本發(fā)明公開了一種鍍覆技術(shù),用于形成多層電子元件的改進的接線端、互連技術(shù)和電感元件部件。單片元件設(shè)置有鍍覆的接線端,消除或簡化了對厚膜接線端帶的需要。此技術(shù)消除了許多接線端問題,并且能夠形成數(shù)量大間距小的接線端。通過暴露的變化寬度的內(nèi)部電極接頭和附加的錨定接頭部分引導(dǎo)和錨定本鍍覆接線端。這種錨定接頭可以相對于
芯片結(jié)構(gòu)在內(nèi)部或在外部定位,成為金屬化鍍覆材料的形成核。最后這種鍍覆材料可以形成普通的球限冶金(BLM)的圓形部分,在其上可以回流焊料球。本技術(shù)可用于多種單片多層元件,包括叉指電容器、多層電容器陣列和集成無源元件。在本元件的形成中可以采用各種不同的鍍覆技術(shù)和材料。
聲明:
“通過鍍覆技術(shù)形成元件” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)