;所述化合反應(yīng)腔室底部還設(shè)有用于固定的支撐件,支撐件的底部設(shè)有限位圈。

5.如權(quán)利要求1 3任一項(xiàng)所述塔式金屬霧化制粉設(shè)備,其特征在于,所述扶正組件采用~

由外至內(nèi)依次為石墨、陶瓷和不銹鋼的復(fù)合材料制作;所述進(jìn)氣支管處設(shè)有由陶瓷纖維浸入石墨乳液,經(jīng)處理的不銹鋼增強(qiáng)浸石墨陶瓷纖維制作的密封螺釘;所述下漏管和進(jìn)氣支管采用細(xì)顆粒石墨制作,排氣嘴采用高純石墨制作。

6.如權(quán)利要求1 3任一項(xiàng)所述塔式金屬霧化制粉設(shè)備,其特征在于,所述塔式安裝平臺(tái)~

支架包括支撐立柱、設(shè)備安裝平臺(tái)組、護(hù)欄、樓梯和移動(dòng)支撐架;所述設(shè)備安裝平臺(tái)組包括數(shù)層呈金字塔式分布的設(shè)備安裝平臺(tái),設(shè)備安裝平臺(tái)通過(guò)支撐立柱固定在地面或下層的設(shè)備安裝平臺(tái)上;所述移動(dòng)支撐架嵌入式安裝在設(shè)備安裝平臺(tái)組的一側(cè),用于支撐并移動(dòng)金屬霧化制粉設(shè)備組件;所述設(shè)備安裝平臺(tái)的一側(cè)設(shè)有樓梯,其周邊設(shè)有護(hù)欄;相鄰的支撐立柱之間設(shè)有加強(qiáng)側(cè)桿,加強(qiáng)側(cè)桿呈交叉式或平行固定在支撐立柱上。

7.如權(quán)利要求6所述塔式金屬霧化制粉設(shè)備,其特征在于,所述移動(dòng)支撐架包括高溫化合塔室底架、提升支撐架、維修軌道、提升組件和冷卻塔室活動(dòng)支架;所述提升支撐架包括豎向支撐架、橫向架體和加固側(cè)桿;所述提升組件包括分別安裝在豎向支撐架的底端和頂端的活動(dòng)滑輪組件和固定滑輪組件,以及位于豎向支撐架中、用于帶動(dòng)橫向架體升降的升降軌道;所述升降軌道的升降傳送帶安裝在活動(dòng)滑輪組件、固定滑輪組件之間,并通過(guò)提升驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)驅(qū)動(dòng)其升降;加固側(cè)桿一端與豎向支撐架中上端連接,其另一端固定在地面,所述加固側(cè)桿之間設(shè)有維修軌道;所述高溫化合塔室底架放置在橫向架體上;所述冷卻塔室活動(dòng)支架放置在維修軌道上,且能沿維修軌道滑移;所述高溫化合塔室底架和橫向架體之間設(shè)有緩沖組件,緩沖組件的頂部固定在高溫化合塔室底架上。

8.如權(quán)利要求1 3任一項(xiàng)所述塔式金屬霧化制粉設(shè)備,其特征在于,所述粉末分級(jí)收集~

裝置包括一級(jí)粉末分離篩網(wǎng)、一級(jí)粉末收集器、粉末分離吸取機(jī)構(gòu)、旋風(fēng)分離器、二級(jí)粉末收集器、脈沖除塵器和三級(jí)粉末收集器;所述一級(jí)粉末分離篩網(wǎng)安裝在冷卻塔室下椎體內(nèi),一級(jí)粉末收集器與冷卻塔室下椎體的排粉管連接;所述粉末分離吸取機(jī)構(gòu)的進(jìn)料端與冷卻塔室中下部連通,其出料端與旋風(fēng)分離器的進(jìn)料口連通;粉末分離吸取機(jī)構(gòu)進(jìn)料端朝向冷卻塔室下椎體頂端,且與冷卻塔室側(cè)壁呈60 75°夾角固定連接;所述二級(jí)粉末收集器與旋~風(fēng)分離器下方的旋風(fēng)料包連通,所述旋風(fēng)分離器的出風(fēng)口通過(guò)管道與脈沖除塵器連接,脈沖除塵器下方設(shè)有三級(jí)粉末收集器;所述一級(jí)粉末分離篩網(wǎng)下方設(shè)有與惰性氣體儲(chǔ)罐或氣氛純化氣體儲(chǔ)罐的導(dǎo)氣盤,所述導(dǎo)氣盤的底部還設(shè)有與第二氣管連通的儲(chǔ)氣凹槽,其上端開(kāi)設(shè)有若干個(gè)用于將儲(chǔ)氣凹槽內(nèi)氣體輸出的噴嘴。

說(shuō)明書(shū): 一種塔式金屬霧化制粉設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域[0001] 本發(fā)明涉及一種粉末冶金設(shè)備,尤其是涉及一種塔式金屬霧化制粉設(shè)備。背景技術(shù)[0002] 近年來(lái)的“3D打印”等增材制造方法備受人們關(guān)注,它無(wú)需通過(guò)鍛造、車銑刨磨等工序便可直接生產(chǎn)出金屬制品,大大降低了能耗,節(jié)約了材料。而金屬注射成形力一法、選擇性激光熔化方法和選擇性激光燒結(jié)方法都屬于增材制造,適宜于形狀復(fù)雜的粉末冶金小零件的生產(chǎn)。這些方法對(duì)金屬粉末的形貌、粒度分布、氧含量等均有較高的要求,而氣霧化方法生產(chǎn)的金屬粉末能夠滿足這些要求。由于氣霧化制粉特定的反應(yīng)條件,故,用于金屬霧化制粉的設(shè)備對(duì)其結(jié)構(gòu)和材質(zhì)具有特殊要求。[0003] CN204818071U公開(kāi)了一種制備增材制造用金屬球形粉末的裝置,包括:真空熔煉室,用于在預(yù)設(shè)真空度下對(duì)原料進(jìn)行熔煉,獲得金屬溶液;高壓霧化室,與真空熔煉室連接,且位于真空熔煉室下部,用于對(duì)金屬溶液進(jìn)行霧化,獲得霧化粉末;冷卻塔,與高壓霧化室連接,且位于高壓霧化室下部,用于對(duì)霧化粉末進(jìn)行冷卻,獲得增材制造用金屬球形粉末;氣流分級(jí)室,與冷卻塔連接,用于對(duì)增材制造用金屬球形粉末進(jìn)行篩分。該裝置的空間占有率偏高,且其高壓霧化室的結(jié)構(gòu)及其使用材質(zhì)沒(méi)有公開(kāi),其耐高溫和氣密性的性能不能判斷是否滿足金屬霧化反應(yīng)的要求。發(fā)明內(nèi)容[0004] 本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是:克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,制作成本低、耐高溫且氣密性良好、設(shè)備空間占有率低的塔式金屬霧化制粉設(shè)備。[0005] 本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是:一種塔式金屬霧化制粉設(shè)備,包括金屬熔煉室、等離子霧化裝置、高溫化合塔室、冷卻塔室、粉末分級(jí)收集裝置、抽真空系統(tǒng)、冷卻水循環(huán)裝置、控制柜和塔式安裝平臺(tái)支架;所述金屬熔煉室安裝在等離子霧化裝置上方,且與金屬送料機(jī)構(gòu)連接,固定在塔式安裝平臺(tái)支架的頂部;等離子霧化裝置安裝在高溫化合塔室頂部,用于將經(jīng)金屬熔煉室熔煉后的金屬液霧化,并送入高溫化合塔室進(jìn)行化合反應(yīng);所述高溫化合塔室的上端與安裝在塔式安裝平臺(tái)支架底層的抽真空系統(tǒng)連接,其下端與冷卻塔室,通過(guò)塔式安裝平臺(tái)支架中的移動(dòng)支架進(jìn)行固定;所述冷卻塔室的中部、底端均與粉末分級(jí)收集裝置連接;所述粉末分級(jí)收集裝置安裝在塔式安裝平臺(tái)支架的下方;所述控制柜安裝在塔式安裝平臺(tái)支架的不同設(shè)備安裝平臺(tái)上,并與其相應(yīng)的控制設(shè)備連接;所述冷卻水循環(huán)裝置與金屬熔煉室、高溫化合塔室和冷卻塔室連接。

[0006] 進(jìn)一步,所述高溫化合塔室包括化合塔殼體、保溫組件、加熱組件和化合反應(yīng)腔室;所述化合塔殼體為嵌設(shè)有夾層冷卻套的筒體,筒體上端設(shè)有與真空系統(tǒng)的連接接頭,其底部設(shè)有與化合反應(yīng)腔室內(nèi)部連通的輸氣管;所述保溫組件包括由保溫筒體、保溫上蓋、保溫下蓋組成,所述保溫筒體的內(nèi)部填充有保溫材料;所述加熱組件包括加熱元件、加熱元件固定柱和加熱元件導(dǎo)電柱;所述加熱元件安裝在保溫筒體和化合反應(yīng)腔室之間,通過(guò)加熱元件固定柱固定;加熱元件固定柱固定在保溫筒體外側(cè)的加固隔板上;所述加熱元件導(dǎo)電柱與加熱元件電連接,固定在加固隔板上并穿過(guò)化合塔殼體;所述化合反應(yīng)腔室的上下兩端突出保溫腔體并分別與等離子霧化裝置、冷卻塔室連接。[0007] 進(jìn)一步,所述化合反應(yīng)腔室由外表面涂覆有高溫防氧化涂層的碳?碳復(fù)合材料制作,化合反應(yīng)腔室的頂端設(shè)有與等離子霧化裝置連接的連接腔室,其底部設(shè)有下漏管;下漏管外側(cè)還設(shè)有連通輸氣管的進(jìn)氣支管,進(jìn)氣支管的出氣口位于下漏管上方,且朝向下漏管;所述連接腔室與化合反應(yīng)腔室的連接處設(shè)有排氣嘴,化合反應(yīng)腔室的側(cè)壁設(shè)有扶正組件,所述扶正組件固定在加固隔板和化合塔殼體上。

[0008] 進(jìn)一步,進(jìn)氣支管的出氣口的中心線與化合反應(yīng)腔室下椎體側(cè)壁之間的夾角≤15°,優(yōu)選,進(jìn)氣支管的出氣口的中心線與化合反應(yīng)腔室下椎體的側(cè)壁平行。

[0009] 進(jìn)一步,所述碳?碳復(fù)合材料的耐溫性≥2000℃,優(yōu)選,碳?碳復(fù)合材料的耐溫性≥2500℃。

[0010] 進(jìn)一步,所述高溫防氧化涂層采用可在溫度≥1700℃下使用的石墨高溫防氧化涂料涂覆而成,其厚度為2 5mm。~

[0011] 當(dāng)高溫防氧化涂層的厚度小于2mm時(shí),其對(duì)化合反應(yīng)腔室的主體制作材料的碳?碳復(fù)合材料的防氧化性能較差,導(dǎo)致化合反應(yīng)腔室的主體易被氣化反應(yīng)氣體氧化而被損壞,縮短其使用壽命;當(dāng)高溫防氧化涂層的厚度大于5mm時(shí),其對(duì)化合反應(yīng)腔室的主體制作材料的碳?碳復(fù)合材料的防氧化性能趨于穩(wěn)定,且隨著涂層厚度的增加,化合反應(yīng)腔室的制作成本相應(yīng)增大。[0012] 進(jìn)一步,所述連接腔室呈圓錐臺(tái)狀。[0013] 進(jìn)一步,所述扶正組件采用由外至內(nèi)依次為石墨、陶瓷和不銹鋼的復(fù)合材料制作。[0014] 進(jìn)一步,所述化合反應(yīng)腔室底部還設(shè)有用于固定的支撐件,支撐件的底部設(shè)有限位圈。[0015] 進(jìn)一步,所述進(jìn)氣支管處設(shè)有由陶瓷纖維浸入石墨乳液,經(jīng)特殊工藝處理的不銹鋼增強(qiáng)浸石墨陶瓷纖維制作的密封螺釘。[0016] 進(jìn)一步,所述下漏管和進(jìn)氣支管采用細(xì)顆粒石墨制作,排氣嘴采用高純石墨制作。[0017] 進(jìn)一步,所述加熱元件為碳棒、鎳棒、硅鉬棒或硅碳棒中的一種。[0018] 進(jìn)一步,所述加固隔板為不銹鋼孔板。[0019] 進(jìn)一步,所述化合塔殼體的側(cè)壁設(shè)有耳式支座,便于將化合塔殼體安放在設(shè)備安裝平臺(tái)上;化合塔殼體上設(shè)有防爆口。[0020] 進(jìn)一步,所述塔式安裝平臺(tái)支架包括支撐立柱、設(shè)備安裝平臺(tái)組、護(hù)欄、樓梯和移動(dòng)支撐架;所述設(shè)備安裝平臺(tái)組包括數(shù)層呈金字塔式分布的設(shè)備安裝平臺(tái),設(shè)備安裝平臺(tái)通過(guò)支撐立柱固定在地面或下層的設(shè)備安裝平臺(tái)上;所述移動(dòng)支撐架嵌入式安裝在設(shè)備安裝平臺(tái)組的一側(cè),用于支撐并移動(dòng)金屬霧化制粉設(shè)備組件;所述設(shè)備安裝平臺(tái)的一側(cè)設(shè)有樓梯,其周邊設(shè)有護(hù)欄。[0021] 進(jìn)一步,所述設(shè)備安裝平臺(tái)組包括從下至上依次安裝的第一設(shè)備安裝平臺(tái)、第二設(shè)備安裝平臺(tái)和第三設(shè)備安裝平臺(tái);所述第一設(shè)備安裝平臺(tái)呈“凹”字形;第一設(shè)備安裝平臺(tái)還設(shè)有安裝抽真空系統(tǒng)的第四設(shè)備安裝平臺(tái);第二設(shè)備安裝平臺(tái)呈L型,且其短邊朝向第一設(shè)備安裝平臺(tái)內(nèi)凹一側(cè),用于固定金屬霧化高溫化合塔室和霧化制粉冷卻塔室;第三設(shè)備安裝平臺(tái)位于第二設(shè)備安裝平臺(tái)上,用于放置控制箱、金屬熔煉室、等離子霧化器、冷卻裝置等金屬霧化制粉設(shè)備;對(duì)應(yīng)第一設(shè)備安裝平臺(tái)的內(nèi)凹處還設(shè)有用于固定安裝金屬霧化高溫化合塔室的設(shè)備穿孔。[0022] 進(jìn)一步,所述移動(dòng)支撐架包括高溫化合塔室底架、提升支撐架、維修軌道、提升組件和冷卻塔室活動(dòng)支架;所述提升支撐架包括豎向支撐架、橫向架體和加固側(cè)桿;所述提升組件包括分別安裝在豎向支撐架的底端和頂端的活動(dòng)滑輪組件和固定滑輪組件,以及位于豎向支撐架中、用于帶動(dòng)橫向架體升降的升降軌道;所述升降軌道的升降傳送帶安裝在活動(dòng)滑輪組件、固定滑輪組件之間,并通過(guò)提升驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)驅(qū)動(dòng)其升降;加固側(cè)桿一端與豎向支撐架中上端連接,其另一端固定在地面,所述加固側(cè)桿之間設(shè)有維修軌道;所述高溫化合塔室底架放置在橫向架體上;所述冷卻塔室活動(dòng)支架,所述冷卻塔室活動(dòng)支架放置在維修軌道上,且能沿維修軌道滑移。[0023] 進(jìn)一步,相鄰的支撐立柱之間設(shè)有加強(qiáng)側(cè)桿,加強(qiáng)側(cè)桿呈交叉式或平行固定在支撐立柱上。[0024] 進(jìn)一步,所述高溫化合塔室底架和橫向架體之間設(shè)有緩沖組件,緩沖組件的頂部固定在高溫化合塔室底架上。所述緩沖組件為彈簧。[0025] 進(jìn)一步,所述高溫化合塔室底架包括方形架體、支撐桿和滾輪,所述滾輪安裝在方形架體上,所述支撐桿與方形架體上端連接,用于卡合固定高溫化合塔室。[0026] 進(jìn)一步,所述粉末分級(jí)收集裝置包括一級(jí)粉末分離篩網(wǎng)、一級(jí)粉末收集器、粉末分離吸取機(jī)構(gòu)、旋風(fēng)分離器、二級(jí)粉末收集器、脈沖除塵器和三級(jí)粉末收集器;所述一級(jí)粉末分離篩網(wǎng)安裝在冷卻塔室下椎體內(nèi),一級(jí)粉末收集器與冷卻塔室下椎體的排粉管連接;所述粉末分離吸取機(jī)構(gòu)的進(jìn)料端與冷卻塔室中下部連通,其出料端與旋風(fēng)分離器的進(jìn)料口連通;粉末分離吸取機(jī)構(gòu)進(jìn)料端朝向冷卻塔室下椎體頂端,且與冷卻塔室側(cè)壁呈60 75°夾角~固定連接;所述二級(jí)粉末收集器與旋風(fēng)分離器下方的旋風(fēng)料包連通,所述旋風(fēng)分離器的出風(fēng)口通過(guò)管道與脈沖除塵器連接,脈沖除塵器下方設(shè)有三級(jí)粉末收集器。

[0027] 進(jìn)一步,所述一級(jí)粉末分離篩網(wǎng)下方設(shè)有與惰性氣體儲(chǔ)罐或氣氛純化氣體儲(chǔ)罐的導(dǎo)氣盤,所述導(dǎo)氣盤的底部還設(shè)有與第二氣管連通的儲(chǔ)氣凹槽,其上端開(kāi)設(shè)有若干個(gè)用于將儲(chǔ)氣凹槽內(nèi)氣體輸出的噴嘴。[0028] 本發(fā)明一種塔式金屬霧化制粉設(shè)備的工作原理及使用方法是:金屬經(jīng)金屬熔煉室熔化成液體后,經(jīng)等離子霧化裝置霧化,然后進(jìn)入高溫化合塔室的化合反應(yīng)腔室;從進(jìn)氣支管向化合反應(yīng)腔室內(nèi)充入金屬霧化制粉所需的氣化反應(yīng)氣體或惰性氣體(如O2、CO2或N2),氣體從下至上逐步與從化合反應(yīng)腔室頂部下降的金屬霧化粉末發(fā)生氣化反應(yīng),將經(jīng)等離子霧化后的金屬粉末氧化或碳化或氮化成所需的特定金屬粉末,同時(shí),對(duì)霧化化合反應(yīng)后的金屬粉末起到預(yù)冷卻的作用,然后,充分反應(yīng)形成穩(wěn)定的金屬氧化物或金屬碳化物或金屬氮化物,并經(jīng)下漏管進(jìn)入冷卻系統(tǒng)冷卻,而反應(yīng)后的氣體依次經(jīng)化合反應(yīng)腔室下方的冷卻塔室、旋風(fēng)分離器、脈沖除塵器的龍骨布袋后被風(fēng)機(jī)抽走,當(dāng)化合反應(yīng)腔室內(nèi)的壓力超過(guò)設(shè)定的最高壓力時(shí),化合反應(yīng)腔室頂部的排氣嘴打開(kāi)進(jìn)行泄壓。[0029] 經(jīng)冷卻塔室冷卻后的金屬霧化粉末經(jīng)粉末一級(jí)分離篩網(wǎng)篩選后下降至一級(jí)粉末收集器內(nèi),被粉末一級(jí)分離篩網(wǎng)攔截的金屬霧化粉末被粉末吸取機(jī)構(gòu)抽吸至旋風(fēng)分離器內(nèi)分離,而沉積在一級(jí)粉末分離篩網(wǎng)上的粒徑較大的金屬霧化粉末被其下方導(dǎo)氣盤上噴吹出的氣體吹散,同時(shí)在旋風(fēng)分離器引風(fēng)的作用下,經(jīng)粉末分離吸取機(jī)構(gòu)進(jìn)入旋風(fēng)分離器,然后下降至二級(jí)粉末收集器內(nèi),而粒徑偏小的金屬霧化粉末隨旋風(fēng)分離器氣流進(jìn)入脈沖除塵器內(nèi),金屬霧化粉末被收集在龍骨布袋內(nèi),然后在脈沖管內(nèi)的脈沖作用下,龍骨布袋內(nèi)的粉末進(jìn)入三級(jí)粉末收集器內(nèi),進(jìn)而實(shí)現(xiàn)金屬霧化粉末的分級(jí)分離。脈沖除塵器頂部的出氣管的氣體通過(guò)管道進(jìn)入氣氛純化氣回收儲(chǔ)罐,以便循環(huán)利用。[0030] 導(dǎo)氣盤噴吹出的氣體對(duì)冷卻塔室內(nèi)的金屬霧化粉末還起冷卻作用。[0031] 為了保證金屬霧化粉末的純度和粉末粒徑大小的要求,金屬霧化化合反應(yīng)需要在高溫、高真空度下進(jìn)行,化合反應(yīng)塔室采用耐高溫的化合反應(yīng)腔室可以滿足化合反應(yīng)對(duì)溫度、密封性等反應(yīng)環(huán)境的高要求;且采用碳棒、鎳棒、硅鉬棒或硅碳棒等加熱元件,既能確?;戏磻?yīng)腔室處于化合反應(yīng)所需的高溫環(huán)境中,及加熱元件的耐高溫性能;加熱元件外側(cè)的保溫組件,起到隔熱保溫的作用,有利于加熱元件對(duì)化合反應(yīng)腔室的加熱,及化合反應(yīng)腔室反應(yīng)溫度的維持,同時(shí),避免了化合反應(yīng)腔室內(nèi)的高溫快速熱散失而導(dǎo)致化合塔殼體的溫度偏高;化合塔殼體內(nèi)嵌設(shè)的夾層冷卻套,進(jìn)一步降低了保溫層散失熱量對(duì)化合塔殼體的影響。[0032] 與現(xiàn)有的金屬霧化制粉設(shè)備相比,將進(jìn)氣支管設(shè)置在化合反應(yīng)腔室底部,氣體在化合反應(yīng)腔室內(nèi)先向下后向上運(yùn)行,與霧化后的金屬粉末相對(duì)運(yùn)行,有利于氣體與化合反應(yīng)腔室內(nèi)沉降的粉末充分接觸,并與霧化后的金屬粉末進(jìn)行化合反應(yīng)。[0033] 由于進(jìn)氣支管的出氣口朝向下漏管,進(jìn)氣支管內(nèi)的氣體對(duì)沉積在化合反應(yīng)腔室下端的化合反應(yīng)后的金屬霧化粉末還具有吹掃作用,可避免金屬霧化粉末沉積成團(tuán),并加快其進(jìn)入冷卻塔室冷卻,且對(duì)參與化合反應(yīng)后的金屬霧化粉末還有預(yù)冷卻的作用。[0034] 化合反應(yīng)腔室采用外表面涂覆有高溫防氧化涂層的碳?碳復(fù)合材料制作,使化合反應(yīng)腔室能滿足金屬霧化制粉過(guò)程中氣粉化合反應(yīng)的高溫要求,且其表面的高溫防氧化涂層高效避免了化合反應(yīng)腔室內(nèi)用于金屬粉末氣化反應(yīng)所需氣體(尤其氣化反應(yīng)氣體為氧氣時(shí))對(duì)化合反應(yīng)腔室制作材料中碳?碳復(fù)合材料的氧化,延長(zhǎng)了化合反應(yīng)腔室的使用壽命,且化合反應(yīng)腔室可耐受2500℃以上的高溫,能滿足金屬霧化制粉氣化反應(yīng)的高溫要求,且其表層的防氧化涂層加強(qiáng)了化合反應(yīng)腔室的整體密封性能,能進(jìn)一步確?;戏磻?yīng)腔室內(nèi)反應(yīng)后得到高純度的金屬粉末。[0035] 扶正組件采用由外至內(nèi)依次為石墨、陶瓷和不銹鋼的復(fù)合材料制作,滿足了對(duì)化合反應(yīng)腔室的支撐強(qiáng)度,且能耐受化合反應(yīng)強(qiáng)度的高溫,且其的隔熱性能較好,降低了高溫對(duì)反應(yīng)塔殼體的損壞,延長(zhǎng)了設(shè)備的使用壽命。[0036] 本發(fā)明一種塔式金屬霧化制粉設(shè)備的有益效果:結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,制作成本低,空間占有率低;采用多種材質(zhì)復(fù)合制作的化學(xué)反應(yīng)腔室,其耐高溫高壓性能良好;扶正組件采用由外至內(nèi)依次為石墨、陶瓷和不銹鋼的復(fù)合材料制作;其耐高溫和隔熱性能良好,其下漏管和進(jìn)氣支管采用細(xì)顆粒石墨制作,排氣嘴采用高純石墨制作,確保了化合反應(yīng)腔室的氣密性良好。附圖說(shuō)明[0037] 圖1—為一種塔式金屬霧化制粉設(shè)備的立體結(jié)構(gòu)示意圖;[0038] 圖2—為圖1中等離子霧化裝置的立體結(jié)構(gòu)示意圖;[0039] 圖3—為圖2中A?A截面剖視圖;[0040] 圖4—為圖1中高溫化合塔室的正視圖;[0041] 圖5—為圖1中高溫化合塔室的側(cè)視圖;[0042] 圖6—為圖4中B?B截面剖視圖;[0043] 圖7—為圖5中C?C截面剖視圖;[0044] 圖8—為圖4中化合反應(yīng)腔室的立體示意圖;[0045] 圖9—為圖8中D?D截面剖視圖;[0046] 圖10—為圖1中移動(dòng)支撐架的立體結(jié)構(gòu)示意圖;[0047] 圖11—為一種塔式金屬霧化制粉設(shè)備中粉末分級(jí)收集裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施方式[0048] 以下結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明。[0049] 實(shí)施例1[0050] 參照?qǐng)D1 11:一種塔式金屬霧化制粉設(shè)備,包括金屬熔煉室4、等離子霧化裝置5、~高溫化合塔室6、冷卻塔室7、粉末分級(jí)收集裝置、抽真空系統(tǒng)9、冷卻水循環(huán)裝置3、控制柜和塔式安裝平臺(tái)支架;所述金屬熔煉室4安裝在等離子霧化裝置5上方,且與金屬送料機(jī)構(gòu)連接,固定在塔式安裝平臺(tái)支架的頂部;等離子霧化裝置5安裝在高溫化合塔室6頂部,用于將經(jīng)金屬熔煉室4熔煉后的金屬液霧化,并送入高溫化合塔室6進(jìn)行化合反應(yīng);所述高溫化合塔室6的上端與安裝在塔式安裝平臺(tái)支架底層的抽真空系統(tǒng)9連接,其下端與冷卻塔室7,通過(guò)塔式安裝平臺(tái)支架中的移動(dòng)支架進(jìn)行固定;所述冷卻塔室7的中部、底端均與粉末分級(jí)收集裝置連接;所述粉末分級(jí)收集裝置安裝在塔式安裝平臺(tái)支架的下方;所述控制柜安裝在塔式安裝平臺(tái)支架的不同設(shè)備安裝平臺(tái)上,并與其相應(yīng)的控制設(shè)備連接;所述冷卻水循環(huán)裝置3與金屬熔煉室4、高溫化合塔室6和冷卻塔室7連接。

[0051] 參照?qǐng)D4 7,所述高溫化合塔室6包括化合塔殼體61、保溫組件64、加熱組件62和化~合反應(yīng)腔室63;所述化合塔殼體61為嵌設(shè)有夾層冷卻套的筒體,筒體上端設(shè)有與真空系統(tǒng)的連接接頭615,其底部設(shè)有與化合反應(yīng)腔室63內(nèi)部連通的輸氣管611;所述保溫組件64包括由保溫筒體642、保溫上蓋641、保溫下蓋643組成,所述保溫筒體642的內(nèi)部填充有保溫材料;所述加熱組件62包括加熱元件623、加熱元件固定柱622和加熱元件導(dǎo)電柱621;所述加熱元件623安裝在保溫筒體642和化合反應(yīng)腔室63之間,通過(guò)加熱元件固定柱622固定;加熱元件固定柱622固定在保溫筒體642外側(cè)的加固隔板上;所述加熱元件導(dǎo)電柱621與加熱元件623電連接,固定在加固隔板上并穿過(guò)化合塔殼體61;所述化合反應(yīng)腔室63的上下兩端突出保溫腔體并分別與等離子霧化裝置5、冷卻塔室7連接。

[0052] 參照?qǐng)D8和9,所述化合反應(yīng)腔室63由外表面涂覆有高溫防氧化涂層的碳?碳復(fù)合材料制作,化合反應(yīng)腔室63的頂端設(shè)有與等離子霧化裝置5連接的連接腔室632,其底部設(shè)有下漏管633;下漏管633外側(cè)還設(shè)有連通輸氣管611的進(jìn)氣支管634,進(jìn)氣支管634的出氣口位于下漏管633上方,且朝向下漏管633;所述連接腔室632與化合反應(yīng)腔室63的連接處設(shè)有排氣嘴635,化合反應(yīng)腔室63的側(cè)壁設(shè)有扶正組件631,所述扶正組件631固定在加固隔板和化合塔殼體61上。[0053] 進(jìn)氣支管634的出氣口的中心線與化合反應(yīng)腔室63下椎體的側(cè)壁平行。[0054] 所述碳?碳復(fù)合材料的耐溫性≥2000℃;所述高溫防氧化涂層采用可在溫度≥1700℃下使用的石墨高溫防氧化涂料涂覆而成,其厚度為3mm。

[0055] 所述連接腔室632呈圓錐臺(tái)狀。[0056] 所述扶正組件631采用由外至內(nèi)依次為石墨、陶瓷和不銹鋼的復(fù)合材料制作。[0057] 所述化合反應(yīng)腔室63底部還設(shè)有用于固定的支撐件636,支撐件636的底部設(shè)有限位圈637。[0058] 所述進(jìn)氣支管634處設(shè)有由陶瓷纖維浸入石墨乳液,經(jīng)特殊工藝處理的不銹鋼增強(qiáng)浸石墨陶瓷纖維制作的密封螺釘。[0059] 所述下漏管633和進(jìn)氣支管634采用細(xì)顆粒石墨制作,排氣嘴635采用高純石墨制作。[0060] 所述加熱元件623為碳棒、鎳棒、硅鉬棒或硅碳棒中的一種。[0061] 所述加固隔板為不銹鋼孔板。[0062] 所述化合塔殼體61的側(cè)壁設(shè)有耳式支座612,便于將化合塔殼體61安放在設(shè)備安裝平臺(tái)上;化合塔殼體61上設(shè)有防爆口614、測(cè)溫?zé)犭娕?13。[0063] 所述等離子霧化裝置5包括主導(dǎo)流管51、導(dǎo)流管組件52、副導(dǎo)流管55、3組等離子槍組件53和噴盤支架54,所述主導(dǎo)流管51通過(guò)導(dǎo)流管組件52安裝在噴盤支架54中央,其靠近噴盤支架54的一端還設(shè)有副導(dǎo)流管55,副導(dǎo)流管55嵌設(shè)在噴盤支架中央;所述等離子槍組件53呈圓周式均布在噴盤支架54上,其噴射出的等離子在主導(dǎo)流管51下端的中心處匯合。[0064] 所述控制柜包括綜合控制柜21、等離子電源控制柜22、金屬熔煉控制柜23、綜合電器柜24和化合控制柜25。[0065] 所述塔式安裝平臺(tái)支架包括支撐立柱11、設(shè)備安裝平臺(tái)組、護(hù)欄17、樓梯16和移動(dòng)支撐架18;所述設(shè)備安裝平臺(tái)組包括數(shù)層呈金字塔式分布的設(shè)備安裝平臺(tái),設(shè)備安裝平臺(tái)通過(guò)支撐立柱11固定在地面或下層的設(shè)備安裝平臺(tái)上;所述移動(dòng)支撐架18嵌入式安裝在設(shè)備安裝平臺(tái)組的一側(cè),用于支撐并移動(dòng)金屬霧化制粉設(shè)備組件;所述設(shè)備安裝平臺(tái)的一側(cè)設(shè)有樓梯16,其周邊設(shè)有護(hù)欄17。[0066] 所述設(shè)備安裝平臺(tái)組包括從下至上依次安裝的第一設(shè)備安裝平臺(tái)13、第二設(shè)備安裝平臺(tái)14和第三設(shè)備安裝平臺(tái)15;所述第一設(shè)備安裝平臺(tái)13呈“凹”字形;第一設(shè)備安裝平臺(tái)13還設(shè)有安裝抽真空系統(tǒng)9的第四設(shè)備安裝平臺(tái);第二設(shè)備安裝平臺(tái)14呈L型,且其短邊朝向第一設(shè)備安裝平臺(tái)13內(nèi)凹一側(cè),用于固定金屬霧化高溫化合塔室6和霧化制粉冷卻塔室7;第三設(shè)備安裝平臺(tái)15位于第二設(shè)備安裝平臺(tái)14上,用于放置控制箱、金屬熔煉室4、等離子霧化器、冷卻裝置等金屬霧化制粉設(shè)備;對(duì)應(yīng)第一設(shè)備安裝平臺(tái)13的內(nèi)凹處還設(shè)有用于固定安裝金屬霧化高溫化合塔室6的設(shè)備穿孔。[0067] 參照?qǐng)D10,所述移動(dòng)支撐架18包括高溫化合塔室底架、提升支撐架、維修軌道181、提升組件和冷卻塔室7活動(dòng)支架;所述提升支撐架包括豎向支撐架185、橫向架體189和加固側(cè)桿184;所述提升組件包括分別安裝在豎向支撐架185的底端和頂端的活動(dòng)滑輪組件183和固定滑輪組件186,以及位于豎向支撐架185中、用于帶動(dòng)橫向架體189升降的升降軌道;所述升降軌道的升降傳送帶安裝在活動(dòng)滑輪組件183、固定滑輪組件186之間,并通過(guò)提升驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)182驅(qū)動(dòng)其升降;加固側(cè)桿184一端與豎向支撐架185中上端連接,其另一端固定在地面,所述加固側(cè)桿184之間設(shè)有維修軌道181;所述高溫化合塔室底架放置在橫向架體189上;所述冷卻塔室7活動(dòng)支架,所述冷卻塔室7活動(dòng)支架放置在維修軌道181上,且能沿維修軌道181滑移。

[0068] 相鄰的支撐立柱11之間設(shè)有加強(qiáng)側(cè)桿12,加強(qiáng)側(cè)桿12呈交叉式或平行固定在支撐立柱11上。[0069] 所述高溫化合塔室底架和橫向架體189之間設(shè)有緩沖組件188,緩沖組件188的頂部固定在高溫化合塔室底架上。所述緩沖組件188為彈簧。[0070] 所述高溫化合塔室底架包括方形架體187、支撐桿1810和滾輪1811,所述滾輪1811安裝在方形架體187上,所述支撐桿1810與方形架體187上端連接,用于卡合固定高溫化合塔室6。[0071] 所述粉末分級(jí)收集裝置包括一級(jí)粉末分離篩網(wǎng)85、一級(jí)粉末收集器81、粉末分離吸取機(jī)構(gòu)86、旋風(fēng)分離器87、二級(jí)粉末收集器82、脈沖除塵器和三級(jí)粉末收集器83;所述一級(jí)粉末分離篩網(wǎng)85安裝在冷卻塔室7下椎體內(nèi),一級(jí)粉末收集器81與冷卻塔室7下椎體的排粉管連接;所述粉末分離吸取機(jī)構(gòu)86的進(jìn)料端861與冷卻塔室7中下部連通,其出料端與旋風(fēng)分離器87的進(jìn)料口連通;粉末分離吸取機(jī)構(gòu)86進(jìn)料端朝向冷卻塔室7下椎體頂端,且與冷卻塔室7側(cè)壁呈60 75°夾角固定連接;所述二級(jí)粉末收集器82與旋風(fēng)分離器87下方的旋風(fēng)~料包88連通,所述旋風(fēng)分離器87的出風(fēng)口通過(guò)管道與脈沖除塵器連接,脈沖除塵器下方設(shè)有三級(jí)粉末收集器83。

[0072] 靠近旋風(fēng)分離器87一端的粉末分離吸取機(jī)構(gòu)86設(shè)有旁路支管862。[0073] 所述化合塔殼體61的側(cè)壁設(shè)有耳式支座612,便于將化合塔殼體61安放在設(shè)備安裝平臺(tái)上;化合塔殼體61上設(shè)有防爆口614。[0074] 所述冷卻塔室下椎體和旋風(fēng)料包88的側(cè)壁上安裝有氣動(dòng)敲擊錘89。[0075] 所述一級(jí)粉末收集器81、二級(jí)粉末收集器82和三級(jí)粉末收集器83呈水滴形或倒漏斗形。[0076] 所述脈沖除塵器包括脈沖筒體810、脈沖管和脈沖下錐斗812;所述脈沖筒體810的一側(cè)設(shè)有進(jìn)氣管,所述進(jìn)氣管與安裝在脈沖筒體810內(nèi)部的龍骨布袋底部連通,龍骨布袋上方設(shè)有脈沖管,脈沖管上設(shè)有脈沖閥811,脈沖筒體810頂部的出氣管排空或與氣氛純化氣回收儲(chǔ)罐連通。[0077] 所述一級(jí)粉末收集器81、二級(jí)粉末收集器82和三級(jí)粉末收集器83上方的連接管道上設(shè)有控制閥84,便于一級(jí)粉末收集器81、二級(jí)粉末收集器82和三級(jí)粉末收集器83的更換。[0078] 實(shí)施例2[0079] 與實(shí)施例1相比,本實(shí)施例一種塔式金屬霧化制粉設(shè)備存在以下不同:[0080] 進(jìn)氣支管634的出氣口的中心線與化合反應(yīng)腔室63下椎體側(cè)壁之間的夾角為10°。[0081] 所述碳?碳復(fù)合材料的耐溫性≥2500℃。[0082] 所述高溫防氧化涂層采用可在溫度≥2000℃下使用的石墨高溫防氧化涂料涂覆而成,其厚度為5mm。[0083] 所述一級(jí)粉末分離篩網(wǎng)85下方設(shè)有與惰性氣體儲(chǔ)罐或氣氛純化氣體儲(chǔ)罐的導(dǎo)氣盤813,所述導(dǎo)氣盤813的底部還設(shè)有與第二氣管連通的儲(chǔ)氣凹槽,其上端開(kāi)設(shè)有若干個(gè)用于將儲(chǔ)氣凹槽內(nèi)氣體輸出的噴嘴。[0084] 所述噴嘴的出氣口朝向粉末分離吸取機(jī)構(gòu)與冷卻塔室的連接處。導(dǎo)氣盤813的結(jié)構(gòu)也可以采用CN103949633A中公開(kāi)的導(dǎo)氣盤結(jié)構(gòu)。[0085] 本發(fā)明一種塔式金屬霧化制粉設(shè)備,根據(jù)金屬霧化制粉工藝所需的氣化反應(yīng)條件,所述高溫防氧化涂層的厚度還可以為2mm、2.5mm、4mm或4.5mm;以上技術(shù)特征的改變,本領(lǐng)域的技術(shù)人員通過(guò)文字描述可以理解并實(shí)施,故不再另作附圖加以說(shuō)明。



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“塔式金屬霧化制粉設(shè)備” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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