權(quán)利要求書： 1.一種電解鍍敷裝置，其特征在于具備：鍍敷槽，能填充鍍敷液；

密封部件，配置在被處理襯底的被處理面的周緣部，在將所述被處理襯底浸漬于所述鍍敷槽時(shí)，將所述鍍敷液密封在所述被處理面的中央側(cè)；以及接觸部件，與所述密封部件獨(dú)立地設(shè)置，在比所述密封部件更靠所述被處理襯底的周緣部側(cè)進(jìn)行對(duì)所述被處理面的電導(dǎo)通；且所述密封部件賦予所述被處理襯底的按壓力、與所述接觸部件賦予所述被處理襯底的按壓力能分別獨(dú)立地調(diào)整。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電解鍍敷裝置，其特征在于：所述接觸部件在比所述密封部件更靠所述被處理襯底的周緣部側(cè)，接觸所述被處理襯底，所述接觸部件接觸所述被處理襯底的部位的所述被處理面的法線方向的高度、與所述密封部件接觸所述被處理襯底的部位的所述被處理面的法線方向的高度獨(dú)立地被調(diào)整。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電解鍍敷裝置，其特征在于：所述接觸部件接觸所述被處理襯底的與被處理面相連的側(cè)方的第1端面、以及與所述被處理面為相反側(cè)的第2端面中的至少一個(gè)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電解鍍敷裝置，其特征在于：所述接觸部件在所述第1端面以及所述第2端面中的至少一個(gè)，分別隔開而在多個(gè)部位連接，在所述多個(gè)部位的每一個(gè)，所述接觸部件賦予所述被處理襯底的按壓力分別獨(dú)立地被調(diào)整。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的電解鍍敷裝置，其特征在于：所述接觸部件接觸所述被處理襯底的部位的所述被處理面的法線方向的高度、與所述密封部件接觸所述被處理襯底的部位的所述被處理面的法線方向的高度，在所述多個(gè)部位的每一個(gè)獨(dú)立地被調(diào)整。

6.一種電解鍍敷裝置，其特征在于具備：鍍敷槽，能填充鍍敷液；

密封部件，配置在被處理襯底的被處理面的周緣部，在將所述被處理襯底浸漬于所述鍍敷槽時(shí)，將所述鍍敷液密封在所述被處理面的中央側(cè)；

接觸部件，與所述密封部件獨(dú)立地設(shè)置，在比所述密封部件更靠所述被處理襯底的周緣部側(cè)進(jìn)行對(duì)所述被處理面的電導(dǎo)通；以及支持襯底，支持所述被處理襯底；且所述密封部件賦予所述被處理襯底的按壓力、與所述接觸部件賦予所述支持襯底的按壓力能分別獨(dú)立地調(diào)整。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的電解鍍敷裝置，其特征在于：所述接觸部件接觸所述支持襯底，

所述接觸部件接觸所述支持襯底的部位的所述被處理面的法線方向的高度、與所述密封部件接觸所述被處理襯底的部位的所述被處理面的法線方向的高度獨(dú)立地被調(diào)整。

8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的電解鍍敷裝置，其特征在于：所述接觸部件接觸所述支持襯底的側(cè)方的第3端面、以及所述支持襯底與所述被處理襯底的接觸面為相反側(cè)的第4端面中的至少一個(gè)。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的電解鍍敷裝置，其特征在于：所述接觸部件在所述第3端面以及所述第4端面中的至少一個(gè)，分別隔開而在多個(gè)部位連接，在所述多個(gè)部位的每一個(gè)，所述接觸部件賦予所述支持襯底的按壓力分別獨(dú)立地被調(diào)整。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的電解鍍敷裝置，其特征在于：所述接觸部件接觸所述支持襯底的部位的所述被處理面的法線方向的高度、與所述密封部件接觸所述被處理襯底的部位的所述被處理面的法線方向的高度，在所述多個(gè)部位的每一個(gè)獨(dú)立地被調(diào)整。

11.一種電解鍍敷方法，其特征在于包含以下步驟：向鍍敷槽供給鍍敷液；以及

將被處理襯底浸漬于被供給的所述鍍敷液；且浸漬于所述鍍敷液時(shí)，使用配置在所述被處理襯底的被處理面的周緣部的密封部件、及與所述密封部件獨(dú)立地設(shè)置在比所述密封部件更靠所述被處理襯底的周緣部側(cè)的接觸部件，將所述被處理襯底朝向所述密封部件按壓。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電解鍍敷方法，其特征在于：所述接觸部件在比所述密封部件更靠所述被處理襯底的周緣部側(cè)，接觸所述被處理襯底、或者接觸支持所述被處理襯底的支持襯底，

所述接觸部件接觸所述被處理襯底或者所述支持襯底的部位的所述被處理面的法線方向的高度、與所述密封部件接觸所述被處理襯底的部位的所述被處理面的法線方向的高度獨(dú)立地被調(diào)整。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電解鍍敷方法，其特征在于：所述接觸部件接觸所述被處理襯底的與被處理面相連的側(cè)方的第1端面、與所述被處理面為相反側(cè)的第2端面、支撐所述被處理襯底的支持襯底的側(cè)方的第3端面、以及所述支持襯底的與所述被處理襯底的接觸面為相反側(cè)的第4端面中的至少一個(gè)。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電解鍍敷方法，其特征在于：所述密封部件賦予所述被處理襯底的按壓力、與所述接觸部件賦予所述被處理襯底或者所述支持襯底的按壓力分別獨(dú)立地被調(diào)整。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電解鍍敷方法，其特征在于：所述接觸部件在所述第1至第4端面的至少一個(gè)，分別隔開而在多個(gè)部位連接，在所述多個(gè)部位的每一個(gè)，所述接觸部件賦予所述被處理襯底或者所述支持襯底的按壓力分別獨(dú)立地被調(diào)整。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的電解鍍敷方法，其特征在于：所述接觸部件接觸所述被處理襯底或者所述支持襯底的部位的所述被處理面的法線方向的高度、與所述密封部件接觸所述被處理襯底的部位的所述被處理面的法線方向的高度，在所述多個(gè)部位的每一個(gè)獨(dú)立地被調(diào)整。

說明書： 電解鍍敷裝置及電解鍍敷方法技術(shù)領(lǐng)域[0001] 本發(fā)明的實(shí)施方式涉及一種電解鍍敷裝置及電解鍍敷方法。背景技術(shù)[0002] 在半導(dǎo)體裝置用的電解鍍敷裝置中，需要應(yīng)對(duì)各種材料的襯底。作為具體的襯底材料，例如考慮有硅、玻璃、化合物半導(dǎo)體等。此外，也有對(duì)貼合多個(gè)襯底的襯底進(jìn)行鍍敷的

狀況。

[0003] 在電解鍍敷裝置中，為了將半導(dǎo)體襯底浸漬于鍍敷槽，需要設(shè)置密封部件，以使鍍敷液不會(huì)浸入多余的部位。通常是將密封部件配置在經(jīng)圖案化的抗蝕劑層之上，并使接地

電位用接觸部件接觸低電阻的金屬晶種層。

[0004] 然而，密封部件的按壓最佳值會(huì)根據(jù)抗蝕劑的材料、膜厚、圖案開口率即接觸面積而大幅變化。若密封部件的按壓過高，則有晶片粘在密封部件上，導(dǎo)致晶片裂開的可能。此

外，若接觸部件的按壓過高，則有半導(dǎo)體襯底出現(xiàn)缺口、或產(chǎn)生龜裂的可能。

[0005] 電解鍍敷裝置中的密封部件及接觸部件大多是以一體成形的構(gòu)造體形式提供，難以個(gè)別地控制密封部件與接觸部件的壓力。

[0006] 此外，作為進(jìn)行鍍敷的對(duì)象的半導(dǎo)體襯底即晶片若邊緣被切去，則接觸部件接觸晶片的邊緣部分時(shí)，有無法充分確保接觸面積的可能。如此，若密封部件與接觸部件一體成

形，則無法將密封部件及接觸部件分別配置在獨(dú)立的場所，因此密封部件與接觸部件的配

置場所產(chǎn)生限制。

發(fā)明內(nèi)容[0007] 本發(fā)明的一方式提供一種可將密封部件與接觸部件配置在最佳場所、且可個(gè)別地調(diào)整密封部件與接觸部件的按壓的電解鍍敷裝置及電解鍍敷方法。

[0008] 根據(jù)本實(shí)施方式，提供一種電解鍍敷裝置，具備：鍍敷槽，能填充鍍敷液；[0009] 密封部件，配置在被處理襯底的被處理面的周緣部，在將所述被處理襯底浸漬于所述鍍敷槽時(shí)，將所述鍍敷液密封在所述被處理面的中央側(cè)；以及

[0010] 接觸部件，與所述密封部件獨(dú)立地設(shè)置，在比所述密封部件更靠所述被處理襯底的周緣部側(cè)進(jìn)行對(duì)所述被處理面的電導(dǎo)通；且

[0011] 所述密封部件賦予所述被處理襯底的按壓力、與所述接觸部件賦予所述被處理襯底的按壓力能分別獨(dú)立地調(diào)整。

附圖說明[0012] 圖1是表示一實(shí)施方式的電解鍍敷裝置的主要部分的剖視圖。[0013] 圖2是表示被處理襯底支持部的詳細(xì)構(gòu)造的圖。[0014] 圖3是表示使接觸部件接觸支持襯底的與被處理面為相反側(cè)的面的一個(gè)例子的圖。

[0015] 圖4是表示使接觸部件接觸支持襯底的被處理面的一個(gè)例子的圖。[0016] 圖5是從被處理面?zhèn)扔^察被處理襯底支持部的俯視圖。[0017] 圖6是表示無支持襯底而對(duì)被處理襯底進(jìn)行鍍敷處理時(shí)的密封部件與接觸部件的接觸方式的一例的圖。

具體實(shí)施方式[0018] 以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的一實(shí)施方式進(jìn)行說明。另外，本件說明書添附的附圖中，為了便于圖示及理解，適當(dāng)?shù)貙⒈壤呒翱v橫尺寸比等，從實(shí)物進(jìn)行變更而予以夸張描

繪。

[0019] 而且，關(guān)于本說明書中使用的特定形狀、幾何學(xué)條件以及它們的程度的例如“平行”、“正交”、“相同”等用語、長度、角度的值等，并不限制為嚴(yán)格的含義，應(yīng)包含能獲得相同

功能的程度的范圍而進(jìn)行理解。

[0020] 圖1是表示一實(shí)施方式的電解鍍敷裝置1的主要部分的剖視圖。圖1的電解鍍敷裝置1具備被處理襯底支持部2、鍍敷槽3、及移動(dòng)機(jī)構(gòu)4。被處理襯底支持部2對(duì)作為鍍敷對(duì)象

的被處理襯底5進(jìn)行支持，是本實(shí)施方式的特征部分，所以詳細(xì)說明將在下文進(jìn)行敘述。

[0021] 被處理襯底支持部2是在移動(dòng)機(jī)構(gòu)4的移動(dòng)控制下，經(jīng)由閘閥14而進(jìn)行對(duì)電解鍍敷裝置1的搬入及搬出。鍍敷槽3是上端側(cè)開口的圓筒形容器。在鍍敷槽3的大致中央部，沿鉛

垂方向配置有噴出鍍敷液3a的噴出管6。另外，在圖1中，將圖示的垂直方向設(shè)為鉛垂方向、

即鍍敷槽3的液面的法線方向(深度方向)，將圖示的水平方向設(shè)為鍍敷槽3的液面方向。該

噴出管6的前端部設(shè)置在鍍敷槽3的深度方向的中間附近。在噴出管6的周圍，配置有大致圓

板狀的陽極電極7。將陽極電極7熔解時(shí)產(chǎn)生的Cu離子供給至鍍敷液3a中，由此將鍍敷液3a

中的Cu離子濃度維持為大致固定。

[0022] 對(duì)陽極電極7施加特定電壓，由此在陽極電極7、與通過后述接觸部件23被設(shè)定為接地電位的被處理襯底5之間形成電場。

[0023] 鍍敷槽3通過間隔壁8被隔開。該間隔壁8的內(nèi)周側(cè)連接在噴出管6的前端部，外周側(cè)連接在鍍敷槽3的內(nèi)壁。經(jīng)間隔壁8隔開的上側(cè)從噴出管6被供給鍍敷液3a。經(jīng)間隔壁8隔

開的下側(cè)從循環(huán)配管9被供給鍍敷液3a。間隔壁8使離子透過，不使陽極電極7熔解時(shí)產(chǎn)生的

雜質(zhì)、鍍敷處理中產(chǎn)生的氧氣、氫氣等的泡透過。

[0024] 在鍍敷槽3的底面?zhèn)仍O(shè)置有循環(huán)配管9。所述循環(huán)配管9使用未圖示的泵，在鍍敷槽3的比間隔壁8更下側(cè)的區(qū)域，使鍍敷液3a循環(huán)。在包圍鍍敷槽3的周圍的外槽10的底部，設(shè)

置有2個(gè)排出口11。在所述排出口11連接有配管12。該配管12與噴出管6之間配置有泵13。泵

13將未圖示的罐內(nèi)的鍍敷液3a通過配管12供給至鍍敷槽3。

[0025] 圖1所示的鍍敷槽3的構(gòu)造為一例，本實(shí)施方式的電解鍍敷裝置1可應(yīng)用于任意構(gòu)造的鍍敷槽3。

[0026] 被處理襯底支持部2如后所述是以使密封部件21接觸被處理襯底5，且利用接觸部件23將被處理面5a設(shè)定為接地電位的狀態(tài)對(duì)被處理襯底5進(jìn)行支持。在被處理襯底支持部2

連接有移動(dòng)機(jī)構(gòu)4。移動(dòng)機(jī)構(gòu)4具有使被處理襯底5沿著鍍敷槽3的液面的法線方向移動(dòng)的功

能、及使被處理襯底5沿著鍍敷槽3的液面的方向移動(dòng)的功能。

[0027] 此處，所謂密封部件21，是指以下部件：配置在被處理襯底5的被處理面5a的周緣部，在被處理襯底5被浸漬于鍍敷槽3時(shí)，將鍍敷液3a密封在被處理面5a的中央側(cè)。此外，所

謂接觸部件23，是指以下部件：與密封部件21獨(dú)立地設(shè)置，在比密封部件21更靠被處理襯底

5的周緣部側(cè)進(jìn)行對(duì)被處理面5a的電導(dǎo)通。接觸部件23在比密封部件21更靠被處理襯底5的

周緣部側(cè)接觸被處理襯底5、或者接觸支持被處理襯底5的支持襯底20。

[0028] 接觸部件23接觸被處理襯底5或者支持襯底20的部位的被處理面5a的法線方向的高度、及密封部件21接觸被處理襯底5的部位的被處理面5a的法線方向的高度獨(dú)立地被控

制。接觸部件23接觸被處理襯底5的與被處理面5a相連的側(cè)方的第1端面、與被處理面5a為

相反側(cè)的第2端面、支持被處理襯底5的支持襯底20的側(cè)方的第3端面、及與支持襯底20的被

處理襯底5的接觸面為相反側(cè)的第4端面中的至少一個(gè)接觸。密封部件21對(duì)被處理襯底5賦

予的按壓力、與接觸部件23對(duì)被處理襯底5或者支持襯底20賦予的按壓力分別獨(dú)立地被控

制。

[0029] 如后所述，接觸部件23也可在第1至第4端面中的至少一個(gè)分別相隔開而在多個(gè)部位連接。此外，在多個(gè)部位的每一個(gè)，接觸部件23對(duì)被處理襯底5賦予的按壓力也可分別獨(dú)

立地被控制。接觸部件23接觸被處理襯底5或者支持襯底20的部位的被處理面5a的法線方

向的高度、及密封部件21接觸被處理襯底5的部位的被處理面5a的法線方向的高度也可在

多個(gè)部位的每一個(gè)獨(dú)立地被控制。

[0030] 圖2是表示被處理襯底支持部2的詳細(xì)構(gòu)造的圖。圖2的被處理襯底支持部2是表示具備對(duì)被處理襯底5進(jìn)行支持的支持襯底20的一個(gè)例子。為實(shí)現(xiàn)微細(xì)化而在被處理襯底5形

成Si貫通電極(TS：ThroughSiliconia)時(shí)，需要通過研磨處理將被處理襯底5薄膜化，

所以通常是將被處理襯底5接著在支持襯底20。即便為鍍敷處理，在將被處理襯底5接著在

支持襯底20的狀態(tài)下進(jìn)行的狀況也較多。

[0031] 圖2表示將支持襯底20上接著的被處理襯底5朝下配置的一個(gè)例子。被處理襯底5的被鍍敷處理的被處理面5a的更下方，配置有圖1所示的鍍敷槽3，在鍍敷處理時(shí)將被處理

襯底5浸漬于鍍敷槽3。

[0032] 密封部件21配置在被處理襯底5的被處理面5a的周緣部。密封部件21是包圍被處理面5a的中央側(cè)的環(huán)狀構(gòu)造體，在被處理襯底5被浸漬于鍍敷槽3時(shí)，將鍍敷液3a密封在被

處理面5a的中央側(cè)。密封部件21接著在被處理面5a上的例如抗蝕劑膜5b上。密封部件21是

樹脂等具有彈性的絕緣材料。在將被處理襯底5浸漬于鍍敷槽3時(shí)，移動(dòng)機(jī)構(gòu)4使被處理襯底

5移動(dòng)至圖2的下方。在密封部件21接合有密封支持部件22，若通過移動(dòng)機(jī)構(gòu)4使被處理襯底

5移動(dòng)至下方，則密封支持部件22向上方按壓密封部件21，由此密封部件21按壓被處理襯底

5的應(yīng)力增大，密封效果提升。通過調(diào)整密封支持部件22的鉛垂方向的長度，可調(diào)整密封部

件21按壓被處理襯底5的應(yīng)力。由此，不會(huì)施加密封部件21粘在被處理襯底5上的程度的過

大按壓力，且可調(diào)整為以能獲得恰當(dāng)?shù)拿芊庑Ч某潭鹊陌磯毫?duì)被處理襯底5進(jìn)行按壓。

[0033] 接觸部件23與密封部件21獨(dú)立地設(shè)置。接觸部件23接觸支持襯底20的外周側(cè)面。接觸部件23是導(dǎo)電材料，在接觸部件23接合有向上方延伸的接觸支持部件24。通過調(diào)整該

接觸支持部件24的鉛垂方向的長度，可調(diào)整支持襯底20的鉛垂方向的高度。由此，可調(diào)整接

觸部件23對(duì)支持襯底20的按壓力。接觸部件23被設(shè)定為接地電位，在鍍敷處理時(shí)，成為與施

加在圖1的陽極電極7的陽極電位相對(duì)的基準(zhǔn)電位。

[0034] 如上所述，接觸部件23與密封部件21分開設(shè)置，所以可無關(guān)于密封部件21的接著位置、接著高度及按壓力，而調(diào)整接觸部件23的接著位置、接著高度及按壓力。因此，與接觸

部件23及密封部件21一體成形的情況相比，接觸部件23與密封部件21均容易使接著位置、

接著高度及按壓力最佳化。

[0035] 圖2中表示使接觸部件23接觸支持襯底20的外周側(cè)面的一個(gè)例子，但也可如圖3所示，使其接觸支持襯底20的與被處理面5a為相反側(cè)的面(本說明書中也稱為背面)?；蛘撸?br>
可如圖4所示，使接觸部件23接觸支持襯底20的被處理面5a。

[0036] 圖2～圖4均是與密封部件21分開設(shè)置接觸部件23，該點(diǎn)是共通的，接觸部件23只要與密封部件21分開設(shè)置，則接觸部件23的接觸方式并無限制。例如，接觸部件23也可接觸

支持襯底20的被處理面5a、側(cè)面及背面中的至少2個(gè)以上的面。

[0037] 圖5是從被處理面5a側(cè)觀察被處理襯底支持部2的俯視圖。如圖5所示，密封部件21為圓環(huán)狀的形狀，相對(duì)于此，接觸部件23沿著支持襯底20的外周緣以特定之間隔設(shè)置在多

個(gè)部位。多個(gè)接觸部件23分別分開設(shè)置，且也與密封部件21隔開配置。由此，可針對(duì)各接觸

部件23調(diào)整與支持襯底20的接著位置、接著高度及按壓力。被處理襯底5根據(jù)制造時(shí)的加工

精度而面內(nèi)方向的厚度、應(yīng)力的施加方式均不同。此種被處理襯底5的偏差，可通過個(gè)別地

調(diào)整多個(gè)接觸部件23的接著位置、接著高度及按壓力而吸收。

[0038] 圖2～圖4表示在將被處理襯底5接著在支持襯底20上的狀態(tài)下進(jìn)行鍍敷處理的一個(gè)例子，但在無支持襯底20而對(duì)被處理襯底5進(jìn)行鍍敷處理時(shí)也可應(yīng)用本實(shí)施方式。圖6是

表示無支持襯底20而對(duì)被處理襯底5進(jìn)行鍍敷處理時(shí)的密封部件21與接觸部件23的接觸方

式的一例的圖。在圖6的情況下，密封部件21的接觸方式與圖2～圖4相同，但接觸部件23接

觸的是被處理襯底5的與被處理面5a為相反側(cè)的面、即背面。作為圖6的一個(gè)變化例，也可在

被處理襯底5的外周側(cè)面配置接觸部件23。

[0039] 如此，在本實(shí)施方式中，將密封部件21與接觸部件23分開設(shè)置，可與接觸部件23的接著位置、接著高度及按壓力無關(guān)地調(diào)整密封部件21的接著位置、接著高度及按壓力。由

此，可使密封部件21與接觸部件23的接著位置、接著高度及按壓力分別最佳化。

[0040] 根據(jù)本實(shí)施方式，無論在將被處理襯底5接著在支持襯底20的狀態(tài)進(jìn)行鍍敷處理時(shí)，還是將被處理襯底5不接著支持襯底20而進(jìn)行鍍敷處理時(shí)，均可使密封部件21與接觸部

件23的接著位置、接著高度及按壓力分別最佳化。

[0041] 雖對(duì)本發(fā)明的若干實(shí)施方式進(jìn)行了說明，但這些實(shí)施方式是作為示例而提示的，并不意圖限定發(fā)明的范圍。這些新穎的實(shí)施方式能以其他各種方式實(shí)施，且在不脫離發(fā)明

的主旨的范圍內(nèi)，可進(jìn)行各種省略、置換、變更。這些實(shí)施方式及其變化包含在發(fā)明的范圍

及主旨，且包含在權(quán)利要求記載的發(fā)明及其均等范圍內(nèi)。

[0042] [符號(hào)的說明][0043] 1電解鍍敷裝置[0044] 2被處理襯底支持部[0045] 3鍍敷槽[0046] 3a鍍敷液[0047] 4移動(dòng)機(jī)構(gòu)[0048] 5被處理襯底[0049] 5a被處理面[0050] 5b抗蝕劑膜[0051] 6噴出管[0052] 7陽極電極[0053] 8間隔壁[0054] 9循環(huán)配管[0055] 10外槽[0056] 11排出口[0057] 12配管[0058] 13泵[0059] 14閘閥[0060] 20支持襯底[0061] 21密封部件[0062] 22密封支持部件[0063] 23接觸部件[0064] 24接觸支持部件