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太陽能級硅的制備方法

985 編輯：管理員來源：中冶有色技術網(wǎng)

2023-03-18 14:34:16

本發(fā)明一種太陽能級純度硅的制備方法,提供一種雜質(zhì)總含量低于10PPMA,B<2PPMA,P<6PPMA,電阻率>0.3Ω.CM的硅的制備方法。以工業(yè)硅粉作為原材料,經(jīng)過簡單的化學預處理后,將硅粉和復配造渣劑混勻裝在感應熔煉爐內(nèi)的石英坩堝內(nèi),在微真空或常壓下,向熔煉爐內(nèi)吹入保護性氣體;感應加熱,使爐內(nèi)溫度達1450℃-1700℃,將金屬硅熔煉成硅熔體;進行造渣除雜,本方法能有效降低硅中B的含量,使B<2PPMA,能夠滿足新工藝制造低成本太陽能電池對硅原料的一般要求。本發(fā)明生產(chǎn)工藝簡單,生產(chǎn)成本低,易于規(guī)模化生產(chǎn),且投資少,建設周期短。

聲明：

“太陽能級硅的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。

我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)