權(quán)利要求書： 1.一種無測量裝置可連續(xù)控制電解液深度的電解池，包括電解池本體(1)，其特征在于：所述電解池本體(1)的側(cè)壁開設(shè)有電解液調(diào)節(jié)觀察室(4)，所述電解液調(diào)節(jié)觀察室(4)中安裝有電解液調(diào)節(jié)裝置和電解液控制裝置；

所述電解液調(diào)節(jié)裝置包括與電解池本體(1)連通的儲(chǔ)液筒(5)，所述儲(chǔ)液筒(5)中設(shè)置有與儲(chǔ)液筒(5)滑動(dòng)連接的活塞(6)，所述活塞(6)遠(yuǎn)離電解池本體(1)的一端固定連接有穿過儲(chǔ)液筒(5)和電解液調(diào)節(jié)觀察室(4)沿伸至電解液調(diào)節(jié)觀察室(4)外的活塞軸(8)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無測量裝置可連續(xù)控制電解液深度的電解池，其特征在于：所述電解池本體(1)的內(nèi)底面積是儲(chǔ)液筒(5)活塞(6)前端面積的整數(shù)倍。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的無測量裝置可連續(xù)控制電解液深度的電解池，其特征在于：所述電解池本體(1)的內(nèi)底面積是儲(chǔ)液筒(5)活塞(6)前端面積為的10倍。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無測量裝置可連續(xù)控制電解液深度的電解池，其特征在于：所述電解液控制裝置包括與活塞軸(8)固定連接的千分尺(9)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的無測量裝直可連續(xù)控制電解液深度的電解池，其特征在于：所述電解液調(diào)節(jié)觀察室(4)的側(cè)壁上設(shè)置有用于固定千分尺(9)的定位支架。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無測量裝置可連續(xù)控制電解液深度的電解池，其特征在于：所述儲(chǔ)液筒(5)采用PFA塑料制成。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的無測量裝置可連續(xù)控制電解液深度的電解池，其特征在于：所述儲(chǔ)液筒(5)的筒身設(shè)置有刻度線，所述刻度線的分度值為10μm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的無測量裝置可連續(xù)控制電解液深度的電解池，其特征在于：所述電解液調(diào)節(jié)觀察室(4)側(cè)壁上開設(shè)用于觀察電解液調(diào)節(jié)裝置的工作狀態(tài)的觀察窗(10)。

9.一種無測量裝置可連續(xù)控制電解液深度的電解池的電解液深度調(diào)節(jié)方法，應(yīng)用權(quán)利要求1所述的一種無測量裝置可連續(xù)控制電解液深度的電解池，其特征在于，包括：S1、在電解池本體(1)的載物臺中放置待加工件，向電解池本體(1)中加入電解液(2)至代加工件表面；

S2、轉(zhuǎn)動(dòng)千分尺(9)，調(diào)節(jié)電解池中電解液(2)的高度。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種無測量裝置可連續(xù)控制電解液深度的電解池的電解液深度調(diào)節(jié)方法，其特征在于：所述S2中千分尺(9)轉(zhuǎn)動(dòng)一圈，電解池本體(1)中的電解液(2)下降1μm。

說明書： 一種無測量裝置可連續(xù)控制電解液深度的電解池及其調(diào)節(jié)方法

技術(shù)領(lǐng)域[0001] 本發(fā)明涉及金屬腐蝕技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種控制金屬表面電解質(zhì)層深度的電解池裝置及其調(diào)節(jié)方法。背景技術(shù)[0002] 金屬在電解質(zhì)溶液中的腐蝕是一個(gè)復(fù)雜的氧化還原過程，其中吸氧腐蝕在腐蝕過程中占據(jù)重要地位?？諝庵械难跬ㄟ^電解質(zhì)與空氣界面溶解進(jìn)電解質(zhì)溶液中，再通過擴(kuò)散到達(dá)金屬表面并發(fā)生吸氧腐蝕。到達(dá)金屬表面的氧越多，金屬發(fā)生吸氧腐蝕的程度就越劇烈。氧在電解質(zhì)溶液中的傳輸與電解質(zhì)溶液的深度密切相關(guān)，金屬表面的電解質(zhì)層的深度越深，氧擴(kuò)散到達(dá)金屬表面的過程就越困難，金屬的吸氧腐蝕速度也越慢。[0003] 本申請人進(jìn)行了檢索，然而在己公開的中國專利文獻(xiàn)中未見諸無需測量就能精確連續(xù)控制金屬表面電解液深度的電解池的技術(shù)啟示，現(xiàn)有公開的金屬表面電解液深度的控制裝置要么將金屬置于電解池中通過金屬表面電解質(zhì)逐漸蒸發(fā)來控制金屬表面的電解液深度，要么向電解池中倒入電解質(zhì)，然后用測量裝置測量金屬表面的電解液深度。通過電解質(zhì)逐漸蒸發(fā)來控制金屬表面的電解液深度方法不僅時(shí)間長，而且金屬表面電解液深度無法精確保證，通過向電解池中倒入電解質(zhì)，然后用測量裝置測量金屬表面的電解液深度，需要每次倒入一定量的電解質(zhì)，然后再用繁雜的檢測設(shè)備測量金屬表面的電解液深度，該方法不僅要間歇性的向電解池中倒入電解質(zhì)溶液，而且每次倒入的量無法控制，并且要不間斷的測量電解質(zhì)溶液的深度。該方法不僅要復(fù)雜的測量裝置，而且還無法連續(xù)控制金屬表面電解液深度，不利于電解液深度對金屬腐蝕影響的有關(guān)實(shí)驗(yàn)的研究。因此，需要提供一種無需測量就能精確連續(xù)控制金屬表面電解液深度的電解池。發(fā)明內(nèi)容[0004] 針對現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種無測量裝置可連續(xù)控制電解液深度的電解池及其調(diào)節(jié)方法，具有能夠精確連續(xù)控制金屬表面電解液深度的優(yōu)點(diǎn)。[0005] 為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了如下技術(shù)方案：一種無測量裝置可連續(xù)控制電解液深度的電解池，包括電解池本體，電解池本體

的側(cè)壁開設(shè)有電解液調(diào)節(jié)觀察室，電解液調(diào)節(jié)觀察室中安裝有電解液調(diào)節(jié)裝置和電解液控制裝置；

電解液調(diào)節(jié)裝置包括與電解池本體連通的儲(chǔ)液筒，儲(chǔ)液筒中設(shè)置有與儲(chǔ)液筒滑動(dòng)

連接的活塞，活塞遠(yuǎn)離電解池本體的一端固定連接有穿過儲(chǔ)液筒和電解液調(diào)節(jié)觀察室沿伸至電解液調(diào)節(jié)觀察室外的活塞軸。

[0006] 采用上述技術(shù)方案，通過拉動(dòng)活塞軸，能夠控制儲(chǔ)液筒內(nèi)的活塞運(yùn)動(dòng)，從而使儲(chǔ)液筒吸取或者放出電解液，從而控制電解池中電解液的深度，結(jié)構(gòu)簡單操作方便。[0007] 進(jìn)一步，電解池本體的內(nèi)底面積是儲(chǔ)液筒活塞前端面積的整數(shù)倍。[0008] 采用上述技術(shù)方案，通過將儲(chǔ)液筒活塞的前端面積設(shè)置為電解池本體的內(nèi)底面積的整數(shù)倍，便于進(jìn)一步精準(zhǔn)地量化控制電解池的電解液深度，當(dāng)活塞移動(dòng)一定距離后，電解池深度改變整數(shù)倍分之一的活塞移動(dòng)距離，有助于進(jìn)一步提高調(diào)節(jié)的便利性。[0009] 進(jìn)一步，電解池本體的內(nèi)底面積是儲(chǔ)液筒活塞前端面積的10倍。[0010] 采用上述技術(shù)方案，當(dāng)電解池本體的內(nèi)底面積是儲(chǔ)液筒活塞前端面積的10倍時(shí)，活塞前進(jìn)或后退10μm，電解液深度上升或下降1μm，有助于進(jìn)一步精準(zhǔn)地量化控制電解液深度，使操作更加便利。[0011] 進(jìn)一步，電解液控制裝置包括與活塞軸固定連接的千分尺。[0012] 采用上述技術(shù)方案，通過千分尺控制活塞移動(dòng)，當(dāng)轉(zhuǎn)動(dòng)千分尺時(shí)，活塞會(huì)在活塞軸的帶動(dòng)下，與千分尺保持同步運(yùn)動(dòng)，從而實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)地控制活塞的運(yùn)動(dòng)，同時(shí)還能夠通過千分尺的刻度，精準(zhǔn)地讀出此時(shí)的電解液深度，有助于進(jìn)一步提高操作便利性。[0013] 進(jìn)一步，電解液調(diào)節(jié)觀察室的側(cè)壁上設(shè)置有用于固定千分尺的定位支架。[0014] 采用上述技術(shù)方案，通過設(shè)置定位支架，能夠牢固地安裝千分尺，從而使千分尺的操作更加簡便，有助于保證千分尺調(diào)節(jié)的精確性。[0015] 進(jìn)一步，儲(chǔ)液筒采用PFA塑料制成。[0016] 采用上述技術(shù)方案，采用PFA塑料制作儲(chǔ)液筒，PFA為透明塑料，便于觀察儲(chǔ)液筒內(nèi)活塞的移動(dòng)狀態(tài)，便于快速發(fā)現(xiàn)裝置故障，從而在第一時(shí)間進(jìn)行維修；同時(shí)PFA耐酸堿侵蝕，能夠保證裝置的穩(wěn)定運(yùn)行，延長裝置的使用壽命。[0017] 進(jìn)一步，儲(chǔ)液筒的筒身設(shè)置有刻度線，刻度線的分度值為10μm。[0018] 采用上述技術(shù)方案，通過筒身設(shè)置的刻度線，能夠快速讀出此時(shí)的電解液深度，有助于使裝置的操作更加簡便。[0019] 進(jìn)一步，電解液調(diào)節(jié)觀察室側(cè)壁上開設(shè)用于觀察電解液調(diào)節(jié)裝置的工作狀態(tài)的觀察窗。[0020] 采用上述技術(shù)方案，便于快速觀察儲(chǔ)液筒的狀況，使裝置的操作更加簡便。[0021] 9、一種無測量裝置可連續(xù)控制電解液深度的電解池的電解液深度調(diào)節(jié)方法，應(yīng)用權(quán)利要求1的一種無測量裝置可連續(xù)控制電解液深度的電解池，包括：S1、在電解池本體的載物臺中放置待加工件，向電解池本體中加入電解液至代加

工件表面；

S2、轉(zhuǎn)動(dòng)千分尺，調(diào)節(jié)電解池中電解液的高度。

[0022] 采用上述技術(shù)方案，無需測量裝置，通過旋轉(zhuǎn)千分尺并根據(jù)千分尺上的讀數(shù)就可以直接讀出電解池中電解質(zhì)液面升高或降低的數(shù)值，從而控制電解池中金屬表面的電解液深度，操作方法簡單。[0023] 進(jìn)一步，S2中千分尺轉(zhuǎn)動(dòng)一圈，電解池本體中的電解液下降1μm。[0024] 采用上述技術(shù)方案，可以快速控制金屬表面電解液深度，其控制精度達(dá)到1μm。[0025] 綜上所述，本發(fā)明具有以下有益效果：1.電解池結(jié)構(gòu)簡單，其調(diào)節(jié)方法簡單方便，可以控制金屬表面電解液深度的精度達(dá)到1μm；

2.通過旋轉(zhuǎn)千分尺并根據(jù)千分尺上的讀數(shù)就可以直接讀出電解池中電解質(zhì)液面

升高或降低的數(shù)值，效果直觀；

3.工作穩(wěn)定，維護(hù)周期長，使用壽命長。

附圖說明[0026] 圖1為本發(fā)明中一種無測量裝置可連續(xù)控制電解液深度的電解池結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本發(fā)明中純銅電極表面不同深度的電解質(zhì)對腐蝕過程中極化曲線的影響

圖；

圖3為本發(fā)明中純銅電極表面不同深度的電解質(zhì)對腐蝕過程中阻抗譜曲線的影響

圖。

[0027] 圖中：1、電解池本體；2、電解液；3、銅式樣；4、觀察室；5、儲(chǔ)液筒；6、活塞；7、固定支架；8、活塞軸；9、千分尺；10、觀察窗。具體實(shí)施方式[0028] 下面結(jié)合附圖及實(shí)施例，對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述。[0029] 本具體實(shí)施例僅僅是對本發(fā)明的解釋，其并不是對本發(fā)明的限制，本領(lǐng)域技術(shù)人員在閱讀完本說明書后可以根據(jù)需要對本實(shí)施例做出沒有創(chuàng)造性貢獻(xiàn)的修改，但只要在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍內(nèi)都受到專利法的保護(hù)。其中實(shí)施例1為一種無測量裝置可連續(xù)控制電解液深度的電解池和一種無測量裝置可連續(xù)控制電解液深度的電解池的電解液深度調(diào)節(jié)方法的具體實(shí)施方式，實(shí)施例2和實(shí)施例3為實(shí)施例1的實(shí)驗(yàn)例。[0030] 實(shí)施例1參見圖1，一種無測量裝置可連續(xù)控制電解液深度的電解池，包括電解池本體1，電解池本體1的側(cè)壁開設(shè)有電解液調(diào)節(jié)觀察室4，電解液調(diào)節(jié)觀察室4中安裝有電解液調(diào)節(jié)裝置和電解液控制裝置。

[0031] 具體的，參見圖1，電解池本體1為一個(gè)矩形的耐酸堿池體，其底面的面積為4m2。電解池本體1內(nèi)的中心位置處設(shè)置有與電解池本體1的底部固定連接的載物臺，載物臺為圓柱形柱體。電解液調(diào)節(jié)觀察室4設(shè)置在電解池本體1旁，且與電解池本體1固定連接，電解液調(diào)節(jié)裝置包括與電解池本體1連通的儲(chǔ)液筒5，儲(chǔ)液筒5和電解池本體1連通，儲(chǔ)液筒5采用PFA2

塑料制成。儲(chǔ)液筒5中設(shè)置有與儲(chǔ)液筒5滑動(dòng)連接的活塞6，活塞6的前端面積為0.4m ，活塞

6遠(yuǎn)離電解池本體1的一端固定連接有活塞軸8，活塞軸8穿過儲(chǔ)液筒5和電解液調(diào)節(jié)觀察室4沿伸至電解液調(diào)節(jié)觀察室4外?；钊S8處于電解液調(diào)節(jié)觀察室4外的一端固定連接有千分尺9，活塞軸8和千分尺9同軸設(shè)置。電解液調(diào)節(jié)觀察室4的側(cè)壁上設(shè)置有用于固定千分尺9的定位支架。定位支架為L型板，千分尺9從定位支架中穿出。儲(chǔ)液筒5的筒身上沿活塞6的移動(dòng)方向設(shè)置有刻度線，所述刻度線的分度值為10μm。電解液調(diào)節(jié)觀察室4側(cè)壁上開設(shè)用于觀察電解液調(diào)節(jié)裝置的工作狀態(tài)的觀察窗10。

[0032] 一種無測量裝置可連續(xù)控制電解液深度的電解池的電解液深度調(diào)節(jié)方法，其具體步驟如下：S1、將待電鍍的元件放置在電解池中的載物臺上，然后連接電解電極。

[0033] S2、向電解池中注入生產(chǎn)所需要的電解液2，使電解池中的電解液2的液面高度和待鍍元件的高度相同，使電解液2恰好沒過待鍍件。[0034] S3、將千分尺9調(diào)為0點(diǎn)，然后順時(shí)針旋轉(zhuǎn)千分尺9手柄，通過活塞軸8、活塞6推動(dòng)儲(chǔ)液筒5中的電解液2通過電解池側(cè)壁上的孔進(jìn)入電解池，此時(shí)千分尺9的讀數(shù)的0.1倍即為待鍍件表面電解液2的深度。[0035] S4、電鍍完成后，逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)千分尺9的手柄，使千分尺9歸零，從電解池中取出已經(jīng)加工完成的元件。[0036] 實(shí)施例2：純銅試樣表面不同深度的電解質(zhì)對腐蝕過程中極化曲線的影響：

用純銅通過線切割把銅板切割成尺寸為10mm×10mm×4mm的試樣，再把兩個(gè)相同

的試樣嵌入環(huán)氧樹脂中分別作為工作電極和對電極。每個(gè)電極的背面都焊接了一根導(dǎo)線。

在測試之前，電極表面用砂紙打磨至2000目，然后用金剛石膏拋光至鏡面光亮，再用乙醇超聲波清洗并用冷風(fēng)吹干。然后把電極安裝在電解池中，如圖l所示。向電解池中注入3.5%的氯化納溶液，使電解池中的電解質(zhì)液面高度和純銅試樣的高度相同。控制純銅表面的電解液深度的方法為：首先把千分尺9調(diào)為0點(diǎn)，然后順時(shí)針旋轉(zhuǎn)千分尺9的手柄，通過活塞軸8、活塞6推動(dòng)儲(chǔ)液筒5中的電解液2通過電解池側(cè)壁上的孔進(jìn)入電解池，此時(shí)千分尺9的讀數(shù)的

0.1倍即為純銅試樣表面電解液2的深度。通過五次順時(shí)針旋轉(zhuǎn)千分尺9手柄得到純銅試樣表面電解液2的深度分別100、150、200、250、300μm。然后來用雙電極測試極化曲線隨純銅表面電解液深度的變化規(guī)律。所得結(jié)果如圖2所示。從結(jié)果可以看出，純銅表面電解液深度對純銅腐蝕的極化曲線有顯著影響。結(jié)果說明該電解池對金屬表面電解液深度的調(diào)節(jié)的有效性。

[0037] 實(shí)施例3：純銅試樣表面不同深度的電解質(zhì)對腐蝕過程中阻抗譜的影響：

用純銅通過線切割把銅板切割成尺寸為10mm×10mm×4mm的試樣，再把兩個(gè)相同

的試樣嵌入環(huán)氧樹脂中分別作為工作電極和對電極。每個(gè)電極的背面都焊接了一根導(dǎo)線。

在測試之前，電極表面用砂紙打磨至2000粒，然后用金剛石膏拋光至鏡面光亮，再用乙醇超聲波清洗并用冷風(fēng)吹干。然后把電極安裝在電解池中，如圖1所示。向電解池中注入3.5%的氯化納溶液，使電解池中的電解質(zhì)液面高度和純銅試樣的高度相同?？刂萍冦~表面的電解液深度的方法為：首先把千分尺9調(diào)為0點(diǎn)，然后順時(shí)針旋轉(zhuǎn)千分尺9的手柄，通過活塞軸8、活塞6推動(dòng)儲(chǔ)液筒5中的電解液2通過電解池側(cè)壁上的孔進(jìn)入電解池，此時(shí)千分尺9的讀數(shù)的

0.1倍即為純銅試樣表面電解液2的深度。通過五次順時(shí)針旋轉(zhuǎn)千分尺9手柄，得到純銅試樣表面電解液2的深度分別100、150、200、250、300μm。然后采用雙電極測試阻抗譜隨純銅表面電解液深度的變化規(guī)律。所得結(jié)果如圖3所示。從結(jié)果可以看出，純銅表面電解液深度對純銅腐蝕的阻抗譜有顯著影響。結(jié)果說明該電解池對金屬表面電解液深度的調(diào)節(jié)的有效性。

[0038] 綜上所述：參見圖2、圖3，根據(jù)實(shí)施例2和實(shí)施例3所做實(shí)驗(yàn)得出的數(shù)據(jù)可發(fā)現(xiàn)，通過本裝置進(jìn)行電解液深度調(diào)節(jié)后，純銅式樣3表面的阻抗譜和極化曲線都有明顯變化，因此該電解池能夠有效地調(diào)節(jié)金屬表面地電解液深度。

[0039] 以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，本發(fā)明的保護(hù)范圍并不僅局限于上述實(shí)施例，凡屬于本發(fā)明思路下的技術(shù)方案均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理前提下的若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。