本發(fā)明公開了屬于合金靶材制備技術(shù)領(lǐng)域的一種用于大電流密度M型陰極敷膜的合金靶材制備方法。在對(duì)原料粉末提純的基礎(chǔ)上,利用等離子體球化技術(shù)制備OsRe、OsRu、OsIr、OsRh、OsW、WRe等預(yù)合金粉末,有助于獲得高純和高均勻的靶材。合金均勻性提高有助于陰極發(fā)射穩(wěn)定性改善。采用真空燒結(jié)制備結(jié)構(gòu)穩(wěn)定的中間合金粉末,有效抑制合金燒結(jié)時(shí)鋁的揮發(fā),可穩(wěn)定合金成分并提高靶材均勻性。采用多段氫氣燒結(jié)工藝,獲得高致密度的鋨合金靶材。本發(fā)明研制的鋨合金系列靶材具有高純、高致密、高均勻的特點(diǎn),同時(shí)可通過(guò)調(diào)整組元及其含量,滿足M型陰極大電流發(fā)射的要求。
聲明:
“用于大電流密度M型陰極敷膜的合金靶材制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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