權利要求

1.耐高溫聚酰亞胺/聚芳醚酮復合膜界面強化方法，其特征在于，包括以下步驟： S1：PI薄膜表面預處理 對除雜后的PI薄膜表面，噴涂質(zhì)量百分濃度為0.5～5％的活性接枝劑溶液，加熱烘干去除溶液中的溶劑，得到預處理PI薄膜； 所述的活性接枝劑為4-炔基酰亞胺基封端的PAEK齊聚物的一種或幾種的混合物： 其結構式為：  其中，R為氫原子或苯環(huán)； n為小于10的正整數(shù)； X為 中的一種結構； S2：低溫等離子體表面處理法刻蝕接枝處理 采用低溫等離子體表面處理法對預處理PI薄膜表面進行刻蝕接枝處理，接枝上活性接枝劑，得到接枝改性的PI薄膜； S3：耐高溫聚酰亞胺/聚芳醚酮復合膜 采用噴涂法，將PAEK水劑乳液霧化噴涂在接枝改性的PI薄膜表面，加熱烘干，繼續(xù)升溫至350～420℃，保溫使得PAEK充分熔融，再以1～5℃/min冷卻速率冷卻至室溫，得到耐高溫聚酰亞胺/聚芳醚酮復合膜。2.根據(jù)權利要求1所述的耐高溫聚酰亞胺/聚芳醚酮復合膜界面強化方法，其特征在于，所述的S1中，除雜的方法為：采用溶劑擦拭，采用的溶劑具體為甲醇、乙醇、丙酮、乙酸乙酯中的一種或幾種的混合物。 3.根據(jù)權利要求1所述的耐高溫聚酰亞胺/聚芳醚酮復合膜界面強化方法，其特征在于，所述的S1中，噴涂厚度為50～200nm。 4.根據(jù)權利要求1所述的耐高溫聚酰亞胺/聚芳醚酮復合膜界面強化方法，其特征在于，所述的S1中，活性接枝劑溶液，采用的溶劑為二氯甲烷、氯仿、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺，N-甲基吡咯烷酮中的一種或幾種的混合物。 5.根據(jù)權利要求1所述的耐高溫聚酰亞胺/聚芳醚酮復合膜界面強化方法，其特征在于，所述的S1中，加熱烘干，加熱溫度為30～200℃。 6.根據(jù)權利要求1所述的耐高溫聚酰亞胺/聚芳醚酮復合膜界面強化方法，其特征在于，所述的S2中，低溫等離子體電極和預處理PI薄膜表面的距離為0.5～2cm，放電功率為10W～1000W，處理時間為1～10s。 7.根據(jù)權利要求1所述的耐高溫聚酰亞胺/聚芳醚酮復合膜界面強化方法，其特征在于，所述的S3中，PAEK為聚醚醚酮、聚醚醚酮酮、聚醚酮酮、聚醚酮醚酮酮中的一種或幾個混合物。 8.根據(jù)權利要求1所述的耐高溫聚酰亞胺/聚芳醚酮復合膜界面強化方法，其特征在于，所述的S3中，所述的PAEK水劑乳液為PAEK粒子在水中的乳化分散液，其質(zhì)量百分濃度為15％～50％，PAEK粒子的粒徑為100～1000目。 9.根據(jù)權利要求1所述的耐高溫聚酰亞胺/聚芳醚酮復合膜界面強化方法，其特征在于，所述的S3中，加熱烘干的溫度為120～150℃；保溫時間為1～5min。 10.耐高溫聚酰亞胺/聚芳醚酮復合膜，其特征在于，采用權利要求1～9任意一項所述的耐高溫聚酰亞胺/聚芳醚酮復合膜界面強化方法制得，耐高溫聚酰亞胺/聚芳醚酮復合膜的聚芳醚酮膜的厚度為0.01～0.2mm，得到的耐高溫聚酰亞胺/聚芳醚酮復合膜，PI/PAEK界面粘結強度為35～40MPa。

說明書

技術領域

本發(fā)明屬于材料制備技術領域，具體涉及到耐高溫聚酰亞胺/聚芳醚酮復合膜及其界面強化方法。

背景技術

聚酰亞胺(PI)薄膜的電氣絕緣性能卓越，對常見有機溶劑、礦物油、航空煤油等具有優(yōu)良的耐受性，廣泛用作電磁線的繞包絕緣層。高性能PI薄膜是由芳雜環(huán)結構聚酰胺酸在高溫下脫水閉環(huán)制備，除了分子鏈內(nèi)閉環(huán)脫水外還會發(fā)生分子鏈間脫水，形成了一種高剛性的交聯(lián)網(wǎng)絡結構；因此，PI薄膜不能溶解于有機溶劑中，在高溫下也難熔融。這就導致PI薄膜繞包線不能像其他熱塑性樹脂薄膜繞包線一樣，通過加熱熔化-冷卻固結機制形成密封的絕緣層。目前，PI薄膜繞包線主要采用F46樹脂作為粘結劑，填充粘結PI薄膜纏繞結構層間的空隙，形成整體密封的繞包絕緣層。然而，F(xiàn)46樹脂熔點為240～260℃，當繞包線使用溫度大于260℃時，粘結性能下降導致脫粘，絕緣層結構發(fā)生改變。

聚芳醚酮(PAEK)包括聚醚醚酮、聚醚酮酮、聚醚醚酮酮等，是一類高性能的熱塑性樹脂，熔點340～410℃，通過改變芳醚鍵和芳酮鍵相對含量、鍵接順序、分子量能夠調(diào)控PAEK的結晶性、熔點、熔融粘度和高溫熱分解性能。PAEK耐溫性能遠優(yōu)于F46，用PAEK取代F46用作PI繞包線的絕緣層的粘結劑將顯著提高其使用溫度。PAEK是半結晶型高分子材料，分子鏈間內(nèi)聚力強，力學性能非常優(yōu)異；PAEK半結晶性結構和PI薄膜無定形交聯(lián)結構間相容性差，導致PAEK與PI薄膜間界面粘結強度相對較低，經(jīng)受高低溫循環(huán)疲勞后，兩者間易發(fā)生脫粘剝離。因此，改善PI/PAEK復合薄膜間界面粘結性能是提升PI繞包線工作溫度的關鍵技術途徑。

等離子體是氣體分子被電離產(chǎn)生的一種包括電子、離子、原子和原子團等的混合體，被譽為物質(zhì)的第四種狀態(tài)；低溫等離子體是一種非平衡態(tài)等離子體，電子的溫度遠低于重粒子溫度，整個體系呈現(xiàn)低溫狀態(tài)。低溫等離子體表面處理法是利用等離子體中的離子、電子、激發(fā)態(tài)的原子及自由基等大量活性粒子與物體表面碰撞，發(fā)生物理化學反應，將表面刻蝕出納米級凹凸不平的形貌，同時通過接枝反應在表面引入一些新型的基團或分子鏈段；該技術不需要溶劑和后處理過程，工藝簡單、綠色高效，是一種非常有前景的表/界面改性技術。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決現(xiàn)有技術存在的問題，本發(fā)明提供了一種耐高溫聚酰亞胺/聚芳醚酮復合膜及其界面強化方法，采用低溫等離子體表面處理法，在PI薄膜表面接枝一種與PAEK具有良好相容性的高分子接枝劑，然后在PI薄膜表面噴涂PAEK乳液，經(jīng)烘干-高溫燒結工藝制備耐高溫聚酰亞胺/聚芳醚酮復合膜。該方法制備的耐高溫聚酰亞胺/聚芳醚酮復合膜具有優(yōu)異的界面粘結強度，在耐高溫電磁線絕緣領域具有光明的應用前景。

本發(fā)明的一種耐高溫聚酰亞胺/聚芳醚酮復合膜界面強化方法，包括以下步驟：

S1：PI薄膜表面預處理

將PI薄膜表面去除雜質(zhì)后，噴涂質(zhì)量百分濃度為0.5～5％的活性接枝劑溶液，加熱烘干去除溶液中的溶劑，得到預處理PI薄膜；

所述的活性接枝劑為4-炔基酰亞胺基封端的PAEK齊聚物的一種或幾種的混合物：

其結構式為：

其中，R為氫原子或苯環(huán)；

n為小于10的正整數(shù)；

X為 中的一種結構；

S2：低溫等離子體表面處理法刻蝕接枝處理

采用低溫等離子體表面處理法對預處理PI薄膜表面進行刻蝕接枝處理，接枝上活性接枝劑，得到接枝改性的PI薄膜；

S3：耐高溫聚酰亞胺/聚芳醚酮復合膜

采用噴涂法，將PAEK水劑乳液霧化噴涂在接枝改性的PI薄膜表面，加熱烘干，繼續(xù)升溫至350～420℃，保溫使得PAEK充分熔融，再以1～5℃/min冷卻速率冷卻至室溫，得到耐高溫聚酰亞胺/聚芳醚酮復合膜。

所述的S1中，去除雜質(zhì)的方法為：采用溶劑擦拭，優(yōu)選為甲醇、乙醇、丙酮、乙酸乙酯中的一種或幾種的混合物。

所述的S1中，噴涂厚度為50～200nm。

所述的S1中，活性接枝劑溶液，采用的溶劑為二氯甲烷、氯仿、二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺，N-甲基吡咯烷酮中的一種或幾種的混合物。

所述的S1中，加熱烘干，加熱溫度為30～200℃。

所述的S2中，低溫等離子體電極和預處理PI薄膜表面的距離為0.5～2cm，放電功率為10W～1000W，處理時間為1～10s；

所述的S3中，加熱烘干的溫度為120～150℃。

所述的S3中，所述的PAEK水劑乳液為PAEK粒子在水中的乳化分散液，其質(zhì)量百分濃度為15％～50％，PAEK粒子的粒徑為100～1000目。

所述的S3中，保溫時間優(yōu)選為1～5min。

所述的S3中，耐高溫聚酰亞胺/聚芳醚酮復合膜的聚芳醚酮膜的厚度為0.01～0.2mm。

所述的S3中，所述的PAEK為聚醚醚酮(PEEK)、聚醚醚酮酮(PEEKK)、聚醚酮酮(PEKK)、聚醚酮醚酮酮(PEKEKK)中的一種或幾個混合物。

本發(fā)明的一種耐高溫聚酰亞胺/聚芳醚酮復合膜，其采用上述耐高溫聚酰亞胺/聚芳醚酮復合膜界面強化方法制得，得到的耐高溫聚酰亞胺/聚芳醚酮復合膜，PI/PAEK界面粘結強度為35～40MPa。

本發(fā)明的一種耐高溫聚酰亞胺/聚芳醚酮復合膜及其界面強化方法，其有益效果為：

1)PI和PAEK的熱分解溫度均大于500℃；PAEK的熔融溫度大于340℃；PI/PAEK復合膜形成的繞包絕緣層在300～400℃高溫下不會分解碳化，顯著提升電磁線的耐高溫特性。

2)針對PI和PAEK的分子特性，采用等離子體表面處理法對PI薄膜表面改性，等離子體中活性粒子沖擊提高了PI薄膜的粗糙度；同時，利用等離子體中活性自由基引發(fā)4-炔基酰亞胺封端的PAEK齊聚物的接枝反應，改變了PI薄膜表面的化學特性；兩種機制均有助于改善了PI薄膜表面的浸潤性能，進而提高PI薄膜與PAEK涂層間界面粘結性能。

3)接枝劑為4-炔基酰亞胺封端的PAEK齊聚物，炔基能夠發(fā)生自由基聚合反應，高溫下能夠三聚成環(huán)形成芳雜環(huán)結構，保持PI/PAEK復合膜的高溫化學穩(wěn)定性；酰亞胺基團與PI薄膜的分子鏈有良好的相容性，而其芳醚酮骨架與PAEK樹脂粘合劑有良好的相容性。

4)噴涂法的噴涂量可較為精確控制、重復性好、操作簡單、易于工業(yè)化放大。

5)本發(fā)明提供的耐高溫PI/PAEK復合膜對提升電磁線的耐熱等級、可靠性/耐久性和使用壽命均產(chǎn)生重要影響，在石油開采、航空宇航、機械、核能等眾多領域中具有光明應用前景。

附圖說明

圖1PI/PAEK復合膜的結構示意圖。

圖2PI/PEEK復合膜的表面形貌圖。

具體實施方式

以下實施例中，活性接枝劑(4-炔基酰亞胺基封端的PAEK齊聚物)采用兩步法合成：

以4,4’-二氟二苯甲酮和二元酚(間苯二酚、對苯二酚、4,4’-聯(lián)苯二酚、1,4-萘二酚、2,6-萘二酚、2,7-萘二酚、六氟代雙酚A中的一種或幾種的混合物)為原料、4-氨基苯酚為封端劑、碳酸鹽(碳酸鉀、碳酸鈉、碳酸鎂中的一種或幾種的混合物)為催化劑，在高沸點非質(zhì)子性極性溶劑(二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮中的一種)中，在150～210℃下反應6～12小時，獲得氨基封端的PAEK齊聚物。其中，按摩爾比，4,4’-二氟二苯甲酮:二元酚:4-氨基苯酚：催化劑＝(1.1～2):1:(0.2～1):2。

氨基封端的PAEK齊聚物與4-炔基苯酐溶解于非質(zhì)子性極性溶劑(二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮中的一種)，在室溫下攪拌4～8小時；升溫至60-80℃，加入脫水劑(乙酸酐和/或丙酸酐)和乙酸鹽催化劑(乙酸鈉和/或乙酸鈷)反應4～10小時，獲得4-炔基酰亞胺基封端的PAEK齊聚物。其中，按摩爾比，4-炔基苯酐、脫水劑和乙酸鹽催化劑的用量是氨基封端的PAEK齊聚物的2～2.2倍。

以下結合技術方案，進一步說明本發(fā)明的具體實施方式。

以下實施例中，根據(jù)PAEK的類型，分別進行制備對應的復合膜，其結構示意圖見圖1。

實施例1

一種耐高溫聚酰亞胺/聚芳醚酮復合膜界面強化方法，具體包括以下步驟：

(1)采用丙酮對PI薄膜表面進行預處理，清除表面污漬和灰塵。隨后，在表面噴涂質(zhì)量百分濃度為3％的活性接枝劑溶液，噴涂厚度50nm，加熱至30℃烘干，得到預處理PI薄膜；

本實施例采用的活性接枝劑溶液中，活性接枝劑的分子結構式：

采用的溶劑為二氯甲烷。

(2)采用低溫等離子體對預處理PI薄膜表面進行刻蝕接枝處理，低溫等離子體電極和PI薄膜表面距離為1.5cm，放電功率為650W，處理時間3s，得到接枝改性的PI薄膜。

(3)采用噴涂法，將25％固含量500目粒徑的PEEK水劑乳液霧化噴涂在接枝改性的PI薄膜表面，150℃加熱30min烘除水分；繼而升溫至350℃，保溫5min使PEEK充分熔融，以5℃/min冷卻速率降溫，獲得PI/PEEK復合膜，其中，PEEK膜厚度為0.01mm。

(4)PI/PEEK復合膜界面粘結強度為35.5MPa，本實施例制備的PI/PEEK復合膜的表面形貌圖見圖2，大多數(shù)PEEK顆粒熔融擴展并均勻粘合在PI薄膜的表面，沒有出現(xiàn)分層現(xiàn)象。

實施例2

一種耐高溫聚酰亞胺/聚芳醚酮復合膜界面強化方法，具體包括以下步驟：

(1)采用丙酮對PI薄膜表面進行預處理，清除表面污漬和灰塵。隨后，在表面噴涂質(zhì)量百分濃度為4％的活性接枝劑溶液，噴涂厚度50nm；加熱至50℃烘干，得到預處理PI薄膜；

本實施例采用的活性接枝劑溶液中，活性接枝劑的分子結構式為:

采用的溶劑為氯仿。

(2)采用低溫等離子體對預處理PI薄膜表面進行刻蝕接枝處理，低溫等離子體電極和PI薄膜表面距離為2cm，放電功率為1000W，處理時間1s，得到接枝改性的PI薄膜。

(3)采用噴涂法，將15％固含量1000目粒徑的PEEK水劑乳液霧化噴涂在接枝改性的PI薄膜表面，150℃加熱30min烘除水分；繼而升溫至380℃，保溫1min使PEEK充分熔融，以5℃/min冷卻速率降溫，獲得PI/PEEK復合膜，其中，PEEK膜厚度為0.05mm。

(4)PI/PEEK復合膜界面粘結強度為36.3MPa。

實施例3

一種耐高溫聚酰亞胺/聚芳醚酮復合膜界面強化方法，具體包括以下步驟：

(1)采用丙酮對PI薄膜表面進行預處理，清除表面污漬和灰塵。隨后，在表面噴涂質(zhì)量百分濃度為0.5％的活性接枝劑溶液，噴涂厚度100nm，加熱至50℃烘干，得到預處理PI薄膜；

本實施例采用的活性接枝劑溶液中，活性接枝劑分子結構式為:

采用的溶劑為二氯甲烷和氯仿的4:1混合溶液。

(2)采用低溫等離子體對預處理PI薄膜表面進行刻蝕接枝處理，PI表面粗糙度增加且接枝上活性接枝劑(4-炔基酰亞胺基封端的PAEK齊聚物)。低溫等離子體電極和PI薄膜表面距離為1cm，放電功率為400W，處理時間10s，得到接枝改性的PI薄膜。

(3)采用噴涂法，將15％固含量500目粒徑的PEKK水劑乳液霧化噴涂在接枝改性的PI薄膜表面，150℃加熱30min烘除水分；繼而升溫至410℃，保溫5min使PEKK充分熔融，以5℃/min冷卻速率降溫，獲得PI/PEKK復合膜，其中，PEKK膜厚度為0.1mm。

(4)PI/PEKK復合膜界面粘結強度為38.2MPa。

實施例4

一種耐高溫聚酰亞胺/聚芳醚酮復合膜界面強化方法，具體包括以下步驟：

(1)采用乙醇對PI薄膜表面進行預處理，清除表面污漬和灰塵。隨后，在表面噴涂質(zhì)量百分濃度為1％的活性接枝劑溶液，噴涂厚度100nm，加熱至150℃烘干，得到預處理PI薄膜；

本實施例采用的活性接枝劑溶液中，活性接枝劑分子結構式為:

采用的溶劑為二甲基甲酰胺。

(2)采用低溫等離子體對預處理PI薄膜表面進行刻蝕接枝處理，低溫等離子體電極和PI薄膜表面距離為0.5cm，放電功率為10W，處理時間10s，得到接枝改性的PI薄膜。

(3)采用噴涂法，將30％固含量300目粒徑的PEKK水劑乳液霧化噴涂在接枝改性的PI薄膜表面，150℃加熱30min烘除水分；繼而升溫至420℃，保溫2min使PEEK充分熔融，以5℃/min冷卻速率降溫，獲得PI/PEKK復合膜，其中，PEKK膜厚度為0.05mm。

(4)PI/PEKK復合膜界面粘結強度為36.9MPa。

實施例5

一種耐高溫聚酰亞胺/聚芳醚酮復合膜界面強化方法，具體包括以下步驟：

(1)采用丙酮對PI薄膜表面進行預處理，清除表面污漬和灰塵。隨后，在表面噴涂質(zhì)量百分濃度為1％的活性接枝劑溶液，噴涂厚度100nm，加熱至160℃烘干，得到預處理PI薄膜；

本實施例采用的活性接枝劑溶液中，活性接枝劑分子結構式為:

采用的溶劑為二甲基乙酰胺。

(2)采用低溫等離子體對預處理PI薄膜表面進行刻蝕接枝處理，PI表面粗糙度增加且接枝上活性接枝劑(4-炔基酰亞胺基封端的PAEK齊聚物)。低溫等離子體電極和PI薄膜表面距離為1.5cm，放電功率為650W，處理時間2s，得到接枝改性的PI薄膜。

(3)采用噴涂法，將50％固含量100目粒徑的PEKK水劑乳液霧化噴涂在接枝改性的PI薄膜表面，150℃加熱30min烘除水分；繼而升溫至380℃，保溫5min使PAEK充分熔融，以5℃/min冷卻速率降溫，獲得PI/PEKK復合膜，其中，PEKK膜厚度為0.05mm。

(4)PI/PEKK復合膜界面粘結強度為36.8MPa。

實施例6

一種耐高溫聚酰亞胺/聚芳醚酮復合膜界面強化方法，具體包括以下步驟：

(1)采用乙酸乙酯對PI薄膜表面進行預處理，清除表面污漬和灰塵。隨后，在表面噴涂質(zhì)量百分濃度為5％的活性接枝劑溶液，噴涂厚度150nm，加熱至60℃烘干，得到預處理PI薄膜；

本實施例采用的活性接枝劑溶液中，活性接枝劑分子結構式為:

采用的溶劑為二氯甲烷。

(2)采用低溫等離子體對預處理PI薄膜表面進行刻蝕接枝處理，低溫等離子體電極和PI薄膜表面距離為2cm，放電功率為1000W，處理時間1s。

(3)采用噴涂法，將20％固含量500目粒徑的PEEKK水劑乳液霧化噴涂在接枝改性的PI薄膜表面，150℃加熱30min烘除水分；繼而升溫至380℃，保溫5min使PEEKK充分熔融，以5℃/min冷卻速率降溫，獲得PI/PEEKK復合膜，其中，PEEKK膜厚度為0.15mm。。

(4)PI/PEEKK復合膜界面粘結強度為38.7MPa。

實施例7

一種耐高溫聚酰亞胺/聚芳醚酮復合膜界面強化方法，具體包括以下步驟：

(1)采用甲醇對PI薄膜表面進行預處理，清除表面污漬和灰塵。隨后，在表面噴涂質(zhì)量百分濃度為3％的活性接枝劑溶液，噴涂厚度200nm，加熱至200℃烘干，得到預處理PI薄膜；

本實施例采用的活性接枝劑溶液中，活性接枝劑分子結構式為:

采用的溶劑為N-甲基吡咯烷酮。

(2)采用低溫等離子體對預處理PI薄膜表面進行刻蝕接枝處理，低溫等離子體電極和PI薄膜表面距離為1.5cm，放電功率為300W，處理時間8s，得到接枝改性的PI薄膜。

(3)采用噴涂法，將15％固含量500目粒徑的PEKEKK水劑乳液霧化噴涂在接枝改性的PI薄膜表面，150℃加熱30min烘除水分；繼而升溫至400℃，保溫5min使PEKEKK充分熔融，以5℃/min冷卻速率降溫，獲得PI/PEKEKK復合膜，其中，PEKEKK膜厚度為0.2mm。。

(4)PI/PEKEKK復合膜界面粘結強度為39.5MPa。

實施例8

一種耐高溫聚酰亞胺/聚芳醚酮復合膜界面強化方法，具體包括以下步驟：

(1)采用甲醇對PI薄膜表面進行預處理，清除表面污漬和灰塵。隨后，在表面噴涂質(zhì)量百分濃度為3％的活性接枝劑溶液，噴涂厚度200nm，加熱至200℃烘干，得到預處理PI薄膜；

本實施例采用的活性接枝劑溶液中，活性接枝劑為兩種分子結構式的混合物，分別為:

按摩爾比，二者比例為1:1，采用的溶劑為N-甲基吡咯烷酮。

(2)采用低溫等離子體對預處理PI薄膜表面進行刻蝕接枝處理，低溫等離子體電極和PI薄膜表面距離為1.5cm，放電功率為800W，處理時間6s，得到接枝改性的PI薄膜。

(3)采用噴涂法，將30％固含量300目粒徑的PEKEKK和PEKK混合的水劑乳液霧化噴涂在接枝改性的PI薄膜表面，150℃加熱30min烘除水分；繼而升溫至400℃，保溫5min使PEKEKK充分熔融，以5℃/min冷卻速率降溫，獲得PI/PEKEKK/PEKK復合膜，其中，PEKEKK/PEKK膜厚度為0.15mm。

(4)PI/PEKEKK/PEKK復合膜界面粘結強度為39.2MPa。

對比例1

一種復合膜的制備方法，同實施例1，不同之處在于，無步驟(1)～(2)，直接在PI表面噴涂25％固含量500目粒徑的PEEK水劑乳液，烘干除水，繼而升溫至350℃，保溫5min使PEEK充分熔融，以5℃/min冷卻速率降溫，降溫過程中PEEK膜從PI表面剝離。

對比例2

一種復合膜的制備方法，同實施例1，不同之處在于，無步驟(2)，得到的復合膜微觀形貌顯示PEEK熔體鋪展不充分、表面無規(guī)則的分布一些凸起，界面粘結強度低于20MPa。

耐高溫聚酰亞胺/聚芳醚酮復合膜及其界面強化方法.pdf