一種太陽能級(jí)
多晶硅脫磷的提純方法,采用高真空感應(yīng)爐,金屬硅原料為顆粒狀或塊料,金屬硅原料的純度為99%,其操作步驟是:(1)開啟高真空感應(yīng)爐的真空系統(tǒng),使?fàn)t室內(nèi)達(dá)到高真空狀態(tài);(2)將金屬硅原料裝入位于高真空感應(yīng)爐內(nèi)的
石墨坩堝中,開啟高頻感應(yīng)電源將金屬硅熔化;(3)待第(2)步驟金屬硅原料熔化后使金屬硅液溫度保持在1560~1600℃,需要保持多長時(shí)間?開啟金屬硅原料連續(xù)送料裝置,投入剩余金屬硅原料至爐內(nèi)的石墨坩堝中進(jìn)行連續(xù)脫磷;(4)脫磷后的金屬硅熔體容積達(dá)到坩堝容積的2/3~3/4時(shí),將金屬硅熔體傾入同爐室內(nèi)的另一坩堝中,自然冷卻便得到脫磷多晶硅。本發(fā)明的生產(chǎn)成本低。
聲明:
“太陽能級(jí)多晶硅脫磷的提純方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)