一種晶體硅可控化生長(zhǎng)及提純的方法,屬于冶金提純及晶體生長(zhǎng)交叉技術(shù)領(lǐng)域。該方法構(gòu)建具有三明治結(jié)構(gòu)“冶金硅?溶劑金屬?籽晶”的樣品原料，放置于具有溫度梯度的熱場(chǎng)中進(jìn)行加熱、保溫，待保溫結(jié)束后快速淬火冷卻至室溫，最終分離得到生長(zhǎng)速度可控、品質(zhì)(純度、雜質(zhì)分布)可控、晶體取向可控的塊狀晶體硅，并將冶金硅源、硅合金及籽晶回收重復(fù)利用。本發(fā)明主要通過(guò)添加冶金硅源以促進(jìn)晶體硅穩(wěn)定生長(zhǎng)，提高生長(zhǎng)速率；添加籽晶襯底以有效調(diào)控生長(zhǎng)硅晶體取向；其次通過(guò)添加低熔點(diǎn)溶劑金屬與冶金硅形成合金熔體，有效降低晶體硅生長(zhǎng)溫度，降低能耗，降低生長(zhǎng)硅中雜質(zhì)含量，提高提純效果。本發(fā)明生長(zhǎng)提純晶體硅滿足太陽(yáng)能級(jí)硅的要求，節(jié)能降耗環(huán)保，生產(chǎn)效率高。