公開了一種高性能場效應(yīng)器件的結(jié)構(gòu)和制備方法。該MOS結(jié)構(gòu)包括一種導(dǎo)電類型的晶體Si本體,外延地生長在Si本體上作為空穴的埋置溝道的應(yīng)變的SiGe層,外延地生長在SiGe層作為用于電子的表面溝道的Si層,源和漏,包括外延淀積并具有與Si本體相反的導(dǎo)電極性的應(yīng)變的SiGe。SiGe源和漏與Si本體形成了異質(zhì)結(jié)和冶金結(jié),其中異質(zhì)結(jié)和冶金結(jié)以小于約10nm,優(yōu)選小于約5nm的公差重合。異質(zhì)結(jié)源/漏為減少短溝道效應(yīng)的手段。由于增加了壓縮應(yīng)變的SiGe溝道,這些結(jié)構(gòu)對PMOS特別有利。代表性的實施例包括塊材和SOI上的CMOS結(jié)構(gòu)。
聲明:
“高遷移率異質(zhì)結(jié)互補場效應(yīng)晶體管及其方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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