本發(fā)明公開(kāi)了一種直流電場(chǎng)誘導(dǎo)合金定向凝固生長(zhǎng)、強(qiáng)化合金精煉過(guò)程的工藝：將Si?M母合金加熱至相應(yīng)的液相線溫度，得到Si?M合金熔體，在Si?M合金熔體中引入直流電場(chǎng)使Si?M合金熔體中的硅原子發(fā)生定向移動(dòng)，在石墨坩堝的底部富集，形成過(guò)飽和區(qū)域，從而在晶硅襯底上形核、生長(zhǎng)；在生長(zhǎng)過(guò)程中，由石墨坩堝頂部連續(xù)添加原料硅，實(shí)現(xiàn)晶體硅的連續(xù)生長(zhǎng)。生長(zhǎng)結(jié)束后，關(guān)閉熱源，冷卻凝固后關(guān)閉直流電源。本發(fā)明實(shí)現(xiàn)高精準(zhǔn)度的定向生長(zhǎng)模式，有效降低了精煉溫度，以及各種雜質(zhì)的分凝系數(shù)，減少能耗，增強(qiáng)了提純效果，使不同雜質(zhì)在電場(chǎng)作用下重新分布，通過(guò)不斷添加原料硅，在凝固析出硅的同時(shí)能源源不斷地提供硅原子，實(shí)現(xiàn)硅的連續(xù)生長(zhǎng)。