本發(fā)明屬于用物理冶金技術(shù)提純
多晶硅的技術(shù)領(lǐng)域。一種電子束除磷、除金屬的耦合提純多晶硅的方法,先通過(guò)電子束在低磷、低金屬的高純硅錠的頂部形成穩(wěn)定熔池,后將需提純的硅粉落入熔池熔煉,實(shí)現(xiàn)粉體的快速熔化去除硅粉中的揮發(fā)性雜質(zhì)磷,同時(shí)進(jìn)行定向拉錠使低磷多晶硅進(jìn)行定向凝固生長(zhǎng),通過(guò)分凝效應(yīng)去除多晶硅中金屬雜質(zhì)。本發(fā)明的顯著效果是同時(shí)采取電子束熔煉粉體硅料和定向凝固的方式,用電子束快速去除雜質(zhì)磷,用定向凝固將分凝系數(shù)較小的金屬雜質(zhì)去除,有效提高了多晶硅的純度,達(dá)到了太陽(yáng)能級(jí)硅的使用要求。本發(fā)明提純效果好,技術(shù)穩(wěn)定,工藝簡(jiǎn)單,生產(chǎn)效率高,節(jié)約能源,成本低,適合批量生產(chǎn)。
聲明:
“電子束除磷、除金屬的耦合提純多晶硅的方法及設(shè)備” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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