本發(fā)明涉及硅的精制和除雜方法,即從較低純度的硅獲得較高純度、特別是低硼、低磷雜質(zhì)含量的、滿足半導(dǎo)體和電子元器件所需的純度較高的硅原料的方法?,F(xiàn)有的高純硅制造方法,存在著能耗大、生成環(huán)境危害因子、成本高、工藝復(fù)雜、投資大等問題,本發(fā)明采用將硅材料和特定除雜劑制成的含硅熔體的方法,經(jīng)精煉純化,并使硅結(jié)晶分離,得到純化的硅,經(jīng)進(jìn)一步除去除雜劑成分,獲得可應(yīng)用于半導(dǎo)體和電子元器件領(lǐng)域的高純硅或硅晶體。適用于從各種純度的硅或含硅材料制取高純硅或硅晶體。
聲明:
“硅的冶金化學(xué)精制方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)