本發(fā)明公開了一種半導體器件的互連凸塊、半導體器件、半導體器件封裝件和照明設(shè)備。所述半導體器件包括發(fā)光結(jié)構(gòu)和互連凸塊,所述互連凸塊包括:凸塊下冶金層,其位于第一導電類型的半導體層和第二導電類型的半導體層中的至少一個的電極上,并且具有與電極的表面相對的第一表面,以及從第一表面的邊緣延伸以連接至電極的第二表面;金屬間化合物,其位于凸塊下冶金層的第一表面上;焊料凸塊,其鍵合至凸塊下冶金層,并使金屬間化合物介于焊料凸塊與凸塊下冶金之間;以及阻擋層,其位于凸塊下冶金層的第二表面上,并且實質(zhì)上防止焊料凸塊擴散至凸塊下冶金層的第二表面。
聲明:
“互連凸塊、半導體器件、半導體器件封裝件和照明設(shè)備” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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