權利要求
1.一種大面積
鈣鈦礦太陽能電池的連續(xù)制備生產(chǎn)線，其特征在于，包括依次連接的上料平臺(1)，進料腔體(2)，第一緩沖腔體(3)，真空蒸鍍沉積工藝腔體(4)，第二緩沖腔體(5)，真空傳輸腔體(6)，第三緩沖腔體(7)，原子層沉積工藝腔體(8)，出料腔體(9)和卸料平臺(10);
所述真空蒸鍍沉積工藝腔體(4)中設置有蒸發(fā)源，用于制備電子傳輸層;所述原子層沉積腔體(8)用于制備電子傳輸層或界面修飾層;
所述進料腔體(2)和出料腔體(9)用于抽放大氣，設置傳輸速度;所述進料腔體(2)和出料腔體(9)的兩側設置有閘閥，各腔體上設置抽真空裝置使得腔體內(nèi)部形成真空腔室，所述真空腔室的兩側設置傳動輸送裝置帶動真空腔室內(nèi)的輸送載盤從進料腔體(2)依次向前輸送至出料腔體(9)，每個腔體上至少設置一路冷卻管道，腔體與腔體間設有閘板隔離裝置。
2.如權利要求1所述的大面積
鈣鈦礦太陽能電池的連續(xù)制備生產(chǎn)線，其特征在于，所述輸送載盤上裝配有兩塊玻璃基片。
3.如權利要求1所述的大面積鈣鈦礦太陽能電池的連續(xù)制備生產(chǎn)線，其特征在于，所述玻璃基片的長度為1.0m-1.2m，寬度為0.6m-0.8m。
4.一種大面積鈣鈦礦太陽能電池的連續(xù)制備方法，其特征在于，采用如權利要求1所述的大面積鈣鈦礦太陽能電池的連續(xù)制備生產(chǎn)線，所述制備方法包括如下步驟：
S1)將已完成空穴傳輸層以及鈣鈦礦活性層制備的大面積玻璃基板通過上料平臺(1)進入進料腔體(2);
S2)開啟C60源或PCBM源加熱，等待源升溫以及蒸發(fā)速率溫度，進入第一緩沖腔體(3)設定傳送速率使玻璃基板進入真空蒸鍍沉積工藝腔體(4)進行蒸鍍;
S3)通過真空傳輸腔體(6)進入第三緩沖腔體(7)等待到達沉積溫度后，進入原子層沉積工藝腔體(8);
S4)先行噴二甲基錫或四甲基鈦前提氣體，形成單分子層，將多余前體氣體抽出，以使得只有單分子層的前提氣體留在膜層表面;引入氧化劑氧氣，與吸附在表面的單分子層發(fā)生反應，生成SnOx;
S5)重復步驟S4，多次循環(huán)使得SnOX厚度達到預設厚度;
S6)進入出料腔體(9)后，充氣平衡大氣后傳輸至卸料平臺(10)。
5.如權利要求4所述的大面積鈣鈦礦太陽能電池的連續(xù)制備方法，其特征在于，所述步驟S1中設置上料平臺(1)和進料腔體(2)的傳輸速率為80mm/s-250mm/s, 真空度抽至3×10-4Pa。
6.如權利要求4所述的大面積鈣鈦礦太陽能電池的連續(xù)制備方法，其特征在于，所述步驟S2首先開啟蒸鍍設備的溫度模式，在設定溫度下對材料C60預熱一段時間后，開啟蒸鍍設備的速度模式，速度模式的鍍率設置為1?/秒-2?/秒，等待蒸鍍速率穩(wěn)定后，開啟進料腔體(2)和第一緩沖腔體(3)之間閘板。
7.如權利要求6所述的大面積鈣鈦礦太陽能電池的連續(xù)制備方法，其特征在于，所述步驟S2中控制設定溫度為400℃，預熱時間為30分鐘，控制C60或PCBM的目標膜厚為20nm-40nm;所述步驟S2將玻璃基板傳輸至第二緩沖腔體(5)后開啟其與真空傳輸腔(6)之間的閘板，同時設置兩個腔體之間的傳輸速率為每秒80mm，輸送至真空傳輸腔體(6)內(nèi)進行等待并調(diào)節(jié)氣壓。
8.如權利要求7所述的大面積鈣鈦礦太陽能電池的連續(xù)制備方法，其特征在于，所述步驟S2開啟C60源加熱，玻璃基板進入真空蒸鍍沉積工藝腔體(4)進行蒸鍍時的傳輸速率為每秒6mm，蒸鍍傳動距離為1200mm，控制C60目標膜厚為20nm;所述步驟S3采用充氮氣操作將原子層沉積工藝腔體(8)氣壓平衡至60Pa，并控制沉積溫度為200℃;所述步驟S4噴二甲基錫前提氣體，形成單分子層。
9.如權利要求7所述的大面積鈣鈦礦太陽能電池的連續(xù)制備方法，其特征在于，所述步驟S2開啟PCBM源加熱，玻璃基板進入真空蒸鍍沉積工藝腔體(4)進行蒸鍍時的傳輸速率為每秒6mm，蒸鍍傳動距離為1200mm，控制PCBM目標膜厚為40nm;所述步驟S3采用充氮氣操作將原子層沉積工藝腔體(8)氣壓平衡至100Pa，并控制沉積溫度為300℃;所述步驟S4噴四甲基鈦前提氣體，形成單分子層。
10.如權利要求4所述的大面積鈣鈦礦太陽能電池的連續(xù)制備方法，其特征在于，所述步驟S5控制SnOX的預設厚度為5nm-10nm。
說明書
技術領域
[0001]本發(fā)明涉及一種太陽能電池生產(chǎn)線及方法，尤其涉及一種大面積鈣鈦礦太陽能電池的連續(xù)制備生產(chǎn)線及方法，應用于大規(guī)模鈣鈦礦太陽能電池的量產(chǎn)。
背景技術
[0002]金屬鹵化物鈣鈦礦太陽能電池(PSCs)因其優(yōu)異的
光伏性能和低廉的制備成本而備受關注。鈣鈦礦材料具有的高光吸收系數(shù)、高載流子遷移率和可控帶隙等優(yōu)勢，使得人們僅用十余年的時間就將其光電轉(zhuǎn)換效率(PCE)從3.8%提升至如今的26.54%，愈發(fā)接近理論極限，被譽為
光伏行業(yè)的“游戲規(guī)則改變者”，展現(xiàn)出巨大的商業(yè)應用前景。不過PCE和穩(wěn)定性這兩大問題阻擋著PSCs商業(yè)化前進的腳步，而在整體器件中對PCE和穩(wěn)定性起著至關重要作用的就是鈣鈦礦薄膜的質(zhì)量。鈣鈦礦太陽能電池在制備過程中需要真空環(huán)境主要是由于以下幾個技術和材料特性上的考慮：
第一：控制氣氛和防止污染，在制備鈣鈦礦太陽能電池時，尤其是在沉積鈣鈦礦薄膜的過程中，需要非常嚴格的氣氛控制。真空環(huán)境提供了一種有效的方式來排除空氣中的氧氣和水蒸氣，這兩者都能顯著影響鈣鈦礦材料的化學和物理穩(wěn)定性。氧氣和水蒸氣可以與鈣鈦礦材料發(fā)生反應，導致材料性能下降，比如通過氧化反應或是形成不穩(wěn)定的水合物。
[0003]第二：提高材料的純度。在真空條件下進行薄膜沉積可以顯著減少空氣中塵埃和其他微粒的污染。這些微?？梢砸肴毕莸解}鈦礦層中，這些缺陷會作為電荷陷阱，捕獲電子和空穴，從而降低電池的效率和壽命。
[0004]第三：精確控制沉積過程。在真空環(huán)境中，通過物理氣相沉積(PVD)、化學氣相沉積(CVD)或其他蒸發(fā)技術沉積材料時，可以更精確地控制沉積速率和均勻性。這是因為在真空中，沒有空氣動力學干擾，蒸發(fā)的材料粒子直接從源頭到達基板，這有助于形成均勻且具有良好結晶質(zhì)量的薄膜。
[0005]第四：提高薄膜的結晶質(zhì)量。鈣鈦礦材料的光電性能很大程度上取決于其結晶質(zhì)量。在真空中，由于沒有空氣中的湍流和其他機械干擾，可以更容易地獲得平整、均勻且具有良好排列的晶格結構的薄膜。這有利于提升電池的效率和減少電子-空穴復合。
[0006]第五： 降低氧化和水解風險。由于鈣鈦礦材料對氧和水都非常敏感，真空環(huán)境提供了一個低氧、低濕度的環(huán)境，從而降低了材料在制備過程中氧化和水解的風險。這對于保持鈣鈦礦層的光電性能和穩(wěn)定性至關重要。
[0007]因此一般工業(yè)上或商業(yè)生產(chǎn)中制備鈣鈦礦太陽能電池使用大型蒸發(fā)真空設備，主要在于其具備簡單的工藝，具有高滲透性以及較低的成本效益，適用于大面積沉積。而原子層沉積(ALD)設備于大面積鈣鈦礦太陽能電池的生產(chǎn)在于可較為精確地控制和提升薄膜厚度以及均勻性，有助于形成高質(zhì)量低缺陷的鈣鈦礦薄膜或是鈍化層薄膜，能夠?qū)崿F(xiàn)復合多層結構。但如何在兩種設備之間過渡并不受空氣干擾一直是難以解決的問題。
[0008]對于高效的鈣鈦礦太陽能電池，電子傳輸層(ETL)起著至關重要的作用，有助于提高器件的性能和穩(wěn)定性。而電子傳輸層(ETL)的穩(wěn)定性依舊受限于氧氣和水的影響以及化學腐蝕。常見的電子傳輸層(ETL)C60用蒸鍍設備制備，而另一層電子傳輸層(ETL)或緩沖層常用原子層沉積(ALD)設備制備。但如何在兩種設備之間過渡并不受空氣干擾一直是難以解決的問題。
發(fā)明內(nèi)容
[0009]本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種大面積鈣鈦礦太陽能電池的連續(xù)制備生產(chǎn)線及方法，能夠大大提升鈣鈦礦太陽能電池的效率和減少載流子復合;各組件拆卸及維護方便快捷，采用非接觸式傳動，完全與腔室內(nèi)部隔斷，具有良好的密封性。
[0010]本發(fā)明為解決上述技術問題而采用的技術方案是提供一種大面積鈣鈦礦太陽能電池的連續(xù)制備生產(chǎn)線，包括依次連接的上料平臺，進料腔體，第一緩沖腔體，真空蒸鍍沉積工藝腔體，第二緩沖腔體，真空傳輸腔體，第三緩沖腔體，原子層沉積工藝腔體，出料腔體和卸料平臺;所述真空蒸鍍沉積工藝腔體中設置有蒸發(fā)源，所述進料腔體和出料腔體的兩側設置有閘閥，各腔體上設置抽真空裝置使得腔體內(nèi)部形成真空腔室，所述真空腔室的兩側設置傳動輸送裝置帶動真空腔室內(nèi)的輸送載盤從進料腔體依次向前輸送至出料腔體，每個腔體上至少設置一路冷卻管道，腔體與腔體間設有閘板隔離裝置。
[0011]進一步地，所述輸送載盤上裝配有兩塊玻璃基片。
[0012]進一步地，所述玻璃基片的長度為1.0m-1.2m，寬度為0.6m-0.8m。
[0013]本發(fā)明為解決上述技術問題還提供一種大面積鈣鈦礦太陽能電池的連續(xù)制備方法，采用上述的大面積鈣鈦礦太陽能電池的連續(xù)制備生產(chǎn)線，所述制備方法包括如下步驟：S1)將已完成空穴傳輸層以及鈣鈦礦活性層制備的大面積玻璃基板通過上料平臺進入進料腔體;S2)開啟C60源或PCBM源加熱，等待源升溫以及蒸發(fā)速率溫度，進入第一緩沖腔體設定傳送速率使玻璃基板進入真空蒸鍍沉積工藝腔體進行蒸鍍;S3)通過真空傳輸腔體進入第三緩沖腔體等待到達沉積溫度后，進入原子層沉積工藝腔體;S4)先行噴二甲基錫前提氣體，形成單分子層，將多余前體氣體抽出，以使得只有單分子層的前提氣體留在膜層表面;引入氧化劑氧氣，與吸附在表面的單分子層發(fā)生反應，生成SnOx;S5)重復步驟S4，多次循環(huán)使得SnOX厚度達到預設厚度;S6)進入出料腔體后，充氣平衡大氣后傳輸至卸料平臺。
[0014]進一步地，所述步驟S1中設置上料平臺和進料腔體的傳輸速率為80mm/s-250mm/s, 真空度抽至3×10-4Pa。
[0015]進一步地，所述步驟S2首先開啟蒸鍍設備的溫度模式，在設定溫度下對材料C60預熱一段時間后，開啟蒸鍍設備的速度模式，速度模式的鍍率設置為1?/秒-2?/秒，等待蒸鍍速率穩(wěn)定后，開啟進料腔體和第一緩沖腔體之間閘板。
[0016]進一步地，所述步驟S2中控制設定溫度為400℃，預熱時間為30分鐘，控制C60或PCBM的目標膜厚為20nm-40nm;所述步驟S2將玻璃基板傳輸至第二緩沖腔體后開啟其與真空傳輸腔之間的閘板，同時設置兩個腔體之間的傳輸速率為每秒80mm，輸送至真空傳輸腔體內(nèi)進行等待并調(diào)節(jié)氣壓。
[0017]進一步地，所述步驟S2開啟C60源加熱，玻璃基板進入真空蒸鍍沉積工藝腔體進行蒸鍍時的傳輸速率為每秒6mm，蒸鍍傳動距離為1200mm，控制C60目標膜厚為20nm;所述步驟S3采用充氮氣操作將原子層沉積工藝腔體氣壓平衡至60Pa，并控制沉積溫度為200℃;所述步驟S4噴二甲基錫前提氣體，形成單分子層。
[0018]進一步地，所述步驟S2開啟PCBM源加熱，玻璃基板進入真空蒸鍍沉積工藝腔體進行蒸鍍時的傳輸速率為每秒6mm，蒸鍍傳動距離為1200mm，控制PCBM目標膜厚為40nm;所述步驟S3采用充氮氣操作將原子層沉積工藝腔體氣壓平衡至100Pa，并控制沉積溫度為300℃;所述步驟S4噴四甲基鈦前提氣體，形成單分子層。
[0019]進一步地，所述步驟S5控制SnOX的預設厚度為5nm-10nm。
[0020]本發(fā)明對比現(xiàn)有技術有如下的有益效果：本發(fā)明提供的大面積鈣鈦礦太陽能電池的連續(xù)制備生產(chǎn)線及方法，將真空蒸鍍沉積工藝腔體和原子層沉積工藝腔體這兩種薄膜制備設備之間真空相連，蒸鍍后的玻璃基板不需接觸空氣直接進入原子層沉積設備腔體進行鍍膜，有利于提升鈣鈦礦太陽能電池的效率和減少載流子復合。
附圖說明
[0021]圖1為本發(fā)明大面積鈣鈦礦太陽能電池的連續(xù)制備生產(chǎn)線結構示意圖;
圖2為本發(fā)明的連續(xù)制備生產(chǎn)線中蒸鍍設備部分結構示意圖;
圖3為本發(fā)明的連續(xù)制備生產(chǎn)線中原子沉積設備部分結構示意圖;
圖4為本發(fā)明大面積鈣鈦礦太陽能電池的連續(xù)制備流程圖。
[0022]圖中標記為：
1、上料平臺;2、進料腔體;3、第一緩沖腔體;4、真空蒸鍍沉積工藝腔體;5、第二緩沖腔體;6、真空傳輸腔體;7、第三緩沖腔體;8、原子層沉積工藝腔體;9、出料腔體;10、卸料平臺。
具體實施方式
[0023]下面結合附圖和實施例對本發(fā)明作進一步的描述。
[0024]圖1為本發(fā)明大面積鈣鈦礦太陽能電池的連續(xù)制備生產(chǎn)線結構示意圖;圖2為本發(fā)明的連續(xù)制備生產(chǎn)線中蒸鍍設備部分結構示意圖;圖3為本發(fā)明的連續(xù)制備生產(chǎn)線中原子沉積設備部分結構示意圖。
[0025]請參見圖1、圖2和圖3，本發(fā)明提供的大面積鈣鈦礦太陽能電池的連續(xù)制備生產(chǎn)線，包括依次連接的上料平臺1，進料腔體2，第一緩沖腔體3，真空蒸鍍沉積工藝腔體4，第二緩沖腔體5，真空傳輸腔體6，第三緩沖腔體7，原子層沉積工藝腔體8，出料腔體9和卸料平臺10;所述真空蒸鍍沉積工藝腔體4中設置有蒸發(fā)源，所述進料腔體2和出料腔體9的兩側設置有閘閥，各腔體上設置抽真空裝置使得腔體內(nèi)部形成真空腔室，所述真空腔室的兩側設置傳動輸送裝置帶動真空腔室內(nèi)的輸送載盤(圖未示)從進料腔體2依次向前輸送至出料腔體9，每個腔體上至少設置一路冷卻管道，腔體與腔體間設有閘板隔離裝置。
[0026]本發(fā)明提供的大面積鈣鈦礦太陽能電池的連續(xù)制備生產(chǎn)線，其中，所述輸送載盤上裝配有兩塊長1.2m×寬0.6m的玻璃基片;各腔體設置及功能如下：
所述進料腔體2，用于抽放大氣，設置傳輸速度;
所述各類緩沖腔體，用于設置傳輸速度，等待源加熱、基板加熱以及等待穩(wěn)定鍍膜速率;
所述真空蒸鍍沉積工藝腔體4，用于電子傳輸層(ETL)的制備，該腔體中設置有蒸發(fā)源，材料不限于C60，PCBM等;
所述真空傳輸腔體6，用于蒸鍍設備以及原子層沉積設備之間的真空傳輸;
所述原子層沉積(ALD)工藝腔體8，用于電子傳輸層(ETL)亦或是界面修飾層的制備，材料不限于SnOX, ZnO, Al2O3等;
所述出料腔體9，用于抽放大氣，設置傳輸速度。
[0027]本發(fā)明提供的新型鈣鈦礦太陽能電池電子傳輸層生產(chǎn)線設備的優(yōu)點：
1)制備工藝流程可重復性好，且各組件拆卸及維護方便快捷，采用非接觸式傳動，完全與腔室內(nèi)部隔斷，具有良好的密封性。
[0028]2)各個設備直接組件可實時監(jiān)測檢修，組塊化模式方便拆卸和維護。
[0029]3)將真空蒸鍍沉積工藝腔體4和原子層沉積工藝腔體8兩種薄膜制備設備之間真空相連，例如工藝上想制備新型電子傳輸層氧化錫或是加某些界面修飾層不需接觸空氣直接進入原子層沉積設備腔體進行鍍膜。這有利于提升鈣鈦礦太陽能電池的效率和減少載流子復合。
[0030]4)通過針對性改進蒸發(fā)腔體和原子層沉積的真空部分，分別保護C60，PCBM兩種物相沉積設備;因不同設備不同材料之間的沉積速率和反應活性不同，本發(fā)明針對C60，PCBM，對原子層沉積工藝腔體8設置不同的氣壓平衡和沉積溫度，同時配合噴入不同的前提氣體，大大提升電子遷移率，從而提升薄膜的性能。
[0031]本發(fā)明的另一個目的是提供一種鈣鈦礦太陽能電池電子傳輸層(ETL)的制備方法，具體制備實施過程如圖4所示。對于高效的鈣鈦礦太陽能電池，電子傳輸層(ETL)起著至關重要的作用，有助于提高器件的性能和穩(wěn)定性。確保電子傳輸層薄膜的質(zhì)量良好，表面光滑且無缺陷，以提高電子傳輸效率和減少載流子復合，同時通過調(diào)節(jié)電子傳輸層的能帶位置，實現(xiàn)與鈣鈦礦層的能帶對齊，有利于促進電子的注入和傳輸，因此本發(fā)明選取能帶更加匹配的C60及SnOx作為電子傳輸層的材料，采用熱蒸鍍方法制備C60薄膜，原子束沉積方法制備SnOx。
[0032]下面給出兩個具體制備實施例：
實施例1：
上料平臺1，用于裝配兩塊長1.2m×寬0.6m的已完成鈣鈦礦活性層制備的玻璃基片，玻璃基片的大小可以根據(jù)具體情況而定。
[0033]上料平臺1和進料腔體2設置傳輸速率為每秒80mm。傳送速度以生產(chǎn)節(jié)拍要求為準，最大傳送速度不宜超過每秒250mm，若超過此速度閾值，將會存在載料盤撞擊閘板的風險。將已完成空穴傳輸層(HTL)以及鈣鈦礦活性層制備大面積玻璃通過上料平臺1進入進料腔體2內(nèi)進行停止等待，進一步加以抽真空，讓真空度抽至與工藝腔體相同數(shù)量級3×10-4Pa。
[0034]之后開啟C60源加熱，首先開啟蒸鍍設備的溫度模式，對材料C60進行預熱，溫度模式下設定溫度為400℃，待設定溫度400℃穩(wěn)定半小時后，開啟蒸鍍設備的速度模式。
[0035]速度模式的鍍率設置為1?/秒，PID控制蒸鍍速率穩(wěn)定，設定值分別為0.01，40，60，功率限幅5%。直至速率穩(wěn)定，保證速率穩(wěn)定性在5%以內(nèi)。PID參數(shù)設置要求能保證蒸鍍速率均勻性即可。此時對側熱源溫度為529.1℃和527.3℃。
[0036]等待蒸鍍速率穩(wěn)定后，開啟進料腔體2和第一緩沖腔體3之間閘板，設置傳輸速度為每秒80mm，在第一緩沖腔體3內(nèi)停止。進入緩沖腔體后設定工藝腔的工藝傳輸速率為每秒6mm，后開啟緩沖腔傳輸速率也為每秒6mm，使基板進入真空蒸鍍沉積工藝腔體4進行蒸鍍，因其設定蒸鍍傳動距離為1200mm，以此保證C60的目標膜厚在20nm±0.6nm。同樣工藝傳輸速度亦可以調(diào)節(jié)，同時調(diào)節(jié)蒸鍍速率以達到工業(yè)生產(chǎn)所需的目標膜厚。
[0037]傳輸至第二緩沖腔體5后開啟緩沖腔與真空傳輸腔6之間的閘板，同時設置兩個腔體之間的傳輸速率為每秒80mm，輸送至真空傳輸腔體6內(nèi)進行等待。
[0038]在真空傳輸腔體6當中調(diào)節(jié)氣壓;蒸鍍鍍完腔室內(nèi)部氣壓為3×10-4Pa，需進行一定的充氮氣操作將原子層沉積工藝腔體8內(nèi)氣壓平衡至60Pa以滿足原子束沉積時所需氣壓;方便電子從導帶流到陽極，空穴從價帶流到陰極，提升電子遷移率。
[0039]通過真空傳輸腔體6設定傳輸速率為每秒80mm進入第三緩沖腔體7，等待到達沉積溫度后200℃，即可進入原子層沉積工藝腔體8。
[0040]一次周期，先行噴二甲基錫前提氣體，形成單分子層，將多余前體氣體抽出，以確保只有單分子層的前提氣體留在膜層表面。
[0041]引入氧化劑氧氣，與吸附在表面的單分子層發(fā)生反應，生成SnOX。
[0042]在原子層沉積工藝腔體8內(nèi)進行多次循環(huán)SnOX厚度達到預設的10nm。進入出料腔體9后，充氣平衡大氣以傳輸至卸料平臺10。
[0043]實施例2：
上料平臺1，用于裝配兩塊長1.2m×寬0.8m的已完成鈣鈦礦活性層制備的玻璃基片，玻璃基片的大小可以根據(jù)具體情況而定。
[0044]上料平臺1和進料腔體2設置傳輸速率為每秒80mm。傳送速度以生產(chǎn)節(jié)拍要求為準，最大傳送速度不宜超過每秒250mm，若超過此速度閾值，將會存在載料盤撞擊閘板的風險。將已完成空穴傳輸層(HTL)以及鈣鈦礦活性層制備大面積玻璃通過上料平臺進入進料腔體內(nèi)進行停止等待，進一步加以抽真空，讓真空度抽至與工藝腔體相同數(shù)量級3×10-4Pa。
[0045]之后開啟PCBM源(富勒烯的衍生物)加熱，首先開啟蒸鍍設備的溫度模式，對材料PCBM進行預熱，溫度模式下設定溫度為400℃，待設定溫度400℃穩(wěn)定半小時后，開啟蒸鍍設備的速度模式。
[0046]速度模式的鍍率設置為2?/秒，PID控制蒸鍍速率穩(wěn)定，設定值分別為0.01，45，40，功率限幅5%，直至速率穩(wěn)定，保證速率穩(wěn)定性在5%以內(nèi)。PID參數(shù)設置要求能保證蒸鍍速率均勻性即可。此時對側熱源溫度為533.9℃和534℃。
[0047]等待蒸鍍速率穩(wěn)定后，開啟進料腔體2和第一緩沖腔體3之間閘板，設置傳輸速度為每秒80mm，在第一緩沖腔體3內(nèi)停止。進入緩沖腔體后設定工藝腔的工藝速率為每秒6mm，后開啟緩沖腔傳輸速率也為每秒6mm，使基板進入真空蒸鍍沉積工藝腔體4進行蒸鍍，因其設定蒸鍍傳動距離為1200mm，以此保證PCBM的目標膜厚在40nm±1.2nm。同樣工藝傳輸速度亦可以調(diào)節(jié)，同時調(diào)節(jié)蒸鍍速率以達到工業(yè)生產(chǎn)所需的目標膜厚。
[0048]傳輸至第二緩沖腔體5后開啟緩沖腔與真空傳輸腔之間的閘板，同時設置兩個腔體之間的傳輸速率為每秒80mm，輸送至真空傳輸腔體6內(nèi)進行等待。
[0049]在真空傳輸腔體6當中調(diào)節(jié)氣壓;蒸鍍鍍完腔室內(nèi)部氣壓為3×10-4Pa，需進行一定的充氮氣操作將原子層沉積工藝腔體8內(nèi)氣壓平衡至100Pa以滿足原子束沉積時所需氣壓，提升電子遷移率。
[0050]通過真空傳輸腔體設定傳輸速率為每秒80mm進入第三緩沖腔體7，等待到達沉積溫度后300℃，即可進入原子層沉積工藝腔體8。
[0051]一次周期，先行噴四甲基鈦(TDMAT)前提氣體，形成單分子層，將多余前體氣體抽出，以確保只有單分子層的前提氣體留在膜層表面。
[0052]引入氧化劑水蒸氣，與吸附在表面的單分子層發(fā)生反應，生成TinOX。
[0053]在原子層沉積工藝腔體8內(nèi)進行多次循環(huán)TinOX厚度達到預設的5nm。進入出料腔體9后，充氣平衡大氣以傳輸至卸料平臺10。
[0054]雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領域技術人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作些許的修改和完善，因此本發(fā)明的保護范圍當以權利要求書所界定的為準。
說明書附圖(4)
聲明：
“大面積鈣鈦礦太陽能電池的連續(xù)制備生產(chǎn)線及方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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編輯：中冶有色技術網(wǎng)
來源：浙江晟霖益嘉科技有限公司
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2025年03月28日 ~ 30日 
