本發(fā)明屬于用物理冶金技術提純
多晶硅的技術領域。一種電子束高效提純多晶硅粉體的方法,第一步備料:將低磷、低金屬的高純硅料放入底部帶冷卻的熔煉坩堝中,向裝粉桶中加入需提純的高磷、高金屬硅粉;第二步預處理:對真空室進行抽真空;對熔煉坩堝及拉錠機構冷卻至25-45℃;預熱電子槍;第三步提純:打開電子槍進行熔煉,去除揮發(fā)性雜質磷;熔煉后的低磷硅液以定向凝固方式凝固,金屬雜質聚集于硅錠上部;關閉電子槍,繼續(xù)抽真空15-30分鐘,打開放氣閥放氣,打開真空蓋,取出硅錠切去硅錠上部含金屬雜質較多的部分即可。本發(fā)明同時實現電子束熔煉硅粉除磷和定向凝固除金屬的雙重效果,達到高效熔煉硅粉,快速除去雜質的目的。
聲明:
“電子束高效提純多晶硅粉體的方法及設備” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯系該技術所有人。
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